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[发明专利]晶片放置装置和晶片定向仪-CN201710051656.X有效
发明人：赵向阳;陈强;肖祥凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶片放置装置和晶片定向仪，所述晶片放置装置包括用于放置晶片的底座、两个定位挡板、凹槽定位装置、前端挡板和滑动板；所述前端挡板安装于所述底座的一端，所述前端挡板具有一缝隙；所述滑动板安装于所述底座的另一端，并可在所述底座上滑动，以改变所述滑动板与所述前端挡板之间的距离；两个定位挡板对称安装于所述滑动板上，两个定位挡板上具有刻度；所述凹槽定位装置安装于两个定位挡板之间，所述凹槽定位装置的中心与所述前端挡板的缝隙在一条直线上，所述凹槽定位装置可沿该直线滑动。解决了传统的晶片定向仪的晶片放置装置在检测不同尺寸晶片时，需要进行机台部件的调整和校准以及存在金属污染风险的问题。
晶片放置装置定向

[发明专利]一种坩埚轴升降装置-CN201710272634.6有效
发明人：赵向阳;陈强;肖祥凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种坩埚轴升降装置，用于驱动坩埚轴进行升降运动，所述升降装置包括：一驱动部件、一底盘以及至少两个升降部件，所述驱动部件与所述至少两个升降部件连接，用于驱动所述至少两个升降部件；所述至少两个升降部件与所述底盘连接，用于驱动所述底盘进行升降运动；所述底盘，用于与坩埚轴连接。在本发明提供的坩埚轴升降装置中，利用至少两个升降部件来驱动坩埚轴的上升或下降，从而使坩埚轴在驱动过程中更稳定。
一种坩埚升降装置

[发明专利]一种硅单晶引晶结构及工艺-CN201710343971.X在审
发明人： 肖祥凯;赵向阳 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶引晶结构及工艺，其中，所述硅单晶引晶结构至少包括：籽晶；与所述籽晶连接的补强颈；与所述补强颈连接的收缩颈；其中，所述籽晶、所述补强颈和所述收缩颈同轴。本发明通过在引晶起始阶段设计引出一段补强颈，对引晶起始区域的晶体强度进行了补强，有效防止晶体生长时由于这一区域晶体强度低而发生断裂，从而降低了引晶结构断裂的概率，降低了引晶失败的风险，节约了生产时间。另外，本发明通过设计引出一段连接补强颈的收缩颈，将其设计为n个相连的第二圆弧段，可以很快排除由热应力引起的位错和由温度梯度引起的位错，从而缩短引晶结构的长度和长晶时间。
引晶补强硅单晶收缩颈籽晶位错晶体生长起始阶段起始区域温度梯度段连接断裂的热应力圆弧段同轴断裂节约概率失败生产

[发明专利]一种低温烧结氧化锌压敏电阻器材料及其制备方法-CN201510658427.5有效
发明人：程丽红;李国荣;郑嘹赢;肖祥凯;阮学政;程健 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温烧结氧化锌压敏电阻器材料及其制备方法，该低温烧结氧化锌压敏电阻器材料由氧化锌及添加剂组成，其中氧化锌的含量为91～98mol%，余量为添加剂；所述的添加剂由Bi、Sb、Cr、Mn、Co、Ni、Al元素组成，添加的各元素含量按其氧化物形式计算的摩尔百分数分别如下：Bi₂O₃为0.50～2.00，Sb₂O₃为0.50～2.00，Cr₂O₃为0.05～1.00，MnO₂为0.50～1.00，Co₂O₃为0.20～1.00，NiO为0.20～1.00，Al₂O₃为0.05～1.00。本发明的制备方法具有工艺简单，能耗小，绿色环保等优点，具有实用性和应用前景。
一种低温烧结氧化锌压敏电阻器材料及制备方法

[发明专利]单晶生长炉热屏及其制造方法-CN201610959752.X在审
发明人：赵向阳;陈强;肖祥凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：在本发明提供了一种单晶生长炉热屏及其制造方法，所述单晶生长炉热屏包括屏体，所述屏体内形成有容置空间，所述屏体的材料用石英玻璃，避免引入钼、碳等污染源，可以有效减少单晶生长炉热屏对晶体的污染。
生长炉热屏及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅二次加料装置及方法-CN201610825530.9在审
发明人：赵向阳;陈强;肖祥凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅二次加料装置及方法，多晶硅二次加料装置包括石英管、石英半球及石英柱，所述石英管为上下开口的圆管；所述石英半球位于所述石英管下方，所述石英半球的直径大于所述石英管直径；所述石英柱位于所述石英管内部，所述石英柱下端与所述石英半球连接。多晶硅二次加料方法的步骤如下多次向多晶硅二次加料装置中加入粒度较小的多晶硅或粒度较大的多晶硅与粒度较小的多晶硅组成的料；多次打开石英半球，每次放入一部分料。本发明通过把多晶硅二次加料装置下部设置石英半球，将钼丝置换成石英柱，防止石英半球破碎及钼丝对多晶硅料的污染。本发明采用梯度混合加料方法，减小多晶硅之间的间隙大小及数目，增大二次加料量。
一种多晶二次加料装置方法

[发明专利]一种低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法-CN201510672210.X在审
发明人：李国荣;田甜;程丽红;郑嘹赢;赵坤宇;肖祥凯;阮学政;程健 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法，该低电阻氧化锌陶瓷材料由氧化锌和改性添加剂组成，其中氧化锌的含量为96.2～99.7wt%，改性添加剂的含量为0.3～3.8wt%；所述改性添加剂的各组成及其含量如下：Al₂O₃为0.1～1wt%、MgO为0.1～0.8wt%，TiO₂为0.1～1wt%，NiO和/或SiO₂为0～1wt%。本发明的氧化锌压敏陶瓷材料具有超低电阻，室温下电阻ρ<5×10^-6Ωm，温度系数为1.49×10^-3/℃，载流子浓度n>10²⁰cm^-3，具有正温度系数，有类金属性。
一种电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法-CN201210093569.8有效
发明人：李国荣;肖祥凯;程丽红;郑嘹赢;阮学政;曾江涛 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法。所述材料由氧化锌、烧结助剂及改性添加剂组成，其中氧化锌的含量为86.0～98.0mol％，烧结助剂的含量为0.001～3.0mol％，余量为改性添加剂；所述的烧结助剂为MoO3或MoO3与Bi2O3形成的混合物；所述的改性添加剂是由Bi2O3、Sb2O3、B2O3、NiO、Co2O3、MnO2、Cr2O3及V2O5组成。本发明获得的氧化锌压敏陶瓷材料的压敏电压为730～800V/mm，非线性系数α＞20，漏电流IL＜10μA，且烧结温度低，综合性能良好；另外，本发明的制备方法具有工艺简单，能耗小，绿色环保等优点，具有实用性和应用前景。
一种低温烧结氧化锌陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低温烧结氧化锌压敏电阻材料及其制备方法-CN201210093922.2有效
发明人：程丽红;李国荣;郑嘹赢;肖祥凯;阮学政 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结氧化锌压敏电阻材料及其制备方法。所述材料由氧化锌及添加剂组成，其中氧化锌的含量为90～98mol％，余量为添加剂；所述的添加剂由Bi、Sb、Cr、Mn、Co、Sn、Ni、Mg、Si及B元素组成。该材料的制备包括：添加Sb、Cr、Co、Sn、Ni、Mg及Si七种元素，对氧化锌进行半导化处理；对Bi、Mn和B三种添加剂进行细化处理；进行电子陶瓷制备。本发明获得的氧化锌压敏电阻材料的压敏电压为300～500V/mm，非线性系数α＞20，漏电流IL＜15μA，且烧结温度低，综合性能良好；另外，本发明的制备方法具有工艺简单，能耗小，绿色环保等优点，具有实用性和应用前景。
一种低温烧结氧化锌压敏电阻材料及其制备方法

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