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[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202180032421.0在审
发明人：藤田成树;光成正;菊地贵伦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置-CN201910505338.5有效
发明人：岩下伸也;铃木步太;进藤崇央;传宝一树;松土龙夫;森田靖;菊地贵伦;守屋刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202110757947.7在审
发明人：进藤崇央;冈本清一;大友洋;菊地贵伦;松土龙夫;森田靖;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接地的下部电极；与下部电极相对地设置的上部电极；向上部电极与基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对上部电极施加高频电功率来生成处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在高频电源与上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN201880064580.7在审
发明人：岩下伸也;菊地贵伦;野吕尚孝;长谷川敏夫;守屋刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。
等离子体处理方法

[发明专利]处理装置-CN201110430694.9有效
发明人：手塚一幸;加藤健一;泽地淳;菊地贵伦;三村高范 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G05D11/13 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置，能够不用手工操作进行环状隔壁构件位置的改变或更换和处理气体喷出部自身的更换，改变处理气体的喷出位置。具有与载置台(4)对置设置在处理室(2)内并喷出处理气体的处理气体喷出部(5)；在处理气体喷出部(5)内通过隔壁(14)互相分隔设置的具有喷出处理气体喷出孔(16)的与被处理体面内的中心部分对应的第一空间(15a)、与被处理体面内的边缘部分对应的第二空间(15i)、设置在第一空间(15a)与第二空间(15i)之间的至少一个第三空间(15b)～(15h)；和包含连通这些空间的处理气体分配管(18a)～(18i)、开闭邻接的处理气体分配管(18a)～(18i)彼此之间的阀(19a)～(19h)的处理气体分配单元(12)。
处理装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN200780005104.X有效
发明人：西村荣一;菊地贵伦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效地除去氧化物层以及有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三工艺单元(36)具备框体状的处理室容器(腔室)(50)、氮气供给系统(190)和臭氧气体供给系统(191)。臭氧气体供给系统(191)具有臭氧气体供给部(195)、与该臭氧气体供给部(195)连接的臭氧气体供给管(196)。臭氧气体供给管(196)具有以与晶片(W)相对的方式开口的臭氧气体供给孔(197)，臭氧气体供给部(195)通过臭氧气体供给管(196)从臭氧气体供给孔(197)向腔室(50)内供给臭氧(O₃)气体。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和存储介质-CN200610142497.6有效
发明人：西村荣一;菊地贵伦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高效率地除去氧化物层和有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三处理单元(36)包括框体状的处理室容器(腔室)(50)、氧气供给系统(192)和天线装置(191)，氧气供给系统(192)通过氧气供给环(198)向收容有晶片(W)的腔室(50)内供给氧气，天线装置(191)向供给有氧气的腔室(50)内导入微波。
处理装置方法存储介质