专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种减小沟道电荷注入效应的自举开关-CN202110777828.8有效
  • 陆维立;郭春炳;高钧达;孔祥键;简明朝;张春华;肖亦成;苑梦 - 广东工业大学
  • 2021-07-09 - 2023-05-26 - H03K17/687
  • 本发明公开了一种减小沟道电荷注入效应的自举开关,包括输入端口、输出端口、电源电压、时序开关、多个NMOS晶体管和PMOS晶体管、2个电容;主要分为三部分,一是NMOS开关部分,二是PMOS开关部分,三是电容充放电通路;通过将PMOS晶体管与NMOS晶体管结合,在跟随相位到保持相位转换间,使NMOS管沟道中释放的电子与PMOS管沟道中释放的空穴结合,进而达到减小沟道电荷注入效应的效果,在实际的应用中,自举开关要达到一个比较快的速度,晶体管的栅宽同时也要设的比较大,为的就是有一个小的导通电阻,但同时沟道注入的影响也变大了,本发明的自举开关同时结合了PMOS型晶体管与NMOS型晶体管,能实现在较快速度下依然能将电荷注入影响降到最低。
  • 一种减小沟道电荷注入效应开关

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