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[发明专利]一种光电探测器的脉冲响应度测试方法与装置-CN202310685455.0在审
发明人：陈潇潇;王梦珂;吴伟钢;李龙;康张李;苏洁梅;曹雪颖;钟晓寅;李德维 -专利权人：中国测试技术研究院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器的脉冲响应度测试装置，包括脉冲光源、光衰减器、光纤光功率计、辅助光电探测器、被测光电探测器、示波器以及控制和数据处理模块，还提供一种光电探测器的脉冲响应度测试方法，利用上述装置设置脉冲光源的中心频率和脉冲宽度，将光脉冲信号经过光衰减器后分别输入光纤光功率计、辅助光电探测器和被测光电探测器，依次记录计算光脉冲激励源的峰值光功率和被测光电探测器的脉冲响应度，并可重复得到被测光电探测器在其他脉冲宽度下的脉冲响应度。通过上述方式解决了传统光电探测器脉冲响应度的测试方法都需要一个已知脉冲响应度的高速光电探测器，对系统的配置要求较高，系统也较为复杂的问题。
一种光电探测器脉冲响应测试方法装置

[发明专利]非晶硅光学薄膜折射率调节方法-CN201210566151.4无效
发明人：曾璞;周小燕;苏洁梅;刘从吉;陈逢彬;赖冬寅;柯尊贵;罗成思;袁菲 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提出的一个非晶硅薄膜折射率的调节方法，简单可行，折射率可调节范围较大，精度易于控制。本发明可以通过下述技术方案予以实现：在采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅薄膜中，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间；反应腔体内采用热丝控制气体温度，在辉光放电前，先将沉积室温抽真空，保持50Pa压强；然后在辉光放电沉积过程的反应室中，通入少量N2O与硅烷作为非晶硅薄膜反应气体，同时掺杂比例低于百分之十的微量氧元素；对衬底进行加热，让上下平板间出现电容耦合式的气体放电，使氧原子在非晶硅中形成载流子复合中心，将氧原子掺杂入非晶硅薄膜中，形成含氧的氢化非晶硅。
非晶硅光学薄膜折射率调节方法

[发明专利]聚酰亚胺钝化膜钝化制备工艺-CN201210566860.2无效
发明人：邱月瓴;苏洁梅;刘期斌;刘从吉;周小燕;刘小会;王鸥;胡卫英 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提出的一种聚酰亚胺钝化膜制备工艺，旨在提供一种工艺可靠，返工几率低，合格率高，易于实现的硅基光电探测器芯片表面钝化膜的制备工艺方法。本发明通过下述技术方案予以实现：在曝光和显影工序步骤之间增加显影前检查、补正胶步骤，及时对曝光后的光刻胶进行检查，对钝化区域内正胶破损的芯片，用正胶覆盖针孔和破损处，然后放入85℃的烘箱烘10min后进入下步工艺。本发明在显影前增加了一步“镜检、补正胶”工艺，虽然光刻工艺的操作步骤增多了，但是工艺质量得到很好的控制，有效消除了产生的工艺针孔，使PI-5钝化膜制作工艺一次性合格率大幅提高，减少了返工的数量，降低了成本。
聚酰亚胺钝化制备工艺

[发明专利]多象限光电探测器高低温测试系统-CN201110370352.2无效
发明人：钱煜;余永琦;周小燕;苏洁梅;王鸥;李潇;郭勇;周红轮;何伟;祁祖峰;向秋澄;柯尊贵;刘从吉;胡卫英 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01R31/01 文献下载
摘要：本发明一种多象限光电探测器高低温测试系统，用于测试多象限光电探测器在高低温条件下的电参数。它包括，一个电连接直流稳压电源的示波器，内置测试夹具的高低温箱，在示波器与所述高低温箱之间，电连接有一个带有选通控制面板的选通电路控制箱，选通控制面板上设有对应测试器件位置的数码管信号灯，高低温箱输入端相连选通电路控制箱的输出端，高低温箱输出端相连激光光源，激光光源通过光纤耦合头连接被测试器件。本发明可以一次性测试多只多象限光电探测器，相比以往每次只能测试一只器件的测试系统，可以节约大量的时间和人力。由于器件在测试时一直置于高低温箱中，可以保证其环境温度的稳定。使测试状态真实可靠。
象限光电探测器低温测试系统

[发明专利]带光子陷阱的光电探测芯片-CN201010593239.6无效
发明人：王鸥;王平秋;周红轮;郭勇;李丰;马孜;苏洁梅;何伟;石柱;钱煜;向秋澄;覃文治;李潇;刘小会;周小燕;刘从吉;柯尊贵;胡卫英 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出的一种带光子陷阱的光电探测芯片，旨在提供一种可以解决传统直接光电探测芯片元件在吸收长度较长的波长时响应速度和量子效率的矛盾限制，实现高速和高量子效率的兼容，适合各种半导体材料的芯片，增强波长范围可以覆盖芯片全部工作波长范围的光电探测芯片。本发明通过下述技术方案予以实现：它具有光电探测元件(PD)，在所述PD芯片本体(12)上制有由反射腔体和微透镜阵列构成的光子陷阱，该光子陷阱使到达芯片表面光束经过微透镜阵列进入反射腔体，局限在芯片吸收区中反复反射，直至被完全吸收。
光子陷阱光电探测芯片