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[发明专利]基于分子动力学模拟三元化合物半导体位移损伤的方法-CN202110592265.5有效
发明人：王祖军;贾同轩;薛院院;唐明华;焦仟丽;刘敏波;何宝平;马武英;盛江坤;董观涛;缑石龙 -专利权人：湘潭大学;西北核技术研究所
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于分子动力学模拟三元化合物半导体位移损伤的方法，解决现有初始损伤存在着原子间势函数不够完善、仿真参数不够准确的问题，该方法包括：步骤一、获取势能函数并对其进行优化；步骤二、建立初始位移损伤模型，确定仿真参数；步骤三、进行初始损伤模拟前的弛豫过程；步骤四、进行初始损伤模拟；步骤五、多次模拟并取平均数值。该方法基于建立的初始损伤模型，从能量、组分、温度等变化因素下得到微观下缺陷演化行为，分析损伤机理，该方法为以后多尺度模拟工作提供理论支撑。
基于分子动力学模拟三元化合物半导体位移损伤方法

[发明专利]辐照后半导体激光器伏安特性曲线测量系统及测量方法-CN201910865358.3有效
发明人：王祖军;宁浩;薛院院;徐瑞;焦仟丽;刘敏波;姚志斌;何宝平;马武英;盛江坤;董观涛 -专利权人：湘潭大学;西北核技术研究院
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐照后半导体激光器伏安特性曲线测量系统及测量方法。该测量系统包括源表、辐照板、矩阵开关、控制计算机以及线缆；辐照板的输入端与被测半导体激光器一一对应，且相互连接，辐照板的输出端与矩阵开关的开关单元输入端一一对应，且通过线缆连接；矩阵开关的开关单元输出端与源表输入端通过线缆连接，源表输出端与控制计算机连接，且控制计算机与矩阵开关控制端连接。本发明突破了实验场地对半导体激光器辐照中(辐照后)实验数据测试的限制，可以适用于各种辐射源测试环境，解决了长线电阻对半导体激光器伏安特性曲线测量时所带来的影响。
辐照半导体激光器伏安特性曲线测量系统测量方法

[发明专利]一种光电耦合器辐射效应测试方法-CN201910712554.7有效
发明人：王祖军;徐瑞;薛院院;宁浩;焦仟丽;刘敏波;姚志斌;何宝平;马武英;盛江坤;董观涛 -专利权人：湘潭大学;西北核技术研究院
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电耦合器辐射效应测试系统及测试方法，解决现有光电耦合器辐射效应测试方法过程繁琐、数据点较少、耗时耗力、测试效率较低的问题。该测试系统包括光耦固定模块、源表测量模块和PC控制模块；光耦固定模块包括电路板，电路板上设置有源表输入端接口和插座，插座上设置有光电耦合器引脚接口，用于固定连接光电耦合器，源表测量模块与源表输入端接口连接，用于给光电耦合器提供电流或电压，同时对光电耦合器的测试数据进行实时测量；PC控制模块通过GPIB‑USB转换卡与源表测量模块连接，对源表测量模块进行调试与控制，并实时采集与记录测量数据。同时，本发明还提供一种光电耦合器辐射效应测试方法。
一种光电耦合器辐射效应测试方法

[发明专利]一种运算放大器辐射敏感参数的测量方法-CN201910734751.9有效
发明人：马武英;姚志斌;董观涛;何宝平;王祖军;盛江坤;薛院院 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种运算放大器辐射敏感参数的测量方法，解决运算放大器辐射敏感参数耦合对传统测量技术带来的问题，提高了运算放大器在电离辐射环境中参数的准确测量。一种运算放大器辐射敏感参数的测量方法，包括以下步骤：步骤一、安装被测运算放大器；将被测运算放大器的电源端VCC和接地端VEE连接恒定电压源，正相输入端Vin+连接扫描电压源，负相输入端Vin‑连接恒定电压源，输出端Vout连接电压监测端；步骤二、设置测量参数；设定与负相输入端Vin‑连接的恒定电压源输出值为0V或规定值；依据被测运算放大器的器件手册和辐照后失调电压的漂移量，设置扫描电压源的扫描电压范围；步骤三、测试被测运算放大器；步骤四、提取敏感参数。
一种运算放大器辐射敏感参数测量方法

[发明专利]基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法-CN201810553481.7有效
发明人：马武英;何振山;丛培天;姚志斌;王祖军;何宝平;盛江坤;董观涛;薛院院 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，该方法提高了CMOS工艺器件抗总剂量能力，解决了CMOS器件在空间辐射中长时间应用，使电子器件性能退变，甚至功能失效的问题。其包括1)确定待加固CMOS工艺器件的最优退火温度和最佳退火时间；2)确定调节电流及将CMOS工艺器件进行封装；2.1)在基片上制作加温电阻；2.2)对基片进行加热，将基片加热至最优退火温度值，确定此时的电流值为调节电流；2.3)将待加固的CMOS工艺器件与基片连接、封装，同时在CMOS工艺器件的管壳中增加温度控制管脚；3)根据步骤1)获得的最佳退火时间和步骤2.2)确定的调节电流对待加固的CMOS工艺器件进行加热，从而提高CMOS工艺器件的抗总剂量的能力。
退火加热抗辐射总剂量封装电子器件性能功能失效基片连接空间辐射时间应用电阻管脚管壳加温退变制作

[发明专利]射线辐射场剂量率测量装置及测量方法-CN201711092590.5有效
发明人：薛院院;王祖军;陈伟;刘敏波;姚志斌;何宝平;张凤祁;盛江坤;马武英;董观涛;金军山 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01T1/08 文献下载
摘要：本发明属于辐射场均匀性测量技术领域，具体涉及一种射线辐射场剂量率测量装置及测量方法。该测量装置包括图像传感器、辐照板、测试评估板和计算机；所述图像传感器安装于辐照板上，用于在射线辐射场下连续采集图像；所述辐照板与测试评估板相连，所述测试评估板与计算机相连，所述计算机上安装有图像处理系统。本发明可以对测量数据进行自动处理，极大的提高了测量速度，减少了射线对测量装置CMOS图像传感器的损伤时间，提高了测量装置的寿命，解决了现有的测量装置存在的测量成本高、精度差的技术问题。
测量装置辐照测试评估射线辐射剂量率测量图像传感器测量计算机图像处理系统均匀性测量测量成本测量数据连续采集自动处理辐射场射线损伤图像

[发明专利]一种CMOS图像传感器质子辐照后图像滞留的测量方法-CN201710058863.8有效
发明人：薛院院;王祖军;刘静;姚志斌;何宝平;郭红霞;陈伟;刘敏波;盛江坤;马武英;金军山;董观涛 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器质子辐照后图像滞留的测量方法。采用温控箱进行了温度控制，实现了CMOS图像传感器质子辐照后图像滞留的准确测量；通过第i帧(i为1、2、3…M)图像的计算采用取多组图像求平均值的方法，能够排除单次测量所造成的随机误差；通过在计算时除去部分异常图像，提高了CMOS图像传感器质子辐照后图像滞留的测量精度。本发明具有稳定性好、测量精确度高和测量方法简便等优点，可适用于质子辐照后CMOS图像传感器图像滞留的精确测量，为CMOS图像传感器的辐射损伤评估提供技术支持。
一种 cmos 图像传感器质子辐照图像滞留测量方法

[实用新型]强电离辐射环境下光电成像监测用辐射防护系统-CN201720473371.0有效
发明人：王祖军;陈伟;薛院院;刘敏波;刘静;何宝平;姚志斌;郭红霞;金军山;马武英;盛江坤;董观涛 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本实用新型属于光电成像监测技术领域，具体涉及一种强电离辐射环境下光电成像监测用辐射防护系统。该辐射防护系统包括成像反射模块和辐射屏蔽模块；成像反射模块位于辐射源和光电成像监测系统之间，用于将辐射源的图像信息经光路反射后进入光电成像监测系统；辐射屏蔽模块围设在光电成像监测系统外部，用于屏蔽辐射源发出的射线。本实用新型通过采用镜面反射的光路设计，使光电成像监测系统镜头对辐射源的待监测区域进行镜面成像，既能监测指定区域，同时又能避免强电离辐射对光电成像监测系统光敏核心元器件的直接辐照，克服了强电离辐射环境下光电成像监测系统辐射防护的难题，显著提高了光电成像监测系统在强电离辐射环境中的使用寿命。
电离辐射环境光电成像监测辐射防护系统

[发明专利]用于光电成像监测的辐射防护系统及辐射防护方法-CN201710294032.0在审
发明人：王祖军;陈伟;薛院院;刘敏波;刘静;何宝平;姚志斌;郭红霞;金军山;马武英;盛江坤;董观涛 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本发明属于光电成像监测技术领域，具体涉及一种用于光电成像监测的辐射防护系统及辐射防护方法。该辐射防护系统包括成像反射模块和辐射屏蔽模块；成像反射模块位于辐射源和光电成像监测系统之间，用于将辐射源的图像信息经光路反射后进入光电成像监测系统；辐射屏蔽模块围设在光电成像监测系统外部，用于屏蔽辐射源发出的射线。本发明通过采用镜面反射的光路设计，使光电成像监测系统镜头对辐射源的待监测区域进行镜面成像，既能监测指定区域，同时又能避免强电离辐射对光电成像监测系统光敏核心元器件的直接辐照，克服了强电离辐射环境下光电成像监测系统辐射防护的难题，显著提高了光电成像监测系统在强电离辐射环境中的使用寿命。
用于光电成像监测辐射防护系统方法

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