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- [发明专利]信号处理方法及装置-CN202110544325.6在审
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李基隆;宗柏青;范忱
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中兴通讯股份有限公司
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2021-05-19
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2022-11-22
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H04B10/2507
- 本公开提供一种应用于中心端设备的信号处理方法,包括:将待传输射频信号调制到光载波上,生成并传输第一光信号;接收第二光信号,从所述第二光信号中获取比较射频信号,所述第二光信号是远端设备反射所述第一光信号生成的光信号;根据所述待传输射频信号和所述比较射频信号的相位差调节所述光载波的波长,通过所述光载波的波长变化引入的光纤延时对光纤链路的延时抖动进行补偿。本公开还提供一种应用于中心端设备的信号处理装置、一种应用于终端设备的信号处理方法、一种应用于终端设备的信号处理装置、一种应用于远端设备的信号处理方法、一种应用于远端设备的信号处理装置。
- 信号处理方法装置
- [发明专利]一种ROF激光器的预失真电路及方法-CN201611083940.7有效
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范忱;王志功
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东南大学
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2016-11-30
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2019-04-30
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H03F3/193
- 本发明公开了一种ROF激光器的预失真电路及方法,通过共栅放大器与增益倍增的结构实现激光器的预失真的功能。共栅放大器由第一NMOS晶体管Q1,第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3三只NMOS晶体管组成,其中第三NMOS晶体管Q3工作在饱和区,而第二NMOS晶体管Q2工作在亚阈值区,用来补偿晶体管第三NMOS晶体管Q3产生的非线性。第二NMOS晶体管Q2和第三NMOS晶体管Q3可以近似看成线性通路。第一MOS晶体管Q1同样工作在亚阈值区,通过推挽放大器的增益来控制第一NMOS晶体管Q1的三阶非线性的大小,第三NMOS晶体管Q3管作为整个预失真的非线性通路。整个预失真电路简单、面积小、功耗低、集成度高。
- 一种rof激光器失真电路方法
- [发明专利]谐振腔式的双MOS光电探测器-CN201310043845.4有效
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贾护军;成涛;范忱
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西安电子科技大学
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2013-01-31
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2013-06-05
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H01L31/113
- 本发明公开了一种谐振腔式的双MOS光电探测器,主要解决了光电探测器响应速度低的问题。该光电探测器自上而下依次包括:上布拉格反射镜(1),上透明导体氧化物层(2),上二氧化硅层(3),硅本征层(4),下二氧化硅层(5),下透明导体氧化物层(6),下布拉格反射镜(7)。硅本征层(4)上表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的P型重掺杂区,下表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的N型重掺杂区。本发明具有高响应速度,低功耗,高量子效率的特点。可以用作光互连,光通信领域的光电探测器。
- 谐振腔mos光电探测器
- [发明专利]双MOS结构的光电探测器-CN201310039617.X有效
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贾护军;范忱;毛周;李帅
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西安电子科技大学
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2013-01-31
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2013-05-01
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H01L31/113
- 本发明公开了一种具有双MOS结构的光电探测器,主要解决了光电探测器的响应度与响应速度之间制约关系的问题。该光电探测器自上而下依次包括:透明的导体氧化物层(1),上二氧化硅层(2),硅本征层(3),下二氧化硅层(4),金属层(5)。硅本征区(3)上表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的P型重掺杂区,下表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的N型重掺杂区。P型重掺杂区的上表面淀积金属,形成欧姆接触,引出电极;N型重掺杂区的下表面淀积金属,形成欧姆接触,引出电极。本发明具有高响应速度,低功耗的特点,可以用作光互连,光通信领域的光电探测器。
- mos结构光电探测器
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