专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]真空内磁场约束装置及真空镀膜系统-CN202320438120.4有效
  • 冯火群;彭孝龙;莫超超 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-09-15 - C23C14/22
  • 本实用新型涉及真空内磁场约束技术领域,尤其涉及一种真空内磁场约束装置及真空镀膜系统,旨在缓解现有磁场约束装置安全性能低的技术问题。该真空内磁场约束装置包括固定外壳、电磁线圈、永磁铁、电极馈入和水接头;固定外壳具有容纳腔;电磁线圈设置在永磁铁的至少一个侧面,并同永磁铁一起设置于容纳腔内;电极馈入固定于固定外壳的外壁,并与电磁线圈电连接;水接头设有至少两个,固定于固定外壳的外壁,并与容纳腔连通。该真空镀膜系统包括真空内磁场约束装置。通过该真空内磁场约束装置,可以产生约束磁场实现对等离子体的约束,同时循环的冷却水可带走电磁线圈产生的热量,提高了安全性能。
  • 真空磁场约束装置真空镀膜系统
  • [实用新型]一种磁棒组件及磁控溅射设备-CN202320737013.1有效
  • 常新新;莫超超;周振国;解传佳;王晨 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2023-04-06 - 2023-06-23 - C23C14/35
  • 本实用新型涉及磁控溅射镀膜技术领域,尤其涉及一种磁棒组件及磁控溅射设备。该磁棒组件包括主磁轭基板、主磁体件及辅助磁体件,主磁体件设置于主磁轭基板的朝向待镀膜基片的一面,主磁体件包括中部磁体和两个边部磁体,两个边部磁体对称设置于中部磁体的两侧,并且边部磁体靠近待镀膜基片一侧的磁极与中部磁体靠近待镀膜基片一侧的磁极相反,辅助磁体件位于主磁体件的侧部,并且辅助磁体件位于主磁轭基板背离主磁体件的一侧,辅助磁体件靠近待镀膜基片一侧的磁极与边部磁体靠近待镀膜基片一侧的磁极相同。磁控溅射设备通过应用上述磁棒组件,在维持较高磁场强度的基础上减小了溅射角,削弱了靶材的侧边溅射,提高了对靶材的利用率。
  • 一种组件磁控溅射设备
  • [发明专利]一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备-CN202211351999.5在审
  • 张永胜;解传佳;周振国;武瑞军;彭孝龙;莫超超 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2022-10-31 - 2022-12-30 - C23C14/35
  • 本发明涉及真空溅射镀膜技术领域,尤其涉及一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备。磁控溅射阴极装置包括靶材筒组件、磁棒组件及汇聚磁铁组件,靶材筒组件位于真空腔室内,磁棒组件位于靶材筒组件的内部,汇聚磁铁组件设置在靶材筒组件靠近真空腔室侧壁的一侧,汇聚磁铁组件产生的磁力线能够朝靠近待镀膜基片的方向挤压磁棒组件产生的磁力线,避免溅射的原子沉积到真空腔室的侧壁上,使更多的原子沉积到待镀膜基片上。磁控溅射设备通过应用上述磁控溅射阴极装置,减少了靶材的损耗,降低了生产成本,提升了产品良率,延长了磁控溅射设备的维护周期,提高了设备的开机效率。
  • 一种磁控溅射阴极装置设备
  • [实用新型]磁轭组件及磁控溅射设备-CN202222426065.5有效
  • 周振国;彭孝龙;莫超超;董刚强 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2022-09-14 - 2022-12-30 - C23C14/35
  • 本实用新型属于磁控溅射设备技术领域,公开了一种磁轭组件及磁控溅射设备。磁轭组件包括磁轭、第一永磁体和第二永磁体;第一永磁体设置于所述磁轭的顶面,所述第一永磁体的两个磁级上下排布;所述磁轭的相对两侧均设置有所述第二永磁体,所述第二永磁体的下方形成非导磁区域,所述第二永磁体的两个磁级的排布方向与竖直方向呈非零夹角设置。该种设置能够减小磁轭形成的非必要的导磁区域,有利于最大程度将永磁体的磁能释放到靶材表面,避免磁能被多余的导磁区域吸收,从而提高磁轭组件提供的磁场强度。
  • 组件磁控溅射设备
  • [实用新型]用于磁控溅射的磁场结构及阴极机构-CN202222455429.2有效
  • 周振国;张永胜;莫超超;解传佳;董刚强 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2022-09-16 - 2022-12-20 - C23C14/35
  • 本实用新型涉及磁控溅射镀膜技术领域,尤其涉及一种用于磁控溅射的磁场结构及阴极机构,旨在解决如何在较低的溅射电压下获得较高的溅射速率的问题。本实用新型提供的用于磁控溅射的磁场结构包括中间列磁铁、边部磁铁和辅助列磁铁;中间列磁铁竖直设置,磁化方向竖直且垂直于靶表面;两个边部磁铁对称设置于中间列磁铁两侧,边部磁铁的磁化方向垂直于中间列磁铁的磁化方向;两个辅助列磁铁对称设置于中间列磁铁两侧,辅助列磁铁设置于边部磁铁和中间列磁铁之间。本实用新型通过增加辅助列磁铁以及磁铁的磁化方向、磁铁位置的设计来阻止磁场收窄,避免因磁场强度增加导致磁场分布峰形尖锐,致使有效束缚电子的磁场区域易变窄,进而引发溅射速率下降。
  • 用于磁控溅射磁场结构阴极机构
  • [发明专利]一种异质结电池效率提升方法-CN202210466722.0在审
  • 张永胜;解传佳;武瑞军;彭孝龙;莫超超 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-07-29 - H01L31/20
  • 本发明提供了一种异质结电池效率提升方法,涉及异质结电池技术领域,能够同步解决硅片表面污染、氧化和水汽吸附问题,不影响PVD设备的工作节拍。该方法步骤包括制绒清洗、非晶硅沉积、TCO膜制备和栅线制备,在TCO膜制备步骤之前增加非晶硅表面处理,用于改善异质结电池制备过程中非晶硅表面可能存在的污染和氧化问题,并去除托盘表面吸附水汽;非晶硅表面处理采用面状ICP等离子源来实现;具体地,在真空侧的顶部设置若干线圈;线圈与外部RF匹配器连接,用于产生射频磁通,射频磁通沿轴向感应出的射频电场对其中的电子进行加速,从而产生等离子体;待表面处理的沉积了非晶硅的硅片位于线圈下方且按预设速度依次通过等离子体区域。
  • 一种异质结电池效率提升方法
  • [发明专利]一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备-CN202210506190.9在审
  • 张永胜;解传佳;武瑞军;莫超超;杨肸曦;彭孝龙;周振国 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2022-05-10 - 2022-07-22 - C23C14/54
  • 本发明属于溅射镀膜技术领域,公开了一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备。该提高旋转靶材利用率的溅射方法中,在线获取位于真空室内的所述靶材的形貌信息;根据所述靶材的形貌信息自动生成所述靶材的外径形貌拟合图;根据所述外径形貌拟合图,自动控制所述靶材轴向各处的磁场强度,以使所述靶材均匀消耗。在线获取靶材刻蚀情况并自动调整磁场强度,不需要对真空室破除真空后取出靶材调整更方便,且有利于提高调整频率,从而能够及时调整靶材轴向各处的磁场强度,有利于增大靶材利用率的调整幅度。本发明提供的溅射设备能够在线获取靶材表面刻蚀情况并调整对应位置磁场强度,不需人工操作,效率高,调整及时,能明显改善靶材的利用率。
  • 一种提高旋转利用率溅射方法设备
  • [实用新型]一种具有辅助抽气功能的抽气系统-CN202220362781.9有效
  • 莫超超;刘浏;董刚强;彭孝龙;张永胜 - 苏州迈为科技股份有限公司
  • 2022-02-22 - 2022-06-28 - F04B37/14
  • 本实用新型提供了一种具有辅助抽气功能的抽气系统,涉及镀膜设备技术领域,能够进行前后两个阶段的抽气,在保证硅片无损伤的情况下,显著缩短抽气时间。该系统包括加载互锁腔体、主抽气管路、辅助抽气管路和主控单元;主抽气管路的第一端和辅助抽气管路的第一端均与加载互锁腔体连通,主抽气管路的第二端和辅助抽气管路的第二端均与同一抽真空动力设备连接或分别与不同的抽真空动力设备连接;主抽气管路包括匀气板、主抽气管道和第一开关;主抽气管道的第一端与匀气板连接,第一开关设于主抽气管道上;辅助抽气管路包括辅助抽气管道和第二开关;第二开关设于辅助抽气管道上;第一开关和第二开关均与主控单元连接。
  • 一种具有辅助功能系统

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