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[发明专利]一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法-CN202211117935.9有效
发明人：苏桦;梁吉;杨钊;荆玉兰;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/40 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法。本发明通过严格控制Bi离子在YIG旋磁铁氧体中的替代量在12.5～13.5之间，再通过Gd、V、Ca、Zr等离子的复合替代，以及二次球磨时的H3BO3和WO3微量掺杂，并在工艺上引入了热等静压的工艺，最终制备出4πMs为1838～1850Gs，介电常数27～31，铁磁共振线宽≤20Oe的高介低线宽旋磁铁氧体材料。本发明让旋磁铁氧体材料高介电常数和低铁磁共振线宽的兼具成为可能，为微波铁氧体器件的进一步小型化提供了基础。
一种高介低线宽微波磁铁材料及其制备方法

[发明专利]一种叠层复合磁介基板材料及其制备方法-CN202210920417.4在审
发明人：苏桦;杨钊;荆玉兰;唐晓莉;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，涉及一种叠层复合磁介基板材料及其制备方法。本发明通过将铁氧体陶瓷膜片和介电陶瓷膜片按比例交替堆叠构成叠层结构，采用叠层复合的方式，在磁性层中形成连续不开气隙的磁路，使得磁导率几乎不受影响，因此本发明叠层复合磁介基板材料的磁导率可达到采用铁氧体磁性材料的磁导率乘上磁性层总厚度与基板总厚度之比，大大高于传统采用粉体混合得到磁介复合材料的磁导率，给调控磁介基板材料的磁性和介电性能提供了更大的实施空间。本发明的叠层复合磁介基板材料，其适用频率可覆盖1MHz～5GHz，并可通过灵活调控复合材料的磁介电性能来实现具体的应用频率调控；且提供了简单易行成熟的制备工艺。
一种复合磁介基板材料及制备方法

[实用新型]巷道密闭系统-CN202221211125.5有效
发明人：张希望;潘虹;史云龙;荆玉兰 -专利权人：辽宁鑫丰矿业（集团）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： E21F17/103 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种巷道密闭系统，涉及井下通风、瓦斯治理防护技术领域，以在一定程度上解决现阶段密闭巷道墙体需要人工砌筑，效率较低且防护能力较差的问题。本实用新型提供的巷道密闭系统,包括多个组合模块和填充组件；多个组合模块上均设有吊装部，且多个组合模块拼接组成第一墙体以及第二墙体，第一墙体与第二墙体间隔设置形成填充空间，填充组件的一端穿过第一墙体进入填充空间。
巷道密闭系统

[发明专利]一种大感量叠层片式电感器及其设计方法-CN201910525759.4有效
发明人：苏桦;王鹏;唐晓莉;李元勋;荆玉兰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明涉及电子元件制造领域，具体涉及一种大感量叠层片式电感器及其设计方法。本发明通过对整个器件的电极线圈设计构成一个完整的电感线圈，使得引出端与引入端均存在于同一介质层中。一方面，便于一些表贴器件或模组的连接；另一方面，该电极线圈的设计充分的利用了每层介质层单元的面积，综合工艺上的易操作性，将每个介质层的绕线圈数达到最大，在相同电感层数的条件下，远大于传统7/8，3/4，1/2面内电极绕制电感器的感量。
一种大感量叠层片式电感器及其设计方法

[发明专利]一种抗直流偏置低温烧结铁氧体材料及其制备方法-CN201910965699.8有效
发明人：苏桦;钟茂峰;唐晓莉;李元勋;荆玉兰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种抗直流偏置低温烧结铁氧体材料及其制备方法。本发明首先在NiCuZn铁氧体材料的主配方设计上优化了Ni和Zn离子的比例；同时将主配方中Cu离子的含量优化确认为0.18，并引入0.05摩尔含量的Co离子的替代，以确保得到的材料能够较好的兼顾低温烧结、低损耗和较高起始磁导率等特性；并复合掺入了3种掺杂改性剂。最终制备的NiCuZn铁氧体材料以尖晶石NiCuZn铁氧体为主晶相，于900℃低温烧结，起始磁导率μi为71～75，居里温度超过了350℃，H70％为840～910A/m，相比常规的具有同等起始磁导率的低温烧结NiCuZn铁氧体材料H70％有超过30％以上的提升。
一种直流偏置低温烧结铁氧体材料及其制备方法

[发明专利]一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法-CN201710968240.4有效
发明人：苏桦;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋;徐自强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域，具体涉及一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。本发明材料的分子结构表达式为Ni0.29‑x‑yZn0.53+xCu0.18+yFe1.95O4(x＝0～0.02；y＝0～0.02)，同时采用BBSZ玻璃、Co2O3、TiO2和CaCO3作为掺杂剂。通过以上材料配方、工艺的优化设计并结合4种掺杂剂的组合改性，以实现900℃的低温烧结，并兼顾起始磁导率μi在80～96之间；抗直流偏置磁场H70％在950～800A/m，比温度系数≤2×10‑6/℃(20℃～80℃)。本发明很好地兼顾了高起始磁导率、高抗直流偏置磁场以及高温度稳定性的综合要求，其生产原料便宜，工艺简单，操作方便且成本低，可广泛应用于研发生产高可靠性的LTCC片式电感/磁珠产品。
一种低温烧结 nicuzn 铁氧体材料及其制备方法

[发明专利]一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法-CN202010573036.4在审
发明人：苏桦;钟茂峰;唐晓莉;荆玉兰;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明属于微波介质材料及其制造领域，具体涉及一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法。本发明材料的化合式为：Zn3‑x‑yCoxCuyB2O6(0.05≤x≤0.20,0.02≤y≤0.12)，烧结温度825℃～875℃，相对介电常数5.85～6.95，Q×f值63400GHz～165000GHz，谐振频率温度系数‑25ppm/℃～‑70ppm/℃。在本发明中通过Co、Cu离子共替代的方式，将材料体系的烧结温度降低至825～875℃，完全满足LTCC低温烧结的要求，且材料损耗还能够大幅度的下降，材料为纯陶瓷材料，无玻璃助熔剂掺杂，降低了材料制备的成本，同时避免玻璃掺杂带来的损耗增大及LTCC工艺的不兼容问题，具有很好的应用前景。
一种无助熔剂损耗 ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种Mg-CN201710149952.3有效
发明人：苏桦;赖元明;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Mg
一种 mg2sio4 li2tio3 复合体系 ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种磁电薄膜材料及其制备方法-CN201710670799.9有效
发明人：文丹丹;张怀武;李强;荆玉兰;甘功雯;李颉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种新型的磁电薄膜材料及其制备方法，属于功能复合材料制备技术领域。所述磁电薄膜材料包括依次沉积于非晶玻璃基片上的具有铁磁性的FeSiBC非晶材料和具有铁电性的Sm离子改性的铁酸铋，所述FeSiBC非晶材料为Fe₈₁Si_3.5B_13.5C₂，所述Sm离子改性的铁酸铋的化学式为Bi_1‑xSm_xFeO₃，其中x＝0.02～0.06。本发明磁电薄膜具有优良的磁电性能，可应用于小型化或微型化的多功能电磁器件上。
磁电薄膜非晶材料离子改性铁酸铋制备功能复合材料制备技术领域微型化多功能电磁磁电性能非晶玻璃铁磁性铁电性沉积应用

[发明专利]一种Ti基LTCC微波介电陶瓷材料及其制备方法-CN201611149340.6有效
发明人：苏桦;王海宇;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Ti基LTCC微波介电陶瓷材料及其制备方法。本发明首先将(Mg_0.95Co_0.05)₂TiO₄与Li₂TiO₃进行复合，然后再借助LMZBS玻璃掺杂助熔来实现整个材料体系的900～950℃低温烧结。最终实现在900℃低温烧结下最佳性能可达到介电常数：εr＝16.6,Q×f＝125800GHz，τ_f＝1.4ppm/℃。本发明兼具超低损耗、近零谐振频率温度系数以及低温烧结的高性能，其介电常数ε_r为16.6～17.1，Q×f值为88400～125800GHz，谐振频率温度系数τ_f为1.3～5.1ppm/℃。可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中。
低温烧结微波介电陶瓷材料谐振频率温度系数制备电子陶瓷材料介电常数ε 材料体系超低损耗介电常数微波基板微波器件最佳性能叠层助熔掺杂复合玻璃应用制造

[发明专利]一种Li基低介低损耗LTCC材料及其制备方法-CN201610405387.8有效
发明人：苏桦;赖元明;唐晓莉;荆玉兰;张怀武;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Li基低介电常数的LTCC材料及其制备方法。该材料按照Li₂MoSi_1+xO_6+2x(‑0.2≤x≤0.2)化学计量，通过固相反应合成，最终得到包含两相的复合陶瓷，主晶相为菱方晶系的Li₂MoO₄，第二相为六方晶系的SiO₂。其制备方法为以Li₂CO₃，MoO₃及SiO₂为原料，按照配比称取，通过球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等一系列工艺过程，最终得到低介低损耗的Li基LTCC材料。该LTCC材料具有在低温烧结(≤900℃)条件下低介(≤5.0)低损耗(7137～14895GHz)的特征，在LTCC基板及集成器件中具有广阔的应用前景。
一种 li 基低介低损耗 ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法-CN201610142101.1有效
发明人：苏桦;沈洁;张硕;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;刘保元 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚度10nm～500微米，上电极厚度10‑500纳米。铁氧体膜片成分为Ni0.27Zn0.1Fe2.63O4，采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极而成，且其电阻率≥106Ω.cm，厚度为1～10μm。使用时，将噪声干扰抑制器的铁氧体膜片这一面倒扣在微带或共面波导传输线上，PZT基片的上下电极不接触到传输线的电极即可。本发明干扰的抑制效果好，使用方便；节约能源；中心频率连续可调。
一种非易失性频率可调噪声干扰抑制器及其制备方法

[发明专利]一种NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料及其制备方法-CN201610118951.8有效
发明人：苏桦;杨红星;周振华;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;刘保元 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有高磁导率、高品质因数的NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料及其制备方法。该铁氧体磁屏蔽材料，其主晶相为尖晶石结构，分子结构表达式为Ni0.34‑xZn0.48+xCu0.18Fe1.98O4，其中0＜x≤0.01；主配方由分析纯的原料NiO、ZnO、CuO、Fe2O3按摩尔比(0.34‑x)∶(0.48+x)∶0.18∶0.99构成；掺杂剂为Bi2O3：0.5wt％，Co2O3：0.4wt％和CaCO3：0.04wt％～0.06wt％。该铁氧体磁屏蔽材料在工作频点13.56MHz时起始磁导率195～205，品质因数50～60。预烧温度高于最终的烧结温度，收缩率有较大程度的下降，更好的保证了加工NFC磁片时不容易出现翘曲开裂。生产原料便宜，工艺简单，操作方便且成本低。
一种 nfc 手机支付铁氧体屏蔽材料及其制备方法

[发明专利]一种微波介电LTCC材料及其制备方法-CN201610310609.8有效
发明人：苏桦;张硕;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋;刘保元 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种微波介电LTCC材料及其制备方法。本发明提供的CaWO4体系微波介电LTCC材料，包含CaWO4和Li2TiO3混合的两相以及0.5～1wt％LBSCA玻璃助熔剂；其中主晶相为四方相白钨矿CaWO4，辅助相为单斜晶系结构Li2TiO3；CaWO4和Li2TiO3混合料的重量百分比为84～86％：14～16％，以及总混合料重量百分比为0.5～1wt％的LBSCA玻璃助溶剂。其烧结温度为900～950℃，介电常数11.8～12.4，Q×f值57000～76000GHz，谐振频率温度系数‑2.9～1.1ppm/℃。可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中。 1
微波介电重量百分比混合料制备谐振频率温度系数电子陶瓷材料玻璃助熔剂玻璃助溶剂单斜晶系介电常数微波基板微波器件烧结白钨矿辅助相四方相主晶相叠层两相应用制造

[发明专利]一种复合体系LTCC材料及其制备方法-CN201710149955.7在审
发明人：唐晓莉;杜祥裕;苏桦;张怀武;荆玉兰;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种复合体系LTCC材料及其制备方法。该复合体系LTCC材料，其化学通式为Li2x(Zn0.95Co0.05)2‑xSiO4‑yLMZBS(0.125≤x≤0.375，y为1～2wt％)；由斜方六面体结构的(Zn，Co)2SiO4为主晶相，正交晶系结构的Li1.6Zn1.2SiO4为次晶相组成的复合陶瓷材料。于900～950℃低温烧结，介电常数εr为6.1～6.5；Q×f值在130，000GHz以上，最高达到230，602GHz；谐振频率温度系数τf为‑41～‑22ppm/℃。生产原料便宜，工艺工程简单，方便操作，成本低。在作为LTCC微波介质基板或器件材料时，可以显著降低微波器件或模块的损耗。
一种复合体系 ltcc 材料及其制备方法

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