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[发明专利]一种超宽带透射型声学超常材料-CN202211516304.4在审
发明人：范旭东;范占军;高跃红;李宁;翁春生 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G10K11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带透射型声学超常材料，由若干个刚性边界单元并排连接构成。每个单元包括一根方形直波导管，以及若干对沿方形直波导管的中心轴线方向平行且等间隔排列的直挡板组。声波从超宽带透射型超常材料结构的一端进入，并从另一端透射而出。通过调整不同刚性边界单元中每对直挡板组中的两块直挡板间距实现对透射声波等效相位在360度范围内的连续调节。本发明的一种超宽带透射型声学超常材料，由于采用非共振式结构设计，结构简洁，声波透射效率高，可实现对超宽带透射声波的任意操控。由于本发明的超宽带透射型声学超常材料的工作频带覆盖绝大部分可听域，能够大大优化现有的传统声学超常材料面临的结构复杂、工作频带窄的问题。
一种宽带透射声学超常材料

[实用新型]一种用于工业硅浇注式定向凝固装置-CN202222352111.1有效
发明人：徐国林;王丽娜;范占军;杨瑞芬;孟范兴;柳云 -专利权人：宁夏红日东升新能源材料有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种用于工业硅浇注式定向凝固装置，装置整体为矩形体，包括保温上盖、保温塞、炉体、热电偶测温点、鼓风机构成，配合使用的有石墨漏斗、石墨垫板、盖体器具、漏斗移动夹具、硅锭出炉专用夹具及真空颗粒吸料机。保温上盖由钢制壳体、多层陶瓷纤维板构成。陶瓷纤维板置于钢制壳体内，用紧固螺栓穿过陶瓷纤维板与壳体固定连接。保温上盖中心预留一孔洞，用于石墨漏斗或保温塞安放。保温上盖顶板加强筋上对称安装4个吊环。本实用新型充分考虑工业硅矿热炉炉前场地条件，多台循环使用，非真空生产，生产能耗低、操作简单、安全无环保问题，装置整体造价低、维修量小、辅材易损消耗低，适用于规模化生产。
一种用于工业浇注定向凝固装置

[发明专利]一种面向建筑物空间分析的BIM模型轻量化方法-CN202211229342.1在审
发明人：张驰;马思宇;刘云平;齐志飞;范占军;奚春华;袁春东;王嘉琪;曹鑫亮;车明亮;张季一;杨帆;王英利 -专利权人：南通大学;南通市测绘院有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明公开一种面向建筑物空间分析的BIM模型轻量化方法，该方法主要包括轻量化族文件的创建加载、系统初始化、楼层过滤、门窗对象提取、门窗对象简化等步骤。其中，轻量化族文件的创建加载是指根据BIM模型中门窗的尺寸，手动构建简化的门窗族文件，并在BIM模型中进行加载；系统的初始化是指对系统运行中涉及的全局变量进行初始化；楼层过滤是将隶属于某个楼层的建筑构件进行过滤，剔除不属于该楼层的建筑构件；门窗对象提取是基于所过滤出的楼层，提取该楼层的所有门窗对象；门窗对象简化是借助已经存在的映射文件，加载外部轻量化的门窗族来对原有对象进行替换，以实现构件的轻量化。
一种面向建筑物空间分析 bim 模型量化方法

[发明专利]一种基于Revit API的建筑场景简化方法-CN202211261548.2在审
发明人：曹鑫亮;张驰;周蕙文;刘云平;范占军;车明亮;杨帆;张季一 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06T19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Revit API的建筑场景简化方法，本发明主要对建筑场景按需进行简化，适合于面向日照分析、室内导航、光照分析等应用的建筑场景的简化。
一种基于 revit api 建筑场景简化方法

[发明专利]一种清针高度差值的标定方法和探针台-CN202211345822.4有效
发明人：高跃红;王蕾;范占军;姜鑫;王纪彬;孙海波;李家奇;徐雨枫 -专利权人：长春光华微电子设备工程中心有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种清针高度差值的标定方法和探针台。本申请在探针台中探针相机在更换后，一些原有恒定的高度差值和/或高度值会发生变化，但是，一旦探针相机安装好后，这些发生变化的高度差值和/或高度值便会恒定下来，直到下一次更换探针相机。本申请正是利用这种规律，在更换探针相机后一次性获得一些不再变化的高度差值和/或高度值，从而在以后的标定过程中，仅通过第一垂直运动机构测量的值便可标定清针高度差值，减少了第二垂直运动机构上不确定因素对标定清针高度差值的影响。
一种高度差值标定方法探针

[发明专利]一种用于工业硅浇注式定向凝固装置与方法-CN202211079358.9在审
发明人：徐国林;柳云;范占军;孟范兴;王丽娜;杨瑞芬 -专利权人：宁夏红日东升新能源材料有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种用于工业硅浇注式定向凝固装置与方法，装置整体为矩形体，包括保温上盖、保温塞、炉体、热电偶测温点、鼓风机构成，配合使用的有石墨漏斗、石墨垫板、盖体器具、漏斗移动夹具、硅锭出炉专用夹具及真空颗粒吸料机。保温上盖由钢制壳体、多层陶瓷纤维板构成。陶瓷纤维板置于钢制壳体内，用紧固螺栓穿过陶瓷纤维板与壳体固定连接。保温上盖中心预留一孔洞，用于石墨漏斗或保温塞安放。保温上盖顶板加强筋上对称安装4个吊环，用于与炉体开合。本发明充分考虑工业硅矿热炉炉前场地条件，多台循环使用，非真空生产，生产能耗低、操作简单、安全无环保问题，装置整体造价低、维修量小、辅材易损消耗低，适用于规模化生产。
一种用于工业浇注定向凝固装置方法

[实用新型]细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备设备-CN202220437256.9有效
发明人：盛旺;范占军;杜朋轩;盛之林;谢永龙 -专利权人：宁夏高创特能源科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备设备，所述铸锭设备为多晶铸锭炉，包括上炉体、下炉体、隔热笼、石英陶瓷坩埚、顶加热器件、四周侧加热器件、碳/碳复合保温方框、石墨热交换台和非接触硅液电磁搅拌装置。通过优化多晶铸锭炉热场，增设非接触硅液电磁搅拌装置，并配合调整的多晶铸锭工艺配方参数，从而得到均匀、细小柱状晶铸锭方锭，大幅度提高大尺寸多晶结构硅靶材内在质量。
细小柱状晶硅靶材基体铸锭制备设备

[发明专利]细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备方法及其制备设备-CN202210198284.4在审
发明人：盛旺;范占军;杜朋轩;盛之林;谢永龙 -专利权人：宁夏高创特能源科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备方法及其制备设备，所述铸锭设备为多晶铸锭炉，包括上炉体、下炉体、隔热笼、石英陶瓷坩埚、顶加热器件、四周侧加热器件、石墨热交换台，在石英陶瓷坩埚外壁石墨软毡外周设置有碳/碳复合保温方框，在上炉体内壁上安装有非接触电磁搅拌装置。其铸锭制备方法步骤：（1）优化多晶铸锭炉热场均匀性；（2）增设非接触硅液电磁搅拌装置；（3）调整多晶铸锭工艺配方参数，延缓晶体生长速率。本发明采用碳/碳复合保温方框及填充石墨软毡作坩埚侧部隔热保温，较常规使用隔热材料，装拆炉更为方便快捷，且石墨软毡每次装拆都能保证厚度均匀一致，到达良好的隔热保温作用。
细小柱状晶硅靶材基体铸锭制备方法及其设备

[发明专利]一种旋转偏析提纯制备高纯金属的装置及方法-CN202110252005.3有效
发明人：王志;钱国余;范占军;盛旺 -专利权人：中国科学院过程工程研究所;宁夏高创特能源科技有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转偏析提纯制备高纯金属的装置及方法，所述装置包括金属熔化单元、旋转偏析提纯单元与输送单元；所述金属熔化单元和旋转偏析提纯单元分别独立地与输送单元连接。所述方法包括以下步骤：(1)熔化固体金属，得到金属熔体；(2)将步骤(1)所得金属熔体进行旋转偏析提纯，得到金属纯度≥4N的高纯金属。本发明提供的方法通过结晶器的高速旋转进行固液界面溶质边界层厚度的减薄和成分过冷的降低，实现了晶体稳定生长与微量杂质分凝的协同作用，从而达到了高纯金属材料规模化制备的目的。
一种旋转偏析提纯制备高纯金属装置方法

[实用新型]一种完整单球体研磨抛光装置-CN202121802255.1有效
发明人：杨少林;范占军;盛旺;黄康;卢辉;吴建栋;商润龙;李金泽 -专利权人：北方民族大学;宁夏高创特能源科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B24B37/025 文献下载
摘要：一种完整单球体研磨抛光装置，该装置包括设备机台、三个自由轨座滑台、三个电机研磨抛光组件、用于悬浮支撑球体均衡压力机构、研磨抛光液供给系统，以及PLC电控系统。所述PLC电控系统分为粗磨、精磨、粗抛、精抛四套程序。加工步骤分a.b.c.d四个步骤，在a、b、c三个步骤中，高转速值范围为150～200转/分钟，低转速值范围100～150转/分钟；在步骤d中，三电机的相同转速设置为前三步骤高低电机转速的平均值，保证球体在每一步骤中的运动速度基本相同。本实用新型采用等角均匀对称“三足鼎立”悬浮球体结构，使研磨头时刻与球体保持紧密贴合，有助于提高加工精度，通过PLC电控系统，大大提高了加工效率。
一种完整球体研磨抛光装置

[实用新型]一种旋转硅靶材薄壁深孔掏孔装置-CN202022968993.5有效
发明人： 范占军;盛之林;马晓林;盛旺;卢辉;商润龙;冯建宁 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B23B41/00 文献下载
摘要：一种旋转硅靶材薄壁深孔掏孔装置，该装置包括设备立式机架、左滚珠丝杠导轨套装、右滚珠丝杠导轨套装、上中下3个托板、4套中心自动定位找正装置、掏孔磨削刀具及变频调速减速电机、冲洗冷却水系统、操作电控系统。设备立式机架由基础大底板、两根立柱和数条弧形加强筋板构成，通过螺纹连接方式固定。其中2套中心自动定位找正装置作为刀具上下夹持导向装置，分别置于上托板下部及中拖板上部，通过3个聚氨酯滚轮同时向中心移动自动使刀具沿垂直中心定位，滚轮随刀具外圆旋转，减少超长刀具旋转摆动量，稳定控制振幅。本实用新型加工尺寸范围广，掏孔直径Ф130‑380mm，最大掏孔深度1600mm，完全满足旋转硅靶材的各种规格尺寸需要。
一种旋转硅靶材薄壁深孔掏孔装置

[发明专利]一种多晶硅离心定向凝固提纯方法与装置-CN202110901442.3在审
发明人：徐国林;范占军;王志;钱国余;马晓琳;孟范兴;柳云;杨瑞芬;曹永柱;白宇峰 -专利权人：宁夏红日东升新能源材料有限公司;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种多晶硅离心定向凝固提纯方法与装置，采用旋转离心定向凝固原理，即通过一中间腔体通有循环冷媒的冷却体以一定转速插入熔融硅液中，由于冷却体与熔融硅液存在较大温度梯度，硅液会在冷却体上凝固一层纯度高的结晶体，间隔一段时间后将冷却体与结晶体一同上升并借助外力分离，达到快速高效提纯的目的。本发明重点以2‑4N级工业硅为原料制备纯度为6‑7N级多晶硅的方法，提供一种冶金法太阳能级多晶硅的定向凝固提纯装置与定向凝固方法，该装置具有单炉产能大、除杂效果好、连续化生产，工序时间短、运行能耗低的特点，适合于规模化生产。
一种多晶离心定向凝固提纯方法装置

[发明专利]一种完整单球体研磨抛光装置及加工方法-CN202110889651.0在审
发明人：杨少林;范占军;盛旺;黄康;卢辉;吴建栋;商润龙;李金泽 -专利权人：北方民族大学;宁夏高创特能源科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： B24B37/025 文献下载
摘要：一种完整单球体研磨抛光装置及加工方法，该装置包括设备机台、三个自由轨座滑台、三个电机研磨抛光组件、用于悬浮支撑球体均衡压力机构、研磨抛光液供给系统，以及PLC电控系统。所述PLC电控系统分为粗磨、精磨、粗抛、精抛四套程序。其加工方法为：加工步骤分a.b.c.d四个步骤，在a、b、c三个步骤中，高转速值范围为150～200转/分钟，低转速值范围100～150转/分钟；在步骤d中，三电机的相同转速设置为前三步骤高低电机转速的平均值，保证球体在每一步骤中的运动速度基本相同。本发明采用等角均匀对称“三足鼎立”悬浮球体结构，使研磨头时刻与球体保持紧密贴合，有助于提高加工精度，通过PLC电控系统，大大提高了加工效率。
一种完整球体研磨抛光装置加工方法

[发明专利]一种旋转硅靶材薄壁深孔掏孔装置-CN202011456578.X在审
发明人： 范占军;盛之林;马晓林;盛旺;卢辉;商润龙;冯建宁 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B23B41/00 文献下载
摘要：一种旋转硅靶材薄壁深孔掏孔装置，该装置包括设备立式机架、左滚珠丝杠导轨套装、右滚珠丝杠导轨套装、上中下3个托板、4套中心自动定位找正装置、掏孔磨削刀具及变频调速减速电机、冲洗冷却水系统、操作电控系统。设备立式机架由基础大底板、两根立柱和数条弧形加强筋板构成，通过螺纹连接方式固定。其中2套中心自动定位找正装置作为刀具上下夹持导向装置，分别置于上托板下部及中拖板上部，通过3个聚氨酯滚轮同时向中心移动自动使刀具沿垂直中心定位，滚轮随刀具外圆旋转，减少超长刀具旋转摆动量，稳定控制振幅。本发明加工尺寸范围广，掏孔直径Ф130‑380mm，最大掏孔深度1600mm，完全满足旋转硅靶材的各种规格尺寸需要。
一种旋转硅靶材薄壁深孔掏孔装置

[发明专利]一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法-CN201610650014.7有效
发明人： 范占军;盛之林;盛旺;马晓林;谢永龙 -专利权人：宁夏高创特能源科技有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G06F17/24 文献下载
摘要：一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法，分4个步骤：1，根据硅靶材目标极性、电阻率，计算出对应硼或磷差值含量范围；2，a、根据已知不同硅原料的品质、掺杂剂种类、用量，初步配置生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量；b、选择设置生产使用的单晶炉拉晶或铸锭炉长晶参数，及有效分凝系数；3，根据定向凝固杂质分凝理论，测算得到硅晶体每段长度掺杂差值浓度分布数据，换算出相应的极性、电阻率；4，比较测算数值与硅靶材目标值，再次调整硅原料配料硼磷含量，最终确定硅晶体材料最佳利用率时配料的各项参数。本测算方法简单、快捷、可靠，可任意调节预想得到的硅靶材极性、电阻率，可实际指导生产，开拓硅料来源，大大提高产品利用率。
一种硅靶材配料调节极性电阻率测算方法

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