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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN201910908298.9有效
发明人： 羅興安;封铁柱;张高升;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底，形成厚度方向上沉积温度梯度变化的硬掩膜叠层于所述衬底上，所述硬掩膜叠层包括至少两层硬掩膜层，不同的所述硬掩膜层对应不同的所述沉积温度；形成开口于所述硬掩膜叠层中，所述开口暴露出所述衬底上表面，且所述开口的顶端尺寸与底端尺寸不同；以具有所述开口的所述硬掩膜叠层为掩膜，形成凹陷结构于所述衬底中。本发明可以扩大预期的CD工艺窗口，精准地控制目标CD，并有利于降低硬掩膜层薄膜厚度，降低硬掩膜开口轮廓变形，从而降低图形失真度，提升DVC性能。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010078448.0有效
发明人： 羅興安;胡淼龙;蒋志超;张春雷;王林;张高升;陆聪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：形成第一材料层，第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷；于第一材料层的表面形成第二材料层，第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；第二材料层覆盖第一材料层形成有第一凸起缺陷的表面，且第二材料层远离第一材料层的表面为平面。本发明在具有凸起缺陷的材料层表面形成含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层，可以消除凸起缺陷的影响，得到表面为平面的含氢离子的碳层，无需额外去除凸起缺陷的步骤，简化了工艺步骤，延迟了工艺腔室维护的间隔时间，提高了生产效率，降低了生产成本。
半导体结构及其制备方法

[实用新型]薄膜沉积系统-CN202021116206.8有效
发明人： 羅興安;胡淼龙;蒋志超;张春雷;王林;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜沉积系统，所述薄膜沉积系统包括用于向基板上沉积碳膜的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括沉积腔室，以及用于承载所述基板的支撑底座；用于对沉积于所述基板上的碳膜进行紫外处理的紫外照射装置，所述紫外照射装置设置于所述沉积腔室内，所述紫外照射装置的照射区域可覆盖所述碳膜的至少部分表面。利用本实用新型的本实用新型的薄膜沉积系统制备碳膜，不仅工艺过程简单，而且能够比较容易的获取具有良好透明性和高蚀刻选择性的碳膜，并且不会出现碳膜与基板的覆盖问题。
薄膜沉积系统

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