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[发明专利]一种车辆行驶引导控制系统及方法-CN202310904164.6在审
发明人：张泽;臧春和;谢尚策;张洁华 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G08G1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆行驶引导控制系统及方法。系统包括：分析模块和与分析模块连接的信号显示模块；分析模块，用于分析当前路段的道路信息并生成引导信号发送至信号显示模块；引导信号包括引导区域长度和引导速度；信号显示模块设置于距前方交叉口预设距离的道路的路旁，用于显示引导信号，从而引导车辆在绿灯时通过交叉口。本发明通过在交叉口预设距离的道路旁设置信号显示模块，根据显示模块显示的引导信号，引导汽车调节车速，以便在绿灯时通过交叉路口。本发明通过引导汽车调节车速来配合红绿灯的时长，可以兼顾来自交叉路口的四个方向的车辆，避免发生拥堵。
一种车辆行驶引导控制系统方法

[发明专利]一种太阳能最大功率点追踪方法及装置-CN202310754368.6在审
发明人：张泽;臧春和;谢尚策;朱智成 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G05F1/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能最大功率点追踪方法及装置，方法包括：分别获取当前位置与前一位置光线受体的功率Pt与Pt‑1；根据Pt与Pt‑1的差值，确定光线受体的转动方向，并根据步长调整光线受体的位置；当光线受体的连续转动次数达到第一预设值时，更新步长；当更新后的步长达到第二预设值时，确定太阳能最大功率位置。本发明通过预设步长和方向，驱动光线受体移动并检测移动过程中光线受体接收功率的变化情况，然后根据变化情况调整运动方向和步长，从而逐步靠近太阳能功率最大点，本发明的追踪范围不受限制，并且步长可以根据测量精度需要进行设置，故本发明的计算精度高，适用场景更广。
一种太阳能最大功率追踪方法装置

[发明专利]光伏制氢装置及其制备方法-CN202310350054.X在审
发明人： 臧春和;王斌;谢青秀;李旭 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C25B9/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏制氢装置及其制备方法，其中装置包括制氢模块、第一电极和第二电极；制氢模块包括多个层叠设置的制氢单元；每个制氢单元包括由下至上依次层叠设置的重掺杂n型半导体衬底、n型半导体膜、本征半导体膜、p型半导体膜和重掺杂p型半导体膜；第一电极与制氢模块的最上层制氢单元的重掺杂p型半导体膜连接；第二电极与制氢模块的最下层制氢单元的重掺杂n型半导体衬底连接。本发明的制氢模块由多个半导体同质pn结串联而成，可以获得足够高裂解氢的电位，使在阴极和阳极两个电极分别析出氢气和氧气，光能利用率高、光伏制氢效率高、成本低、无催化剂、使用水作为反应物，经济、环保，可以实现工业化大规模制氢。
光伏制氢装置及其制备方法

[发明专利]可调输出电流的薄膜晶体管-CN202310390524.5在审
发明人： 臧春和;王斌;何天琦;谢尚策 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调输出电流的薄膜晶体管，包括呈水平圆周转动的第一绝缘柱、套设于第一绝缘柱外并与第一绝缘柱同轴的第二绝缘柱和多个金属栅极叶片；每个金属栅极叶片的一端与第一绝缘柱的轴线连接，另一端设置有多个高介电常数的栅极绝缘介质层；每个金属栅极叶片上的栅极绝缘介质层的数量相同，位置对应，使同一水平线上，每个金属栅极叶片上均具有栅极绝缘介质层；位于同一水平线上的栅极绝缘介质层的材质不同；第二绝缘柱的内壁设置有半导体薄膜以及与半导体薄膜连接的源极和漏极，半导体薄膜与栅极绝缘介质层位于同一水平线上。本发明可通过第一绝缘柱的转动，改变栅极绝缘介质层的材质控制输出电流的大小，其控制更为精确且操作简单。
可调输出电流薄膜晶体管

[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法和应用-CN202310060010.3在审
发明人： 臧春和;王斌 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法和应用，场效应晶体管包括金属栅极、绝缘层、半导体基底和金属电极；金属栅极的同一侧表面上设置多个凸起，多个凸起的一端连接在一起；绝缘层设置于金属栅极带有多个凸起的表面上；半导体基底上开设有凹槽，金属栅极设置于凹槽内，且绝缘层与凹槽相接，凹槽的形状与金属栅极带有多个凸起的表面的形状相匹配；金属电极设置于半导体基底上。本发明利用不同绝缘层的界面结构对沟道的影响，制备出新型的晶体管结构：一个栅极、一个源极、多个漏极，有多路电流的输出，在将其用作电子开关时，能控制多条开关支路，控制效率高，适用范围广。
一种场效应晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种基于脸型轮廓的摄像测距方法-CN202310116872.3在审
发明人：张泽;臧春和;谢尚策;陈忠春;李旭;赵振宇;曹加 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脸型轮廓的摄像测距方法，包括：构建目标人物正面脸部特征的标准化坐标图像；截取测量范围内的目标人物的人脸图片，在人脸图片上建立面部坐标图像；通过标准化坐标图像对面部坐标图像进行矫正，在矫正后的面部坐标图像中获取双眼间距；根据双眼间距计算目标人物与相机的实际距离。本发明预先建立数据库，标准化目标人物图像，当进入实测范围内的目标人物面部具有一定倾角时，采用简单算法还原面部特征，快速准确的获得实际距离，为特定场合争取宝贵时间。本发明采用建立面部特征的坐标图像，使测距方法不单纯依靠双眼间距的直接测量实现，可以通过面部特征间的比例关系，间接获取双眼间距，继而扩大测量范围。
一种基于脸型轮廓摄像测距方法

[发明专利]立体补光暗室及自动检测装置-CN202310061748.1在审
发明人：张泽;臧春和;谢尚策;陈忠春;赵振宇;何天琦 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种立体补光暗室及自动检测装置，其中立体补光暗室包括框架、控制器和多块补光屏；框架上设置有多块补光屏，组成一个一端开口的暗室；多块补光屏的屏幕朝向暗室内部，用于为暗室补光；控制器与多块补光屏连接，用于控制每块补光屏的补光参数。自动检测装置包括传送单元、摄像单元和上述立体补光暗室；立体补光暗室设置于传送单元的上端，且立体补光暗室的开口朝向传送单元；摄像单元设置于立体补光暗室内，用于采集传送单元上放置的待测元器件的表面图像。本发明可实现立体补光，且由于所使用的补光屏为液晶屏或者投影屏，因此光源位置可做到实时可调，从而达到最佳的补光效果，不会受到障碍物的影响，补光效果佳，调节速度快。
立体暗室自动检测装置

[发明专利]悬臂式探针台-CN202211130801.0在审
发明人： 臧春和;王斌;林敏;刘如意 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬臂式探针台，包括悬臂组件和与悬臂组件连接的探针组件；探针组件包括连接件、探针挂臂、多个探针夹具和设置于每个探针夹具上的探针；连接件的一端与悬臂组件连接，另一端与探针挂臂连接；探针夹具沿探针挂臂的延伸方向依次设置，且探针夹具与探针挂臂固定连接。本发明的悬臂式探针台可以用一个悬臂悬挂多根探针，使多根探针呈阵列排布，从而实现多个纳米器件的同时测试，测试效率高，且由于多个探针共用一个探针座、一个悬臂，从而可最大限度地节约空间。在光电耦合的测试模式下，多个探针具有相同的入射角度可以保证光功率的一致性，使光电耦合测试数据避免了由于光功率差异引起的波动，使获得的测试数据更具有实验价值。
悬臂探针

[发明专利]一种场效应管及其制备方法-CN202210813678.6在审
发明人： 臧春和;王斌 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应管及其制备方法，其中场效应管包括半导体层、两个电极组和设置于半导体层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅极；两个电极组分别设置于半导体层相对的两侧边；每个电极组包括沿半导体层的侧边依次设置的第一电极、第二电极和第三电极，每个电极均与半导体层连接；电极组中的每个电极的功函数均大于半导体层的功函数，且第二电极的功函数不等于与其相邻的电极的功函数。本发明增强型的场效应管具有开启电压小、响应速度快、开关比较大的优点。本发明耗尽型的场效应管，可实现第二电极内电子向外净流出，降低了关态电流，开关比较大。
一种场效应及其制备方法

[发明专利]一种光控忆阻器及其制备方法-CN202210487825.5在审
发明人： 臧春和;王斌 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光控忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，能够增大现有忆阻器的叠层密度并减小其功耗。所述光控忆阻器包括依次堆叠设置的第一光源层、忆阻器阵列层和第二光源层；所述忆阻器阵列层包括呈阵列分布的多个忆阻器器件；所述第一光源层包括呈阵列分布的多个第一发光器件；所述第二光源层包括呈阵列分布的多个第二发光器件；所述忆阻器器件、所述第一发光器件和所述第二发光器件均一一对应；所述第一发光器件用于发射第一波段光；所述第一波段光用于控制对应的所述忆阻器器件开启；所述第二发光器件用于发射第二波段光；所述第二波段光用于控制对应的所述忆阻器器件关闭。
一种光控忆阻器及其制备方法

[发明专利]获得平整固液界面的晶体生长方法及装置-CN201410242290.0有效
发明人：臧春雨;臧春和;李毅;姜晓光;覃检涛 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体的方法以及装置，该装置发热体的电极位于发热体上方，发热体的电极穿过保温层，并经由保温层外侧引出到炉体外面。发热体的电极由坩埚上方远离冷区和热区交界面的位置引出，可避免电极连接于发热体下方时，电极热传导对固液界面处温场结构的影响。发热体最下方的等电位环具有提供轴向均匀对称温场的效用。由带散热屏的石墨隔板在固液界面处形成的冷阱，可以获得晶体生长必需的温度梯度，可以使固液界面在整个晶体生长的过程中保持平界面或者向上微凸形状的界面，生长出内部缺陷少的高质量氟化物晶体。
获得平整界面晶体生长方法装置

[发明专利]下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置-CN201410242310.4有效
发明人：李毅;臧春雨;姜晓光;臧春和;万玉春 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种采用坩埚下降法生长特定方向晶体坩埚底部装夹籽晶的方法和装置，当在坩埚底部安放特定方向的籽晶时，为确保籽晶的方向精度能够在晶体生长过程中得到保持，将坩埚底部脖颈安放籽晶处加工成圆锥孔，同时将籽晶加工成圆锥体，二者具有相同的锥度，籽晶安放在圆锥孔中时，可最大限度地保持籽晶原有的方向精度。同时由于坩埚底部压紧螺帽的夹紧作用，使籽晶被牢固地夹紧在圆锥孔中，避免了生长过程中籽晶晃动和脱落的情况发生。在籽晶的外部均匀地包裹一层石墨纸，石墨纸具有一定的弹性，预防当籽晶材质具有大于坩埚材质的热膨胀系数时引起坩埚胀裂，该方法和装置可用于在真空条件下生长具有特定方向的碱土氟化物晶体。
下降生长晶体坩埚底部籽晶方法装置

[发明专利]下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置-CN201410242306.8在审
发明人：李毅;臧春雨;臧春和;姜晓光;覃检涛;崔凤泰;万玉春 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种定向生长氟化物晶体的装置和方法，采用下降法在真空条件下生长特定方向氟化物晶体时，在坩埚脖颈部的孔中安放有特定方向的籽晶，为确保在晶体生长初期籽晶熔化一部分，采用在坩埚脖颈外侧安装伞形反射屏的方法来保证籽晶下部不被熔化掉；采用非接触式光测高温计对籽晶的温度进行实时监控，确保籽晶的上部充分熔化，而下部保持不熔化状态，在此条件下才能够定向生长出单晶。本发明提出的加装伞形反射屏装置以及采用光测高温计在晶体生长最初阶段测量温度，可以有效地保证籽晶在生长特定方向氟化物单晶的最初阶段刚好熔化掉三分之一至一半，在继续生长的过程中，温度控制部分的传感器切换到热电偶来控温，直至晶体生长结束。
下降法定生长氟化物晶体方法装置

[发明专利]多发热单元的晶体生长装置及方法-CN201410241453.3在审
发明人：臧春雨;臧春和;李毅 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体的方法和装置，该装置的热区是由三个独立的发热单元构成的，每个发热单元包括热电偶、单相功率调节器、温度控制器等。这三组发热单元同时工作，独立控温，共同构成晶体生长炉内的发热区。通过对这三组发热单元温度分别设定，可在晶体熔体内建立沿着坩埚轴向向上的温度梯度。这种温场结构有利于避免坩埚内熔体产生对流，减小晶体内部气泡和杂质在轴心聚集。该装置的冷区采用石墨保温筒，避免冷区的温场由于电极的存在而导致轴向温场不对称，可以有效地保证固液界面处温场的均匀与轴向旋转对称，有利于获得平滑的固液界面，从而使所生长的晶体具有较小的内应力和较小的应力双折射，提高晶体的质量。
多发单元晶体生长装置方法

[发明专利]生长CaF2晶体调节温场结构的方法及装置-CN201310644986.1在审
发明人：臧春雨;臧春和;李春 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用下降法在真空条件下生长CaF2晶体的方法和装置。当采用下降法生长直径较大的CaF2晶体时，实现对坩埚内温场结构的有效控制变得越来越困难，为了获得生长高质量单晶所需要的平固液界面或者向上微凸形状的固液界面，采用一种可调节固液界面处温场结构的方法和装置，来增加晶体生长过程中固液界面处温场的可调节性。该装置由石墨下降杆和位于石墨下降杆内可移动的不锈钢水冷杆组成。在晶体生长过程中，通过不断调整石墨下降杆和水冷不锈钢杆的相对位置，可使坩埚中固液界面处的温场结构得到调整，使固液界面在整个晶体生长的过程中保持平界面或者向上微凸形状的界面，可以有效地减小所生长晶体的内应力，提高晶体的质量。
生长 caf2 晶体调节结构方法装置

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