专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]解决光刻胶不足的钝化层蚀刻方法-CN201410099789.0在审
  • 王川;欧少敏;荣仪 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2014-03-18 - 2015-09-23 - H01L21/311
  • 本发明提供一种解决光刻胶不足的钝化层蚀刻方法,该方法包含以下步骤:在晶圆上进行钝化层沉积;对晶圆上钝化层进行化学机械抛光工艺,降低晶圆上钝化层的不平整度;涂覆光刻胶,进行光刻;对钝化层进行蚀刻工艺。本发明在钝化层沉积后对其进行化学机械抛光,要提高金属岛区域光刻胶一定厚度,只需相应增加氧化硅沉积的厚度,然后用化学机械抛光的方法让金属岛上的氧化硅沉积层减少相应厚度,减少沉积后晶圆顶部的不平整度,提高晶圆顶部突起区域光刻胶的厚度,从而保护需要保留的钝化层。
  • 解决光刻不足钝化蚀刻方法

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