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[发明专利]一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器-CN202310691460.2在审
发明人：胡浩;王红莉;胡昌宇;沈晓安 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器。该波导结构，由波导、下电极层、绝缘体层和栅极组成，从下到上依次由所述下电极层、所述绝缘体层和所述栅极构成的三明治结构位于所述波导的上方；所述波导为无掺杂的单晶硅，所述下电极层为导电硅材料。采用该波导结构制备得到的相位调制器，保持了下电极层高迁移率且掺杂浓度和厚度高度更加可控，相对于现有的采用整个硅波导作为下电极，能够避免在非有效调制区域引入高载流子浓度以及造成额外的光学损耗，整体损耗低、功耗低，且具有较好的相位调制效果。
一种集成 moscap 波导结构包含相位调制器

[发明专利]硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件-CN202310498366.5在审
发明人：王红莉;沈晓安;应豪;胡昌宇 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N30/072 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件，在第一衬底上形成光学器件，以形成光学器件结构；将光学器件结构的光学器件一端与第二衬底进行键合；对第一衬底进行减薄处理，并进行平坦化操作；在减薄处理后的第一衬底表面上集成压电元件；对第一衬底与压电元件进行介质填充，并形成介质层；将介质层与驱动电路连接，以形成压电控制器件。可以在硅光工艺的后端采用键合的方式，在已经形成光学结构的衬底反面与压电晶片集成，进行了键合后的压电控制器件工艺容忍度也随之提高，可与现有工艺兼容，且对现有硅光工艺影响小，有利于大规模生产，并且降低了生产过程中的工艺难度，也从而提高了产品良率。
控制器件集成方法

[发明专利]一种高致密度、成分可控的高硅铝合金材料及制备方法-CN202111629092.6有效
发明人：黄陆军;张财伟;安琦;陈润;王存玉;胡昌宇;王帅;耿林;张宏伟 -专利权人：哈尔滨工业大学;辽宁中科博研科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明属于合金加工技术领域，公开了一种高致密度、成分可控的高硅铝合金材料及制备方法。其中，制备方法包括如下步骤：将AlMgSi10合金粉与硅粉混合后经多段热压烧结制备得到AlMgSiX合金，其中X大于10。本发明的高硅铝合金材料具有较高的强度、弹性模量和致密度。
一种致密成分可控铝合金材料制备方法

[发明专利]一种Nb‑Ti‑ZrB2‑SiC复合材料及其制备方法-CN201610034976.X有效
发明人：刘雷社;范信江;张伟;樊强博;胡昌宇 -专利权人：西安航天新宇机电设备厂
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：本发明属于复合材料制备技术领域，具体涉及一种Nb‑Ti‑ZrB2‑SiC复合材料及其制备方法。该复合材料由以下质量百分比的物质组成Ti 5％～20％，ZrB2 10％～30％，SiC 5％～15％，余量为Nb。其制备方法为一、将钛粉、硼化锆粉、碳化硅粉和铌粉球磨混合均匀后烘干，粉碎后得到混合粉料；二、将混合粉料进行放电等离子烧结。该复合材料的室温断裂韧性为8MPa·m1/2～15MPa·m1/2，在1600℃条件下的抗拉强度为175MPa～325MPa，在1600℃空气环境中氧化100后材料损失为0.072mg/cm2～0.028mg/cm2，能够应用于1600℃的空气环境中。
一种 nb ti zrb sub sic 复合材料及其制备方法

[发明专利]一种Mo‑Si‑B‑Ti‑Zr‑Al‑Nb复合材料及其制备方法-CN201610035954.5有效
发明人：刘雷社;樊强博;范信江;张伟;胡昌宇 -专利权人：西安航天新宇机电设备厂
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种Mo‑Si‑B‑Ti‑Zr‑Al‑Nb复合材料及其制备方法。该复合材料由以下摩尔百分比的物质组成Si 5％～15％，B 5％～15％，Ti 10％～30％，Zr3％～7％，Al 2％～8％，Nb 6％～14％，余量为Mo。其制备方法为一、将硅粉、硼粉、钛粉、锆粉、铝粉、铌粉和钼粉置于球磨机中混合均匀，烘干后粉碎得到混合粉料；二、将混合粉料置于热压烧结炉进行热压烧结。本发明制备得到的Mo‑Si‑B‑Ti‑Zr‑Al‑Nb复合材料具有低密度、高强度、高韧性和高温抗氧化的特点，能够应用于1500℃的空气环境中。
一种 mo si ti zr al nb 复合材料及其制备方法