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- [实用新型]电容式MEMS装置-CN202320216680.5有效
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威特·弗雷克;威廉姆斯·凯特;黄莉
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美新半导体（天津）有限公司
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2023-02-14
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2023-09-26
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B81C99/00
- 本实用新型提供一种电容式MEMS装置，其包括：MEMS器件，其包括检测电容，所述检测电容包括第一电极、第二电极和质量块；检测电路；与第一电极耦接的第一开关电路；与第二电极耦接的第二开关电路。在自检的第一阶段时，第一开关电路将第一电极耦接至第一电源端，第二开关电路将第二电极耦接至第二电源端；在自检的第二阶段时，第一开关电路将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端，第二开关电路将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端，所述检测电路对第一电极和第二电极的信号进行检测并输出自检响应信号，基于所述自检响应信号确定所述MEMS器件是否功能正常。这样，不需要增加额外的自检电极就可以完成自检。
- 电容mems装置
- [发明专利]平均滤波器及传感器组件-CN202310723244.1在审
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仲雅莉;李京;马拉多·托尼;赵会宁
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美新半导体（天津）有限公司
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2023-06-16
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2023-09-19
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H03H17/02
- 本发明提供一种平均滤波器及传感器组件。所述平均滤波器包括：计数器，其对一系列的输入采样数据在初始值和预定值之间进行计数，每收到一个输入采样数据，则其计数值加1，在所述计数值为预定值后再收到一个输入采样数据后，则所述计数值重置为初始值；加法器，其被配置的在所述计数器的计数值为初始值时，所述加法器的累加值等于当前的输入采样数据，随后将每个输入采样数据累加到所述累加值上，在所述计数器的计数值为所述预定值时，所述加法器输出所述累加值；移位单元，用于对所述加法器输出的累加值进行右移。该平均滤波器只需要1个加法器和移位单元就可以实现N倍下采样以及平均滤波，结构简单，面积小。
- 平均滤波器传感器组件
- [实用新型]电荷泵电路-CN202320727386.0有效
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马瑞菲·哈桑;贝鲁尔·博达;王昕;黄莉
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美新半导体（天津）有限公司
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2023-04-04
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2023-08-29
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H02M3/07
- 本实用新型提供一种电荷泵电路，其包括：至少一条电荷泵链，每条电荷泵链包括多级电荷泵单元，每级电荷泵单元包括二极管和电容器，每级电荷泵单元的二极管的正极作为该级电荷泵单元的第一输入端，每级电荷泵单元的二极管的负极作为该级电荷泵单元的输出端，每级电荷泵单元的电容器的一端作为该级电荷泵单元的第二输入端，每级电荷泵单元的电容器的另一端耦接至所述二极管的负极，至少部分二极管包括P型参杂区、N型参杂区和位于所述P型参杂区和所述N型参杂区之间的本征区，所述P型参杂区形成所述二极管的正极，所述N型参杂区形成所述二极管的负极。这样，可以提高所述电荷泵电路的击穿电压。
- 电荷电路
- [发明专利]异步FIFO存储器-CN202310701932.8在审
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王晓卫;李京;肖思龙;李兆升
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美新半导体（天津）有限公司
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2023-06-13
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2023-08-25
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G06F5/06
- 本发明提供一种异步FIFO存储器，其包括双端口SRAM，所述异步FIFO存储器具有FIFO模式和连续模式，在FIFO模式下不允许写入的数据覆盖已写入的最旧数据并支持异步同时读写，在每次写时，将数据写入写指针指向的地址，之后将所述写指针自加1，在每次读时，将读指针指向的数据读出，之后将所述读指针自加1；在连续模式下允许写入的数据覆盖已写入的最旧数据并支持异步同时读写，当所述异步FIFO满后去读所述异步FIFO时，将所述写指针加1赋值给所述读指针，将所述读指针指向的数据读出，之后将所述读指针自加1。这样，所述异步FIFO存储器可以支持满后可覆盖，并且在满后读时避免了将最新数据读出的错误情况。
- 异步fifo存储器
- [实用新型]电容式MEMS加速度计-CN202320212774.5有效
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马瑞菲·哈桑;黄莉
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美新半导体（天津）有限公司
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2023-02-14
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2023-08-01
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G01P15/125
- 本实用新型提供一种电容式MEMS加速度计，其包括：MEMS器件，其包括第一差分电容、第一焊盘、第二差分电容、第二焊盘，第一差分电容的第二端和第二差分电容的第二端耦接至被施加第一交流信号的第一节点；处理电路，其包括第三焊盘、第三焊盘隔离部件、第四焊盘、第三焊盘隔离部件、耦接于第三焊盘的第一补偿电容、耦接于第四焊盘的第二补偿电容、耦接于第三焊盘和第四焊盘的检测电路，其中第一焊盘与第三焊盘耦接，第二焊盘与第四焊盘耦接，第三焊盘隔离部件、第四焊盘隔离部件、第一补偿电容的第二端和第二补偿电容的第二端耦接于第二节点，该第二节点被施加与第一交流信号同频反相的第二交流信号。这样，减少了所述检测电路的输入端的寄生电容，从而提高加速度计的灵敏度。
- 电容mems加速度计
- [实用新型]MEMS陀螺仪-CN202223590735.3有效
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黄莉;孟雨馨;金羊华;蒋乐跃
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美新半导体（天津）有限公司
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2022-12-29
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2023-07-18
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G01C19/56
- 本实用新型提供一种MEMS陀螺仪，其包括：MEMS惯性传感部分，其包括：驱动电容组、驱动检测电容组、一个或多个轴的检测电容组；陀螺接口电路，其包括：驱动电路、一个或多个轴的检测电路、一个或多个轴的矫正电容组和数字处理电路；所述驱动电路包括驱动电荷放大器，所述检测电路包括一个或多个轴的检测电荷放大器，每个轴的校正电容组中的第一校正电容的一端连接至所述驱动电荷放大器的第一输出端，另一端连接至对应轴的检测电荷放大器的第一输入端，每个轴的校正电容组的第二校正电容的一端连接至所述驱动电荷放大器的第二输出端，另一端连接至对应轴的检测电荷放大器的第二输入端。这样，可以消除正交误差，提高了陀螺仪零偏稳定性和噪声水平。
- mems陀螺仪
- [发明专利]电荷泵电路-CN202310358593.8在审
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马瑞菲·哈桑;贝鲁尔·博达;王昕;黄莉
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美新半导体（天津）有限公司
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2023-04-04
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2023-07-11
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H02M3/07
- 本发明提供一种电荷泵电路，其包括：至少一条电荷泵链，每条电荷泵链包括多级电荷泵单元，每级电荷泵单元包括二极管和电容器，每级电荷泵单元的二极管的正极作为该级电荷泵单元的第一输入端，每级电荷泵单元的二极管的负极作为该级电荷泵单元的输出端，每级电荷泵单元的电容器的一端作为该级电荷泵单元的第二输入端，每级电荷泵单元的电容器的另一端耦接至所述二极管的负极，至少部分二极管包括P型参杂区、N型参杂区和位于所述P型参杂区和所述N型参杂区之间的本征区，所述P型参杂区形成所述二极管的正极，所述N型参杂区形成所述二极管的负极。这样，可以提高所述电荷泵电路的击穿电压。
- 电荷电路
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