|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 41个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]微结构光纤预制棒的制备方法-CN201810876301.9有效
-
胡俊中;朱继红;张欣;胡肖;周新艳;艾靓;邱文斌
-
长飞光纤光缆股份有限公司
-
2018-08-03
-
2021-05-28
-
C03B37/018
- 本发明涉及一种微结构光纤预制棒的制备方法，采用管内等离子体化学气相沉积工艺,混合气体从衬管的一端进入管内，衬管另一端为气体排出端，衬管另一端连接真空泵，控制衬管内压力10~50mBar，沉积玻璃态二氧化硅时，谐振腔功率为4000W或4000W以上，衬管内压力为10~20mBar，此沉积成非多孔微结构层，沉积多孔粉末状态二氧化硅时，谐振腔功率为4000W以下，衬管内压力为15~40mBar，此沉积成多孔微结构层，沉积完毕后，将以沉积衬管加温熔缩成实芯光纤预制棒，所述的光纤预制棒包括多孔微结构层和玻璃态二氧化硅层。本发明可根据设计要求调控不同谐振腔功率和衬管内压力，得到满足要求的多孔尺寸和分布。该方法工艺简便，适于工业化生产。
- 微结构光纤预制制备方法
- [发明专利]一种掺杂优化的超低衰减单模光纤-CN201811318717.5有效
-
周新艳;朱继红;张欣;胡俊中;胡肖;艾靓;邱文斌
-
长飞光纤光缆股份有限公司
-
2018-11-07
-
2020-06-16
-
G02B6/036
- 本发明涉及一种掺杂优化的超低衰减单模光纤，包括芯层和包层，所述的包层从内向外包括有内包层、下陷包层和外包层，其特征在于所述的芯层为多元掺杂二氧化硅芯层，掺杂物包括锗、氟、碱金属和磷，其中，锗对芯层的折射率贡献量为0～0.2％，氟对芯层的折射率贡献量为‑0.2％～0，碱金属的含量设为M11，则0M11≤5000ppm，且呈连续分布，磷的含量设为M12，则0M12≤1000ppm，在芯层中呈连续分布，芯层的相对折射率差△n1为‑0.15％～0.2％，芯层半径R1为3～7μm。本发明采用碱金属与磷共掺在芯层和内包层中形成了良好的粘度匹配，减少光纤制备过程中的缺陷，减少了光纤的轴向应力，从而进一步降低光纤的衰减参数，并使光纤性能稳定，具备更长的使用寿命。
- 一种掺杂优化衰减单模光纤
|
