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[发明专利]一种微弱电流测量装置-CN202110696949.X有效
发明人： 莫越达;韦文生;黄文喜;何明昌 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明提供一种微弱电流测量装置，包括依序连接的电流强度‑电压(I‑V)转换及放大电路、模数转换电路、单片机和显示器；I‑V转换及放大电路根据待测微弱电流信号的类型，选择相应的I‑V转换及放大电路将微弱电流信号转换成微弱电压信号并进行噪声抑制及信号放大处理；模数转换电路将噪声抑制及信号放大处理后得到的电压信号转换为数字信号；单片机对数字信号进行分析得到电压值，并根据电压值，在预设的电压与微弱电流映射表中，得到待测微弱电流信号的电流值；显示器显示待测微弱电流信号的电流值及其对应的电压值。本发明不仅能解决现有微弱电流测量装置因噪声干扰所带来的测量误差的问题，提高了测量精度，而且价格便宜。
一种微弱电流测量装置

[发明专利]纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法-CN202110203412.5有效
发明人：韦文生;吴晓华;莫越达;王渊;熊愉可;何明昌;周迪 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法，包括N+型单晶硅衬底、N+型单晶硅衬底上沉积的N型纳米硅调制层、N型纳米硅调制层上沉积的非晶碳化硅势垒层、非晶碳化硅势垒层上沉积的N型纳米硅调制层；根据耐压和容量要求，确定由N型纳米硅调制层、非晶碳化硅势垒层、N型纳米硅调制层构成的异质结的生长周期；然后沉积N+型纳米硅接触层；在N+型单晶硅衬底、纳米硅接触层上表面分别蒸镀金铝电极，异质结外面氧化产生保护层，之外涂覆遮光层，制成异质结多势垒变容二极管，加工时无扩散污染。本发明的异质结多势垒变容二极管的电容小、变容比率高、截止频率高、动态负载调制范围宽，适用于倍频、电调谐、参数放大等。
纳米碳化硅异质结多势垒变容二极管制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置-CN202210248392.8在审
发明人：余寿豪;韦文生;宋慧慧;莫越达 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置，包括低噪声直流稳压电源、测试条件产生电路、信号采样及处理电路和主控及输入/输出电路；低噪声直流稳压电源提供稳定直流电压；测试条件产生电路给被测功率半导体器件进行预热处理，之后迅速中和被测功率半导体器件中的少数载流子，并进行热敏处理后产生瞬态热敏电压差；信号采样及处理电路对瞬态热敏电压差进行采集、放大及转换；主控及输入/输出电路将瞬态热敏电压差进行显示，以及实现对测试条件产生电路所需的加热电流/热敏电流脉冲的产生、幅度与加热时间以及中和电流脉冲的控制。实施本发明，具有电路结构简单，操作简单，受外界环境变化而造成干扰较小，波形稳定等优点。
一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置

[发明专利]一种SiC异构结微波二极管噪声的评价方法及系统-CN202011079917.7有效
发明人：韦文生;莫越达;白凯伦 -专利权人：温州大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC异构结微波二极管噪声的评价方法及系统，包括获取待测SiC异构结微波二极管，并选择相应的噪声影响因素，含有电离雪崩效应、场致隧穿效应和量子效应；修正待测SiC异构结微波二极管的连续性方程、电流密度方程及泊松方程；对待测SiC异构结微波二极管进行空间及时间二维网格化，使修正的连续性方程、电流密度方程及泊松方程离散化成方程组；求解离散化的方程组，得到结构、稳态性能和交流性能参数值；构建由噪声电场强度函数及边界条件组成的噪声模型；将结构、稳态性能和交流性能参数值导入噪声模型和边界条件中进行双迭代计算，得到待测SiC异构结微波二极管的噪声参数值。本发明能改善SiC异构结微波二极管的噪声检测精度。
一种 sic 异构结微波二极管噪声评价方法系统

[发明专利]一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法及系统-CN202011059069.3有效
发明人：韦文生;余寿豪;张夏彬;莫越达;黄文喜;周迪;何明昌 -专利权人：温州大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法及系统，包括获取被测二极管(DUT)，并选取相应的噪声因素含有电离雪崩效应、量子效应、场致隧穿效应，修正预设的连续性方程、电流密度方程及泊松方程；其中，DUT为碰撞电离雪崩渡越时间IMPATT二极管或混合隧穿雪崩渡越时间MITATT二极管；对DUT模型网格化，把修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程组成的方程组离散化；求解离散化的方程组，得到结构、稳态性能、交流性能；构建噪声模型，并将所述结构、稳态性能、交流性能参数值导入所述噪声模型和所述边界条件中进行双迭代计算，得到DUT的噪声参数值。实施本发明，可以提高DUT的噪声检测精度。
一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法系统