专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法-CN202110115195.4有效
  • 吴志明;白宇昕;李春雨;苟君;董翔;王军 - 电子科技大学
  • 2021-01-27 - 2023-10-10 - H10N60/01
  • 本发明涉及氮化铌纳米线制备技术领域,具体涉及一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法,采用优化的斜靶射频磁控溅射镀膜技术在衬底表面沉积了氮化铌薄膜;采用电子束曝光在电子束光刻层上影印氮化铌纳米线图形,采用反应离子刻蚀将图形转移到氮化铌薄膜上,得到超导氮化铌纳米线;采用反应离子刻蚀技术刻蚀转移了多孔阳极氧化铝AAO模板的氮化铌纳米线,构建超导多孔氮化铌纳米线。多孔超导氮化铌纳米线减小了纳米线的表面积,在相同有效表面积下纳米线宽度增加,降低纳米线的制备难度,同时更小的有效纳米线宽度可以使探测波长更长,得到易制备高性能的纳米线结构,可以将其用于超导纳米线单光子探测器中,为SNSPD的制备提供新思路及扩大应用范围。
  • 一种多孔超导氮化纳米及其制备方法
  • [发明专利]一种应用于智能窗的氧化钒薄膜制备方法-CN202310137379.X在审
  • 吴志明;彭诗意;董翔;王军;苟君;陈超;蒋亚东 - 电子科技大学
  • 2023-02-20 - 2023-07-07 - C03C17/245
  • 本发明涉及相变材料技术领域,具体涉及一种应用于智能窗的氧化钒薄膜制备方法。VO2是一种具有相变功能的热致变色材料,可用于智能窗领域。目前经湿法刻蚀后的VO2薄膜相变温度略有上升、表面粗糙度大幅增加;而干法刻蚀处理后得到的VO2薄膜与纯湿法刻蚀的VO2薄膜相比不仅表面更加平整光滑、相变温度有所下降,且厚度也更易调控。为了进一步提升VO2薄膜的可见光透过率、太阳光调制效率,降低其相变温度,本发明在湿法刻蚀前对VO2薄膜进行干法刻蚀处理。与现有技术相比,该方法制备得到的氧化钒薄膜获得可见光透过率、太阳光调制幅度均符合智能窗使用标准。且与纯湿法刻蚀相比,膜厚更可控、粗糙度也有所下降。
  • 一种应用于智能氧化薄膜制备方法
  • [发明专利]一种自动变径针头夹紧固定装置-CN202310038867.5在审
  • 周伟;尹宗宝;苟君;杨中竣;信德龙 - 辽宁中蓝光电科技有限公司
  • 2023-01-11 - 2023-05-30 - B05C5/02
  • 本发明涉及一种自动变径针头夹紧固定装置,包括针管支架、针头导向套、弹簧、钢珠、钢珠夹紧件、针头夹紧外壳;针头导向套内部与针头帽匹配,外部与针管支架相连,针头夹紧外壳设于针头导向套下方,与针管支架底部装卸相连,针头夹紧外壳内部设有钢珠夹紧件,钢珠夹紧件一端为锥形,锥形尖端设有多个钢珠导向槽,钢珠导向槽内置钢珠,钢珠夹紧件另一端与弹簧相连,弹簧与针头导向套或针头夹紧外壳相连,钢珠夹紧件与针头夹紧外壳松配合,使弹簧压缩时钢珠夹紧件尖端离开针头夹紧外壳,针头通过多颗钢珠间隙,弹簧回弹时钢珠夹紧件尖端靠近针头夹紧外壳,多颗钢珠共同夹紧针头,实现了钢珠间隙自动变径,对针头夹紧固定。
  • 一种自动针头夹紧固定装置
  • [发明专利]一种超导纳米线单光子探测器的制备方法-CN202010765342.8有效
  • 王军;杨明亮;苟君;李春雨;吴志明 - 电子科技大学
  • 2020-07-31 - 2023-01-31 - G01J11/00
  • 本发明涉及红外单光子探测技术领域,具体涉及一种超导纳米线单光子探测器的制备方法,具体为:在衬底基片上制备纳米线台阶结构;在具有所述纳米线台阶结构的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构;采用掩膜板A在所述超导纳米线结构的两端制备金属电极接触层;采用掩膜板B在所述超导纳米线结构和金属电极接触层上制备绝缘保护层。该制备方法通过先在衬底基片上制备纳米线台阶结构,后在具有纳米线台阶的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构,避免了对超导材料进行光刻与刻蚀加工,这种制备方法可以实现超导纳米线结构的制备并避免超导材料受到加工工艺的影响,保证超导纳米线器件的稳定性能。
  • 一种导纳米线光子探测器制备方法
  • [发明专利]一种高吸收低热容的微测辐射热计-CN202211044187.6在审
  • 陈超;蒋君贤;王涛;王军;蒋亚东;吴志明;苟君;董翔 - 电子科技大学
  • 2022-08-30 - 2022-11-29 - G01J5/02
  • 本发明公开了一种高吸收低热容的微测辐射热计,属于辐射热计领域,包括多个像元结构,所述像元结构包括依次连接的第一敏感单元、第一真空谐振腔、第二敏感单元和反射层,其中,反射层和第二敏感单元之间设有第二真空谐振腔,所述第二真空谐振腔用于将反射层反射回的入射光进行多次谐振吸收;所述第一敏感单元上设有第一开孔结构,所述第二敏感单元上均设有第二开孔结构,所述第一开孔结构用于与第一真空谐振腔产生共振耦合,所述第二开孔结构用于与第二真空谐振腔产生共振耦合。通过引入开孔设计,可以有效提升微测辐射热计吸收特性,减小热容,从而提升器件响应速度,从而制备出高质量、高吸收、具有较低电容的微测辐射热计。
  • 一种吸收热容辐射热
  • [发明专利]一种高性能忆阻器的制备方法-CN202010270967.7有效
  • 王军;刘贤超;崔官豪;杨明;苟君 - 电子科技大学
  • 2020-04-08 - 2022-04-01 - H01L45/00
  • 本发明公开了一种高性能忆阻器的制备方法,包括以下步骤:在低阻硅上组装单层胶体微球阵列,得到样片;对样片进行干法刻蚀,胶体微球阵列下方的低阻硅出现锥状柱,待胶体微球阵列减小到某一尺寸或刻蚀殆尽后时停止刻蚀;在样片上制备绝缘层,并在绝缘层上制备金属层;从底层低阻硅层和顶层金属层分别引出电极。本发明以胶体微球阵列作为掩膜版采用干法刻蚀,直接在精密抛光的低阻硅表面制备具有斜坡的三维锥状柱阵列,相比湿法刻蚀,更能保证三维图案表面的粗糙度小、图案均一性好、阵列在空间平行性高。
  • 一种性能忆阻器制备方法
  • [实用新型]一种坑式静压桩封桩支座-CN202120220060.X有效
  • 史继创;张风亮;边兆伟;员作义;田鹏刚;成浩;易术春;崔文斌;刘熙;苟君;刘岁强 - 陕西省建筑科学研究院有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-11-16 - E02D5/22
  • 本实用新型公开了一种坑式静压桩封桩支座,包括两个对称布设于所施工坑式静压桩左右两侧的千斤顶支座,所施工坑式静压桩的横截面为圆形;每个千斤顶支座均包括一个上支撑板、一个竖向支撑板、一个限位板和多个竖向加劲板,上支撑板和限位板的内侧壁上均开有一个卡装于所施工坑式静压桩外侧的圆弧形卡口,上支撑板内侧支撑于水平支撑钢板上。本实用新型结构简单、设计合理且使用操作简便、使用效果好,所采用的千斤顶支座结构简单、占用空间小且支撑简便、承压能力强,能有效解决因坑式静压桩布置较密且桩间距较小或者需要千斤顶施加较大的压桩力时导致的千斤顶支撑钢板不足以承担较大的压桩力、支撑钢板易发生严重挠曲变形等问题。
  • 一种静压桩封桩支座
  • [实用新型]桩式托换施工用千斤顶支座-CN202120221885.3有效
  • 史继创;张风亮;边兆伟;员作义;田鹏刚;成浩;易术春;张少雄;李嘉俊;刘熙;苟君;刘岁强 - 陕西省建筑科学研究院有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-11-12 - E02D37/00
  • 本实用新型公开了一种桩式托换施工用千斤顶支座,包括两个对称布设于所施工托换桩前后两侧且供主千斤顶支撑的主千斤顶支座和两个对称布设于所施工托换桩左右两侧且供副千斤顶支撑的副千斤顶支座,所施工托换桩的横截面为矩形,主千斤顶和副千斤顶均为竖向千斤顶。本实用新型结构简单、设计合理且使用操作简便、使用效果好,采用两个主千斤顶支座和两个主千斤顶支座相配合对主千斤顶和副千斤顶分别进行支撑,主千斤顶支座和副千斤顶支座的结构简单、占用空间小且支撑简便、承压能力强,能有效解决因托换桩布置较密且桩间距较小或者需要千斤顶施加较大的压桩力时导致的千斤顶支撑钢板不足以承担较大的压桩力、支撑钢板发生易严重挠曲变形等问题。
  • 桩式托换施工千斤顶支座
  • [发明专利]一种室温太赫兹焦平面阵列偏压调节电路及其使用方法-CN202010001574.6有效
  • 王军;张云逵;张江威;谢哲远;苟君 - 电子科技大学
  • 2020-01-02 - 2021-11-09 - G01J5/24
  • 本发明公开了一种室温太赫兹焦平面阵列偏压调节电路及其使用方法,该电路包括顺次连接的PC端、ASIC芯片、D/A转换器、第一二阶低通滤波电路、同相放大电路、第二二阶低通滤波电路和室温太赫兹焦平面阵列,PC端通过USB串口线与所述ASIC芯片连接。在PC端软件中输入偏压指令,在ASIC芯片的控制下,将对应偏压指令的十进制数值计算为对应的二进制数值,通过D/A转换器,将输入的二进制数字信号转化为偏压指令模拟信号,该偏压指令模拟信号输出至第一二阶低通滤波电路滤波后进入同相运算放大器进行放大处理,再经过第二二阶低通滤波器进行滤波降噪之后输入给室温太赫兹焦平面阵列。该方案提供一种可调节的偏置电压设计方法,且偏压设计电路精度高、噪声低。
  • 一种室温赫兹平面阵列偏压调节电路及其使用方法

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