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[发明专利]金属膜的形成方法和成膜装置-CN201910505326.2有效
发明人： 若林哲;中込素子;山崎英亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置，能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序：向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离子体激励气体的第二气体，并通过等离子体CVD法来在所述基板上形成第一金属膜；以及在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体的第三气体以及含有所述还原气体和所述等离子体激励气体的第四气体，并通过等离子体CVD法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜。
金属膜形成方法装置

[发明专利]处理方法和基板处理系统-CN202080043533.1在审
发明人： 若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本公开提供一种处理方法和基板处理系统，向处理容器稳定地供给原料气体。一种处理方法，是基板处理系统的处理方法，所述基板处理系统具备：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；安装部，其能够装卸用于收容固体原料的原料容器；加热部，其用于使收容于原料容器的固体原料气化，来产生原料气体；载气供给部，其用于向原料容器供给载气；供给线路，其用于将原料气体随同载气从原料容器供给到处理容器；控制部，其至少控制加热部和从载气供给部供给的载气的流量中的至少一方，以控制向处理容器供给的原料气体的流量；以及决定部，其用于决定安装于安装部的原料容器的初始填充状态，其中，决定部基于工作实绩和表来决定原料容器的初始填充状态。
处理方法系统

[发明专利]成膜方法和处理系统-CN200880022486.1有效
发明人：池田太郎;若林哲;成嶋健索;波多野达夫;水泽宁;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。
方法处理系统

[发明专利]Ti膜的成膜方法-CN200880013920.X无效
发明人：成嶋健索;若林哲;善光哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种Ti膜的成膜方法，其包括下述步骤：将具有Si部分的被处理基板配置在载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有TiCl₄气体和还原气体的处理气体；通过利用高频电场形成单元形成高频电场使处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面使TiCl₄气体和还原气体发生反应，当通过该反应在被处理基板的Si部分形成Ti膜时，对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，以抑制在被处理基板的Si部分的TiSi的生成反应。
ti 方法

[发明专利]成膜方法、基板处理装置和半导体装置-CN200880004044.4有效
发明人： 若林哲;成嶋健索 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜(520)上和接触孔(530)底部的含硅表面(512)上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜(550)的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜(560)的钨膜形成工序。由此，能够防止由于钛层的变质而引起的钨膜的剥离，并且能够使阻挡层比现有技术薄，并提高生产率。
方法处理装置半导体

[发明专利]气体供给装置以及基板处理装置-CN200780029097.7有效
发明人：成嶋健索;多田国弘;若林哲;斋藤哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种气体供给装置以及基板处理装置，在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，对于从基板的中心部向外周部的气流，通过比现有技术更加均衡地整理圆周方向之间的流速分布，来抑制例如十字状的颗粒密集区域的产生，而且能够提高处理条件的自由度。设置气体供给装置的喷淋板上所穿设的气体供给孔的配置图案，使得这些气体供给孔配置在多个同心圆上，并且使同心圆上的气体供给孔和与内侧邻接的同心圆以及与外侧邻接的同心圆的各自最接近的气体供给孔不在同心圆的半径上排列。
气体供给装置以及处理

[发明专利]钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置-CN200810185711.5有效
发明人：成嶋健索;熊谷晃;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。
方法装置

[发明专利]Ti类膜的成膜方法和存储介质-CN200780017194.4有效
发明人：成嶋健索;若林哲;高山贵光 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种Ti类膜的成膜方法和存储介质，该Ti类膜的成膜方法包括：在基座上不存在晶片(W)的状态下向腔室内导入含氟的清洗气体而对腔室内进行清洗的工序(工序1)；在基座上不存在晶片(W)的状态下对基座进行加热，并从喷淋头向腔室内喷出含Ti的处理气体，至少在喷淋头的表面形成预敷膜的工序(工序2)；和之后，在已加热基座(2)的状态下将晶片载置于其上，通过向腔室(1)内供给处理气体而在晶片(W)上形成Ti类膜的工序(工序3)，其中，使基座的温度低于成膜工序时的温度进行预敷膜形成工序。
ti 方法存储介质

[发明专利]金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质-CN200810169541.1有效
发明人：成嶋健索;熊谷晃;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。
金属膜方法计算机能够读取存储介质

[发明专利]成膜方法和基板处理装置-CN200780000953.6无效
发明人：成嶋健索;天野文贵;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-07 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和基板处理装置，使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层，在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSi_x膜。在形成上述TiSi_x膜(507)的工序中，不向处理室导入氩气地多次重复下述工序：向处理室导入钛化合物气体，使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序；停止向处理室导入钛化合物气体，除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序；和向处理室导入氢气，并在处理室内形成等离子体，对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原，同时使其与Si表面的硅反应，形成TiSi_x膜(507)的第三工序。
方法处理装置

[发明专利]Ti膜及TiN膜的成膜方法以及接触结构-CN200810086981.0无效
发明人：多田国弘;成嶋健索;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-04-08 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。
ti tin 方法以及接触结构

[发明专利]Ti系膜的成膜方法和存储介质-CN200780000105.5有效
发明人：成嶋健索;若林哲;多田国弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-21 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ti系膜的成膜方法，是在收纳晶片(W)的腔室(31)内，从至少表面由含有Ni的材料构成的喷淋头(40)喷出含有TiCl₄气体的处理气体，在配置在腔室(31)内的晶片(W)的表面上形成Ti系膜时，使喷淋头(40)的温度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl₄气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl₄气体分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使喷淋头(40)的温度为200～300℃，向所述腔室(31)内导入ClF₃气体，清洁所述腔室(31)内。
ti 方法存储介质

[发明专利]半导体处理用的成膜方法-CN200810109994.5无效
发明人： 若林哲;冈部真也;村上诚志;森嶋雅人;多田国弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在第一处理后，进行稳定化处理容器内的状态的稳定化处理的工序，稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给处理容器内部，进行等离子体化；在稳定化处理后，将基板搬入处理容器内，在载置台的上面上载置基板的工序；和向处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD进行主成膜处理，由此在载置台上的基板上形成膜的工序。
半导体处理方法

[发明专利]气体处理方法和计算机可读取的存储介质-CN200680002702.7有效
发明人：成嶋健索;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明提供一种气体处理方法，使用气体处理装置，利用含有NH₃气体和H₂气体的气体对被处理体(W)进行气体处理，所述气体处理装置具备：收容被处理基板的腔室；配置在腔室内的喷淋头；向腔室内供给含有NH₃气体和H₂气体的气体的气体供给单元，腔室的覆盖层和喷淋头含有镍(Ni)。通过控制H₂/NH₃流量比和温度，抑制腔室的覆盖层和喷淋头中含有的镍的反应。
气体处理方法计算机读取存储介质

[发明专利]成膜方法和存储介质-CN200580043869.3无效
发明人：石坂忠大;五味淳;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-12-12 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。
方法存储介质

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