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[发明专利]一种大功率放大器的输入电路、装置及系统-CN202210178659.0在审
发明人：张勇;马强 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率放大器的输入电路，所述输入电路设置于输入端与放大器的控制端之间，所述输入电路包括阻抗匹配网络、相位平衡网络和谐波相位调谐网络，所述阻抗匹配网络用于阻抗匹配，所述相位平衡网络用于均衡多路径信号的合成相位，所述谐波相位调谐网络用于调节高频端二次谐波阻抗的相位和幅度，所述阻抗匹配网络、相位平衡网络和谐波相位调谐网络协同对基波阻抗进行匹配。可以方便实现基波阻抗匹配，还能够均衡支路相位，减小功率合成损耗，优化谐波调制效果。从而提升功率器件的功率和效率。
一种大功率放大器输入电路装置系统

[发明专利]一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器-CN202011590232.9有效
发明人：张勇 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器，包括：主放大器，至少一个辅助放大器，所述主放大器的输出端和辅助放大器的输出端分别连接一平衡网络；所述平衡网络包括依次串联的感性元件、传输线和短截线，所述感性元件串联传输线，所述传输线连接短截线，所述短截线的自由端开路。去除了传统平衡网络中的隔直电容，减少了损耗。短截线的等效电容值与传统隔直电容相比大大减小，从而增加了视频带宽。
一种具有新型平衡网络宽带多赫蒂功率放大器

[实用新型]一种新型塑料空腔功率放大器的封装管壳-CN202320289361.7有效
发明人：刘长春 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型塑料空腔功率放大器的封装管壳，包括热沉，所述热沉上设置有第一塑料框，所述第一塑料框上设置有金属管脚，所述金属管脚上设置有第二塑料框，所述热沉、第一塑料框、金属管脚和第二塑料框间通过粘接胶结合形成一个封装管壳。将管壳金属热沉与金属管脚中间起绝缘作用的陶瓷框和最终密封用的陶瓷盖帽替换成高耐温、低吸湿的塑料材料，大大降低了材料成本，并且不需要高温高压焊接工艺降低了制造成本。
一种新型塑料空腔功率放大器封装管壳

[发明专利]一种宽带高效率多赫蒂放大器-CN201810384881.X有效
发明人：张勇 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带高效率多赫蒂放大器，包括：输入，输出，主放大器，及至少一个辅放大器，所述主放大器的输出节点通过宽带高阻变换网络与辅放大器的输出节点连接，所述主放大器的输出节点连接主路寄生参数平衡网络，所述辅放大器的输出节点连接辅路寄生参数平衡网络，将辅放大器的输出节点作为输出。在保证高效率同时有效提升其宽带性能。
一种宽带高效率多赫蒂放大器

[发明专利]一种紧凑型集成多赫蒂放大器-CN201810385233.6有效
发明人：张勇 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种紧凑型集成多赫蒂放大器，包括：输入，输出，主放大器，及至少一个辅放大器，所述主放大器的输出节点通过高阻变换线与辅放大器的输出节点连接，所述高阻变换线还连接寄生参数平衡网络，将辅放大器的输出节点作为输出。能够很大程度地减少多赫蒂电路的匹配元件，节省面积，易于集成，并且能够减小整个电路的损耗，提升多赫蒂电路的性能。
一种紧凑型集成多赫蒂放大器

[发明专利]一种功率放大器的输出电路-CN202010396964.8有效
发明人：张勇 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率放大器的输出电路，包括：与有源器件连接的输出网络，所述输出网络包括阻抗匹配网络，及偏置平衡网络；所述偏置平衡网络通过第一键合线组连接有源器件芯片的输出端；所述阻抗匹配网络通过第二键合线组连接有源器件芯片的输出端；所述偏置平衡网络包括与传输线连接的第一接地电容，所述第一键合线组连接所述传输线的一端；所述有源器件芯片的输出端到第一接地电容间的等效电感，与有源器件的漏源寄生电容组成第一谐振回路。利用传输线与键合线组，与有源器件的漏源寄生电容形成谐振回路，从而起到平衡有源器件的漏源寄生电容的作用，减少了匹配网络的元件，降低了放大器的尺寸空间和成本。
一种功率放大器输出电路

[发明专利]一种高视频带宽的射频功率放大器-CN201910097927.4有效
发明人：马强;张勇 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高视频带宽的射频功率放大器，包括：功率器件和散热板；所述功率器件包括载体法兰，所述载体法兰上贴装有晶体管和解耦电路模块，所述晶体管与解耦电路模块通过引线连接；所述功率器件焊接固定在散热板的上方；其中，所述解耦电路模块至少包括第一电容、第二电容和阻尼电阻，所述阻尼电阻连接第一电容和第二电容，所述第一电容、第二电容和阻尼电阻由多层共烧陶瓷材料堆叠制成，所述第一电容与阻尼电阻的电感形成视频LC谐振电路，所述第二电容串联阻尼电阻和引线形成的电感之后与电路中的串联等效电感Ls组成超低频谐振电路。加工工艺简单，体积小，同时实现视频带宽的最大化。
一种视频带宽射频功率放大器

[发明专利]半导体功率器件-CN201710177051.5有效
发明人：马强 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体介质层内设有源、漏、栅以及从栅向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少一个漏极场板，与栅相邻的第一漏极场板设置有一肩部，所述肩部在漏漂移区上向栅方向延伸与栅重叠，所述肩部与栅重叠长度不大于0.2um，所述栅和肩部上方设置有栅极场板，所述栅极场板接地。缓解了栅漏电容Cgd与寄生电容Cgs和Cds之间的矛盾，改善了放大器器件的性能。
半导体功率器件

[发明专利]一种基于分立器件的宽带分布式放大器及其制作方法-CN202111307740.6在审
发明人：张宏鹤;张勇 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分立器件的宽带分布式放大器，包括载体法兰，所述载体法兰上设置有多个分立器件，所述分立器件包括至少一个放大器、电阻和电容，所述放大器、电阻和电容间通过金属引线连接，所述金属引线作为宽带分布式放大器的传输线。可以减少高成本的半导体芯片的面积，大大的缩减了成本，采用封装金属引线代替MMIC方式的片上电感，使得调试更加方便。
一种基于分立器件宽带分布式放大器及其制作方法

[发明专利]一种功率放大器的超宽带输入匹配电路、装置及系统-CN202111305056.4在审
发明人：张勇 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率放大器的超宽带输入匹配电路，包括输入端和具有控制端的放大器，输入端与控制端之间设置有宽带输入匹配电路，宽带输入匹配电路至少包括带互感的桥接网络和吸收网络，带互感的桥接网络包括相互耦合的第一电感、第二电感及桥接串联电容，第一电感、第二电感及桥接串联电容依次串联，第一电感的一端连接输入端，第一电感的另一端连接放大器的控制端，第二电感与桥接串联电容的连接端连接吸收网络，吸收网络的另一端接地。该宽带输入匹配电路能够兼顾低频和高频特性，频段可以覆盖HF到4GHz，在整个频段内都具有良好的驻波特性和增益补偿特性，能够很好地实现超宽带特性，甚至在高于4GHz频段也具有一定的性能优势。
一种功率放大器宽带输入匹配电路装置系统

[实用新型]一种大功率射频功率器件的预塑封基板及封装结构-CN202222712180.9有效
发明人：刘长春 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率射频功率器件的预塑封基板及封装结构，包括金属框架和塑封料，所述塑封料通过注塑与所述金属框架结合，所述金属框架分层设置，上层金属框架设置有芯片贴片焊盘和焊线键合焊盘，所述芯片贴片焊盘设置于所述塑封料的中部，所述焊线键合焊盘位于所述芯片贴片焊盘的四周，所述芯片贴片焊盘四周均匀设置有凹凸台阶结构，下层金属框架设置有接地焊盘和电路焊接管脚，所述接地焊盘设置于所述塑封料的中部，所述电路焊接管脚位于所述接地焊盘的四周。适用于大功率射频功率器件，可以提高引线框架与塑封料之间的粘附性，制造成本低，可靠性高。
一种大功率射频功率器件塑封封装结构

[发明专利]一种高视频带宽射频功率器件及其制作方法-CN202110796172.4在审
发明人：张勇;马强;卓英浩;罗晚会 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种高视频带宽射频功率器件，包括载体法兰，设置于载体法兰的至少一个放大器，所述放大器包括功率晶体管，所述放大器包括还包括设置于载体法兰的内匹配电路和视频带宽拓展电路模块，所述内匹配电路包括设置于输入端的输入匹配电容和设置于输出端的输出匹配电容，所述视频带宽拓展电路模块包括载板，所述载板上设置有拓展电路，所述功率晶体管输出端到视频带宽拓展电路模块中的接地端的综合等效电感与功率晶体管的源漏寄生电容及输出匹配电容的综合等效电容形成谐振回路。在提高射频功率器件的视频带宽的同时降低了装配的复杂度，并且不会带来器件成本的大幅提升。
一种视频带宽射频功率器件及其制作方法

[发明专利]一种低寄生电容的晶体管及其制备方法-CN202110449496.0在审
发明人：马强;肖智敏 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种低寄生电容的晶体管，包括衬底、设置于衬底第二表面的接地金属层、设置于衬底第一表面的外延层、及设置于外延层上的电极层，所述外延层包括栅极区、源极区及漏极区，所述源极区的电极层和漏极区的电极层包括欧姆接触层及设置于所述欧姆接触层上的上层金属层，对漏极区的一部分区域进行掺杂，使该区域外延形成绝缘区。在漏极区部分区域形成高阻绝缘区，明显地降低了源漏寄生电容，提高了射频器件的射频性能。
一种寄生电容晶体管及其制备方法

[发明专利]一种片上集成RC电路的射频芯片-CN202011189666.8在审
发明人：马强;肖智敏 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成RC电路的射频芯片，包括衬底和外延层，设置于外延层上的有源区，所述外延层上在有源区的栅极与输入金属焊盘之间设置有多组电阻电容组合结构，所述电阻电容组合结构的电阻和电容并联，所述有源区的栅极通过电阻电容组合结构后连接输入金属焊盘。片上集成RC电路的射频芯片，在芯片内部集成RC电路，提高了射频功率器件在低频和高频的增益及鲁棒性。
一种集成 rc 电路射频芯片

[发明专利]一种大功率射频器件的封装结构和封装方法-CN202010711078.X在审
发明人：卓英浩;肖智敏;竹磊 -专利权人： 苏州远创达科技有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率射频器件的封装结构，包括多个并联的射频功率芯片和封装法兰，所述多个射频功率芯片倾斜设置在封装法兰的封装内腔内，减少射频功率芯片的输入引线数量，使得输入引线和输出引线在空间上不交叠。多颗芯片倾斜排列在封装法兰上，显著提高了封装空间利用率，达到更大功率输出目的。通过少量减少中间射频功率芯片的输入引线数量，可以使输出引线不会有减少，可以保障大功率应用过程的可靠性，而且避免了输入引线和输出引线在空间上的大面积交叠，降低互感有效避免射频功率器件发生震荡。
一种大功率射频器件封装结构方法

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