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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有复合中间互连器的半导体元件-CN202211273406.8在审
发明人： 范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体元件。该半导体元件包括一封装结构，该封装结构包括一第一侧和与该第一侧相对的一第二侧；一中介层结构，位于该封装结构的该第一侧上方；一第一芯片，位于该中介层结构上方；一第二芯片，位于该中介层结构上方；以及多个中间互连器，位于该封装结构的该第一侧与该第一芯片之间和该封装结构的该第一侧与该第二芯片之间。该多个中间互连器分别包括一中间外层，位于该封装结构的该第一侧和该中介层结构之间；一中间内层，由该中间外层包围；以及一空腔，由该中介层结构、该封装结构和该中间内层围成。
具有复合中间互连半导体元件

[发明专利]具有实现晶粒内连接的集成通孔的光学半导体元件-CN202210798110.1在审
发明人： 范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种光学半导体元件。该光学半导体元件具有一逻辑晶粒，包括一核心电路区以及一逻辑周围电路区；一存储器晶粒，设置在该逻辑晶粒上并包括一存储器胞区以及一存储器周围区，且一第一晶粒内(inter‑die)通孔，设置在该存储器周围区中且电性连接到该逻辑周围电路区；以及一感测器晶粒，设置在该存储器晶粒上并包括一感测器像素区以及一感测器周围区，且一第一晶粒间(intra‑die)通孔设置在该感测器周围区中并经由该第一晶粒内通孔而电性连接到该逻辑周围电路区，以及一第二晶粒间通孔设置在该感测器周围区中。该第一晶粒间通孔的一高度大于该第二晶粒间通孔的一高度。
具有实现晶粒连接集成光学半导体元件

[发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202110742319.1在审
发明人： 范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法，其是可避免微图案的塌陷。该半导体元件结构具有一第一目标结构以及一第二目标结构，设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦具有一第一氮化硼间隙子，设置在该第一目标结构上，其中在剖视图中，该第一氮化硼间隙子的一最高点是位在该第一目标结构的一中心线与该第二目标结构的一中心线之间。
半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]半导体晶粒结构及其制备方法-CN202110415851.2在审
发明人： 范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体晶粒结构及该半导体晶粒结构的制备方法。该半导体晶粒结构具有一基底、一第一支撑主链、一第二支撑主链、一第一导体块、一第二导体块、一第三导体块以及一气隙结构；该第一支撑主链设置在该基底上；该第二支撑主链设置在该基底上；该第一导体块设置在该第一支撑主链上；该第二导体块设置在该第二支撑主链上；该第三导体块设置在该基底上，并连接到该第一导体块与该第二导体块；该气隙结构设置在该第一导体块、该第二导体块以及该第三导体块之间，其中该气隙结构包括一气隙以及一衬垫层，该衬垫层是环绕该气隙设置。
半导体晶粒结构及其制备方法

[发明专利]掩模结构-CN201310185789.8在审
发明人：倪玉梅;黄浚彦;范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模结构，包括一基底；一吸收层，形成于基底上；以及一图案化反射层，形成于吸收层上。掩模结构还可包括一缓冲层、一导电涂层、或前述的组合。缓冲层可形成于吸收层及反射层之间，导电涂层可形成于基底的一背侧上。本发明的掩模结构较容易对反射层进行瑕疵检测及修复，使得循环时间及制造成本得以降低。
结构

[发明专利]对位误差的评估方法及其掩模-CN201110205744.3无效
发明人：周冠廷;范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对位误差的评估方法及其掩模，该掩模包括：多个元件区域，均匀地分布于该掩模上，各元件区域包括多个元件图案及多个当层检查图案，邻近于该多个元件图案；一对位标记，设置该掩模的边缘；其中该当层检查图案经配置以评估该掩模的图案偏移，该对位标记及该当层检查图案经配置以评估该掩模与另一掩模在一曝光工艺的对位误差。
对位误差评估方法及其

[发明专利]一种关键尺寸补偿方法-CN200810149416.4无效
发明人：陈宣克;汪美里;金持正;范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种关键尺寸补偿方法。首先，提供光源与主要光掩模。其次，提供辅助光掩模系和该主要光掩模依序排列，其包含辅助透明基板以及位于辅助透明基板中的遮蔽元件。然后，藉由光源在依序通过辅助光掩模与主要光掩模后，则可在基材中，因为该光源在通过遮蔽元件时会产生不同的反应，故可补偿元件布局图案的关键尺寸。
一种关键尺寸补偿方法

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