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[实用新型]一种铁金粉加工废水过滤设备-CN202320641097.9有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D29/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁金粉加工废水过滤设备，包括：过滤机主体，其上端面右侧贯穿设置有进水管，所述伺服电机的输出端中部设置有皮带，所述连接杆的中部外侧设置有连接板，所述伺服电机的输出端下端面设置有连接轴；第一搅拌叶，其设置于第一衔接盘的外侧，所述连接轴的中部贯穿设置有调节杆，且连接轴的下端外侧安装有第二衔接盘，所述过滤机主体的中部内侧安装有阻隔组件，且过滤机主体的下端内侧设置有滤网。该铁金粉加工废水过滤设备，其具备双重搅拌的功能，可以对废水中的沉淀进行更加充分的搅拌，具备缓慢进行过滤的功能，可以保证滤网不会被大流量沉淀物堵塞，具备反向搅拌的功能。
一种金粉加工废水过滤设备

[实用新型]一种载金碳加工用的上料装置-CN202321050083.6有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B65G15/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种载金碳加工用的上料装置，包括：支撑脚，所述支撑脚的左端设置有挡板，且挡板的上端安装有电机，所述电机的右端连接有引导杆，且引导杆的外端设置有连接带；支撑板，其设置在支撑脚的内端，且支撑板的外端连接有连接板，所述支撑板的上端安装有安装板，且安装板的内端连接有连接栓；衔接杆，其设置在安装板的上端，且衔接杆的内端安装有引导板，所述连接带的外端安装有连接组合件，且连接组合件的上端设置有容量箱，所述连接组合件由衔定块和衔接栓构成；衔定块，其设置在连接带的外端。该载金碳加工用的上料装置，其便于上料装置内部零件的安装与拆卸，同时，有效降低了载金碳的上料过程中造成的浪费。
一种载金碳加工用装置

[实用新型]一种可避免堵塞的载金碳加工用双层多孔滤筒-CN202220036995.7有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B01D29/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可避免堵塞的载金碳加工用双层多孔滤筒，包括：顶板，其下端设置有衔接组件，且顶板和衔接组件的内部均开设有空腔，并且衔接组件的外端设置有第一滤网，所述第一滤网的外端设置有衔接网，且衔接网的内部安装有第二滤网；底板，其设置在衔接组件的下端，且顶板和底板的外端均设置有安装组件，并且安装组件的外侧安装有安装板；环板，其嵌套在衔接组件的外表面，且环板的外端设置有凸块，所述衔接组件由中芯筒和定位孔构成；中芯筒，其设置在顶板的下端；定位孔，其开设在中芯筒的内部。该可避免堵塞的载金碳加工用双层多孔滤筒，防止使用时造成堵塞，同时便于对过滤网进行更换和安装。
一种避免堵塞载金碳加工用双层多孔

[实用新型]一种可防溢出的多规格物料疏通的铁金粉加工用震动料斗-CN202220121787.7有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B65D88/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可防溢出的多规格物料疏通的铁金粉加工用震动料斗，包括：上安装料斗，其下端外侧设置有下安装料斗，且上安装料斗和下安装料斗的外侧端均设置有安装块，所述上安装料斗的内侧端开设有进料腔；安装组件，其安装于下安装料斗的上端外侧，且下安装料斗的右端外侧固定安装有支撑板，并且支撑板的外侧端设置有震动马达；衔接组件，其安装于下安装料斗的内侧上端，且下安装料斗的内壁端设置有上端与上安装料斗相互连接的输料管，所述上安装料斗的下端外侧开设有安装槽。该可防溢出的多规格物料疏通的铁金粉加工用震动料斗，上料时具有防溢出功能，从而便于更好的进行工作，同时便于对铁金粉进行均匀进料工作。
一种溢出规格物料疏通金粉工用震动料斗

[实用新型]一种具有筛选功能的铁金粉加工用原材料磨碎装置-CN202123150946.0有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B02C19/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有筛选功能的铁金粉加工用原材料磨碎装置，包括箱体，所述箱体的上侧内部固定安装有支撑块，且支撑块的上端固定连接有第一电机，所述第一电机的输出端固定安装有传动杆；活动块，其固定连接在传动杆的上侧外部，所述传动杆的下端固定安装有研磨壳，所述箱体的上部左右两侧均贯穿连接有进料管，所述箱体的中侧内部固定安装有研磨箱；第二电机，其固定连接在箱体的下部左侧，所述研磨箱的内壁和研磨壳的外部均固定安装有磨碎块。该具有筛选功能的铁金粉加工用原材料磨碎装置，便于对磨碎后的原材料进行筛选，防止不符合要求的材料与符合要求的材料混合，避免影响质量，并且对原材料的磨碎效果好。
一种具有筛选功能金粉工用原材料磨碎装置

[实用新型]一种利用磁性吸附处理的铁金粉加工用沉降槽-CN202123310801.2有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用磁性吸附处理的铁金粉加工用沉降槽，包括：安装箱，所述安装箱的上端安装有沉降池，且沉降池的上端连接有进料管，所述沉降池的内部开设有第一沉降分离槽，且第一沉降分离槽的右侧设置有第二沉降分离槽；第一下料管，其连接在第一沉降分离槽的下端并设置在安装箱的内部，所述第一下料管的左侧设置有安装在安装箱内部的碾磨机构；传送带，其安装在碾磨机构的下方，所述传送带的外表面设置有磁铁片。该利用磁性吸附处理的铁金粉加工用沉降槽，便于分散大小铁金粉颗粒，同时便于对较大粉末颗粒进行处理，且沉降效果较好，解决了现有的铁金粉加工用沉积槽不便于对铁金粉进行分离的问题。
一种利用磁性吸附处理金粉工用沉降

[实用新型]一种基于载金碳加工的洗涤冷却塔用均匀喷淋机构-CN202123031654.5有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： F25D1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于载金碳加工的洗涤冷却塔用均匀喷淋机构，包括塔体，其内部下侧固定安装有水箱，且塔体的内部中侧固定安装有安装板，所述水箱的内部均匀安装有滤网，且水箱的上端安装有衔接块；盖板，其安装在塔体的上端，且盖板的外侧螺纹连接有固定杆，所述盖板的内部连接有安装机构，且盖板的中部安装有进水管；移动杆，其安装在塔体的外侧，且塔体的内部上侧安装有连接板，所述连接板的下端均匀安装有喷嘴，所述衔接板的内部中侧固定安装有分流块。该基于载金碳加工的洗涤冷却塔用均匀喷淋机构，方便对喷淋机构进行安装，方便对载金碳进行均匀喷淋，且方便对喷淋后的水流进行回收利用。
一种基于载金碳加工洗涤冷却塔均匀喷淋机构

[实用新型]一种基于水流疏通的自清理防堵塞型铁金粉生产用沉降槽-CN202122851325.9有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2021-11-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B01D21/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于水流疏通的自清理防堵塞型铁金粉生产用沉降槽，包括：沉降槽外壳，其下端安装有用于支撑的支撑机构，所述导液管的上端安装有高压喷头；过滤网槽，其设置于高压喷头的上侧，且高压喷头的下侧设置有安装于沉降槽外壳内的限位环，所述过滤网槽的下侧安装有第一出料口，且过滤网槽的上端安装有用于钩取的第二钩环；封盖，其设置于第二钩环的上侧，且封盖的上端安装有第一钩环，所述封盖的下侧安装有搅拌机构。该基于水流疏通的自清理防堵塞型铁金粉生产用沉降槽，能够利用水流进行自清理，避免沉降槽内发生堵塞，且能够增加絮凝剂与待处理液体进行搅拌，增加效率。
一种基于水流疏通清理堵塞金粉生产沉降

[实用新型]一种防扬尘的铁金粉加工用粒料筛分装置-CN202122460335.X有效
发明人：苏晋漍;亢艺琼;亢君峰;苏晋德;雒小军 -专利权人：甘肃鑫润环保科技有限责任公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B07B1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防扬尘的铁金粉加工用粒料筛分装置，包括处理箱，所述处理箱的下端固定安装有固定支腿，且处理箱的下端设置有塞子，所述处理箱的内部下侧设置有引流板，且处理箱的内部左端固定安装有驱动组件；第一筛分板，其设置在驱动组件的右端上侧，所述第一筛分板的下方设置有与驱动组件相连接的第二筛分板，且第二筛分板和处理箱的连接处设置有安装块；外框体，其固定安装在处理箱的上端，所述外框体的上方设置有防尘盖，所述外框体的内部右侧安装有第二驱动电机。该防扬尘的铁金粉加工用粒料筛分装置，有利于根据需要进行定量输入，避免灰尘飞扬，能够进行有效的筛分，且提高了该装置的实用效果。
一种扬尘金粉工用筛分装置

[发明专利]应变沟道半导体器件的制造-CN201210358268.3有效
发明人：郑振辉;陈柏宁;苏晋德;何皇昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了一种用于控制IC器件应变的方法以及由此形成的器件。示例性实施例包括：接收具有与IC器件相对应的器件区的IC器件衬底。对器件区实施注入工艺以在器件区内形成非晶区。使IC器件衬底凹陷以在器件区中限定源极/漏极凹槽，该源极/漏极凹槽具有通过非晶区的非晶结构确定的轮廓。然后实施源极/漏极外延以在源极/漏极凹槽内形成源极/漏极结构。本发明提供了应变沟道半导体器件的制造。
应变沟道半导体器件制造

[发明专利]半导体元件与其形成方法-CN201110263232.2有效
发明人：郑振辉;冯家馨;王世维;苏晋德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明一实施例提供具有不对称的应变源极/漏极区的半导体元件与其形成方法，包含提供基板并形成多晶硅栅极堆叠于基板上。接着以垂直基板的方向为准，倾斜约10°至25°进行注入工艺。接着形成侧壁间隔物于基板上的多晶硅栅极两侧。蚀刻基板中的源极/漏极区后，分别沉积应力源极层与应力漏极层于基板中的蚀刻区域中。如此一来，在多晶硅栅极堆叠两侧形成不对称的应力源极层与应力漏极层。接着自基板移除多晶硅栅极堆叠，并以栅极后制工艺形成高介电常数的介电层与金属栅极于多晶硅栅极堆叠被移除的位置。本发明的上述不对称的源极/漏极结构能够增加元件效能如驱动电流或漏电流。
半导体元件与其形成方法

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