“罗珉圭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光器件和照明系统-CN201510736600.9有效
发明人：金省均;罗珉圭;金明洙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件和照明系统。公开一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：基板；在基板上的第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的接触层；在接触层上的绝缘层；被电连接到第一导电半导体层的第一分支电极；通过经过绝缘层被电连接到第一导电半导体层并且被连接到第一分支电极的多个第一通孔电极；被电连接到第一分支电极的第一焊盘电极；通过经过绝缘层接触接触层的第二焊盘电极；被连接到第二焊盘电极并且被布置在绝缘层上的第二分支电极；以及通过绝缘层被提供以将第二分支电极电连接到接触层的多个第二通孔电极。
发光器件照明系统

[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装-CN201510005574.2有效
发明人：文智炯;金省均;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件，包括衬底；多个发光单元，布置在所述衬底上；至少一个连接电极，用于连接所述发光单元；以及第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述连接电极之间，其中每个所述发光单元包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；以及布置在所述第二导电型半导体层上的反射层，其中所述连接电极将一个所述相邻发光单元的第一导电型半导体层连接到另一个所述相邻发光单元的所述反射层，并且在第一方向上所述第二导电型半导体层的第一宽度等于或大于在第一方向上所述反射层的第二宽度，并且所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向。
发光器件包括封装

[发明专利]发光器件-CN201611241562.0有效
发明人： 罗珉圭;金省均;金明洙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件及背光单元，该发光器件包括：透光衬底；发光结构，设置在所述透光衬底上，包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上；第一电极部，设置在所述导电层上，具有至少一预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；以及第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。本发明的发光器件能够增强照明效率和照明强度。
发光器件

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201410347422.6有效
发明人：金省均;林祐湜;金明洙;秋圣镐;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括衬底、发光结构层、第二电极、第一电极、接触部分、以及第一电极层。第一电极被布置在衬底中在有源层下面的区域中从衬底的下部到第一导电类型半导体层的下部。接触部分比第一电极宽并且接触第一导电类型半导体层的下部。第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]发光器件及背光单元-CN201210022699.2有效
发明人： 罗珉圭;金省均;金明洙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件及背光单元，该发光器件包括透光衬底；发光结构，设置在所述透光衬底上，包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上；第一电极部，设置在所述导电层上，具有至少一预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；以及第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。本发明的发光器件能够增强照明效率和照明强度。
发光器件背光单元

[发明专利]发光器件-CN201210574741.1在审
发明人： 罗珉圭;秋圣镐;朱炫承;洪奇锡;卢志希 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：公开一种发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且具有通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上使得延伸超出开口区域中的至少一个，其中第二电极接触开口区域中的第二导电型半导体层并且接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层。
发光器件

[发明专利]发光器件、发光器件封装和照明系统-CN201110427792.7有效
发明人：金省均;罗珉圭;朱炫承 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：公开了一种发光器件，包括：基板；在基板上提供的发光结构，其包括依次层叠的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，在发光结构上设置的透光电极层；在发光结构上提供的电极。在本文中，电极包括垫电极和指电极，并且在指电极与第二导电半导体层之间置有插入元件，其中插入元件形成为使得其至少一个区域与指电极在垂直方向上交叠。由于插入元件形成于指电极下，所以能够防止有源层发射的光被指电极吸收。因此，可以进一步提高发光器件的发光效率。
发光器件封装照明系统

[发明专利]发光器件-CN201110315352.2有效
发明人：林祐湜;金省均;罗珉圭;秋圣镐;金明洙;范熙荣 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件，该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在第一和第二半导体层之间的有源层；电连接到第一半导体层的第一电极；以及电连接到第二半导体层的第二电极。第一半导体层形成为在其边缘部分处具有其中布置所述第一电极的一部分的孔。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201110130178.4有效
发明人： 罗珉圭;金省均;秋圣镐;林祐湜 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件，包括：发光结构，其包括至少包括第一区域和第二区域的第一导电半导体层和形成在第一区域中的有源层和第二导电半导体层；第一电极，该第一电极形成在第一导电半导体层上；以及第二电极，该第二电极形成在第二导电半导体层上，其中第二区域包括：第三区域和第四区域，该第三区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的至少一侧上，该第四区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的内部，第一电极包括：第一导电半导体层的纵向方向上的第一导电半导体层的一侧上的第一焊盘；和形成在第四区域中的第一分支，第二电极包括：第二导电半导体层的纵向方向上的第二导电半导体层的另一侧上的第二焊盘；和第三分支和第四分支。
发光器件

[发明专利]发光器件、发光器件封装和照明系统-CN201110051740.4有效
发明人：金省均;林祐湜;范熙荣;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明系统。所述发光光器件包括：衬底；发光结构层，其包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的有源层和所述有源层上的第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层被形成在所述衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述衬底；所述第二导电类型半导体层上的第二电极；以及至少一个第一电极，其通过穿过所述衬底而至少从所述第一导电类型半导体层的所述第二上表面延伸至所述衬底的下表面。
发光器件封装照明系统

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201110039408.6有效
发明人：金省均;林祐湜;金明洙;秋圣镐;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：衬底、发光结构层、第二电极、第一电极、接触部分、以及第一电极层。第一电极被布置在衬底中在有源层下面的区域中从衬底的下部到第一导电类型半导体层的下部。接触部分比第一电极宽并且接触第一导电类型半导体层的下部。第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件-CN200980142328.4无效
发明人：金昌台;罗珉圭 -专利权人：艾比维利股份有限公司
申请日： 2009-10-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ⅲ族氮化物半导体发光器件，更具体而言涉及下述Ⅲ族氮化物半导体发光器件：其包括衬底；多个Ⅲ族氮化物半导体层，其包括形成在所述衬底上且具有第一导电类型的第一氮化物半导体层，形成在所述第一氮化物半导体层上且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二氮化物半导体层，以及位于所述第一和第二氮化物半导体层之间且通过电子和空穴的复合产生光的有源层；以及从所述衬底形成到所述多个Ⅲ族氮化物半导体层且具有第一和第二散射面的开口。所述第一散射面使所述有源层中产生的光散射，所述第二散射面具有与第一散射表面不同的倾斜度。
氮化物半导体发光器件

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件-CN200980142327.X无效
发明人：金昌台;罗珉圭 -专利权人：艾比维利股份有限公司
申请日： 2009-10-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ⅲ族氮化物半导体发光器件，更具体而言，涉及下述Ⅲ族氮化物半导体发光器件：所述器件包含，其中形成有散射区的衬底；以及多个Ⅲ族氮化物半导体层，其包括在所述衬底上形成并具有第一导电类型的第一Ⅲ族氮化物半导体层、在所述第一Ⅲ族氮化物半导体层上形成并具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二Ⅲ族氮化物半导体层、和位于所述第一和第二Ⅲ族氮化物半导体层间并通过电子和空穴复合产生光的有源层。
氮化物半导体发光器件

[发明专利]发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装-CN201110078842.5有效
发明人：范熙荣;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装。该发光器件包括：第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层具有第一顶表面和在第一顶表面下面的第二顶表面；在第一导电类型半导体层的第一顶表面上的有源层；在有源层上的第二导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的第一电极；在第一导电类型半导体层的第二顶表面上的中间折射层；以及第二电极，该第二电极连接到第二导电类型半导体层。
发光器件用于制造方法以及封装

[发明专利]III族氮化物半导体发光器件-CN200980143327.1无效
发明人：金昌台;罗珉圭 -专利权人：艾比维利股份有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：衬底，所述衬底具有第一沟槽和第二沟槽，以及第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个III族氮化物半导体层，所述多个III族氮化物半导体层包括在所述衬底的所述第一表面上方形成且具有第一导电类型的第一III族氮化物半导体层，在所述第一III族氮化物半导体层上方形成且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二III族氮化物半导体层，和设置在所述第一III族氮化物半导体层和第二III族氮化物半导体层之间并由此通过电子和空穴的复合发光的有源层；沿所述多个III族氮化物半导体层在所述第一沟槽上形成的第一开口；沿所述多个III族氮化物半导体层在所述第二沟槽上形成的第二开口；穿过所述第一沟槽使所述衬底的所述第二表面与第一开口处的所述第一III族氮化物半导体层电连接的第一电极；以及穿过所述第二沟槽和第二开口使所述衬底的所述第二表面与所述第二III族氮化物半导体层电连接的第二电极。
iii 氮化物半导体发光器件

1
2
下一页»
尾页
共 16 条