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[实用新型]一种基于摩擦纳米发电机的自驱动发光鼓掌器-CN201720099708.6有效
发明人： 罗林保;吴国安;王迪;孔维玉;王奎元 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： A63H5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于摩擦纳米发电机的自驱动发光鼓掌器，其包括两手掌和至少一个摩擦纳米发电机，摩擦纳米发电机由两摩擦部件构成，两摩擦部件分别固定在一个手掌的击打面上；其中第一摩擦部件是在柔性衬底上依次固定有金属铝片和PDMS薄膜，PDMS薄膜表面一体化成型有阵列式PDMS凸起；第二摩擦部件是在柔性衬底上固定有金属铝片，在金属铝片上设置有阵列式铝凸起；两摩擦部件从金属铝片处引出电极，分别连接LED灯的一个引脚；两手掌在拍合时产生机械能，摩擦纳米发电机将机械能转化为电能，使得LED灯发光。本实用新型的自驱动发光鼓掌器结构简单、性能稳定，具有广泛的应用前景。
一种基于摩擦纳米发电机驱动发光鼓掌

[发明专利]一种基于摩擦纳米发电机的自驱动发光鼓掌器及其制备方法-CN201710058330.X在审
发明人： 罗林保;吴国安;王迪;孔维玉;王奎元 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： A63H5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于摩擦纳米发电机的自驱动发光鼓掌器及其制备方法，其包括两手掌和至少一个摩擦纳米发电机，摩擦纳米发电机由两摩擦部件构成，两摩擦部件分别固定在一个手掌的击打面上；其中第一个摩擦部件是在柔性衬底上依次固定有金属铝片和PDMS薄膜，PDMS薄膜表面一体化成型有阵列式PDMS凸起；第二个摩擦部件是在柔性衬底上固定有金属铝片，在金属铝片上设置有阵列式铝凸起；两摩擦部件从金属铝片处引出电极，分别连接发光二极管的一个引脚；两手掌在拍合时产生机械能，摩擦纳米发电机将机械能转化为电能，使得发光二极管发光。本发明的自驱动发光鼓掌器结构简单、性能稳定，具有广泛的应用前景。
一种基于摩擦纳米发电机驱动发光鼓掌及其制备方法

[发明专利]石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法-CN201610394607.1有效
发明人： 罗林保;张腾飞;汪丹丹;邹宜峰;梁凤霞 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法，其是在绝缘衬底上表面覆盖有碳纳米管薄膜，碳纳米管薄膜的一端设置有与碳纳米管薄膜呈欧姆接触的银电极，另一端设置有与碳纳米管薄膜呈肖特基接触的石墨烯薄膜，在石墨烯薄膜上设置有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的第二银电极。本发明中的光电探测器既利用了碳纳米管宽光谱吸收的特性，又结合了石墨烯高透光率、低电阻率等优良特性，实现了对300‑1050nm光的探测，并且具有很高的响应度和响应速度；本发明制备方法简单，适合大规模生产，可制备宽光谱、高探测率、响应速度快的光电探测器，为全碳结构光电探测的应用开拓了新的前景。
石墨纳米薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯/β‑Ga2O3的肖特基结深紫外光光电探测器及其制备方法-CN201610079315.9有效
发明人： 罗林保;孔维玉;张腾飞;汪丹丹;梁凤霞 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯/β‑Ga2O3的肖特基结深紫外光光电探测器及其制备方法，其特征在于是以金属铜片作为衬底，在衬底上固定有β‑Ga2O3单晶片和石墨烯的肖特基结构；该肖特基结构是在β‑Ga2O3单晶片的未抛光面设置有铬/金电极，抛光面设置有石墨烯薄膜；在铬/金电极的表面均匀涂覆有银浆，β‑Ga2O3单晶片和衬底通过银浆粘合；在石墨烯薄膜的一侧引出有引出电极。本发明的深紫外光光电探测器是以β‑Ga2O3和石墨烯形成的肖特基结为器件的核心，既可以利用β‑Ga2O3对深紫外光的灵敏性，又可以结合石墨烯的低电阻率、高透光率等优异特性，因此对于深紫外光有很强的吸收率。
一种基于石墨 ga sub 肖特基结深紫光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610035612.3有效
发明人：吴春艳;潘志强;王友义;陈士荣;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散有硫属亚铜化合物准一维纳米结构，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的两端各沉积有第一金属薄膜电极和In2S3薄膜，硫属亚铜化合物准一维纳米结构与第一金属薄膜电极呈欧姆接触，与In2S3薄膜形成异质结；在In2S3薄膜上方沉积有第二金属薄膜电极，In2S3薄膜与第二金属薄膜电极呈欧姆接触。本发明的纳米异质结太阳能电池完全使用环境友好的无机半导体材料，制备过程简单易行，器件性能优越。
一种基于硫属亚铜化合物纳米异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种具有垂直生长结构的二维过渡金属硫属化物同质结光电探测器及其制备方法-CN201610185922.3有效
发明人：于永强;耿祥顺;许克伟;罗林保;蒋阳;吴春艳 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直生长结构的二维过渡金属硫属化物同质结光电探测器及其制备方法，该探测器是在绝缘衬底的上表面依次设置有底电极和掩膜层；在掩膜层的中心设置有一与底电极连通的通孔；垂直于底电极上表面、位于通孔内生长有N型半导体材料，在所述N型半导体材料上生长有P型半导体材料，两种半导体材料在生长过程中会沿着垂直于底面的方向生长形成PN同质结；在掩膜层上方设置有顶电极，底电极与N型半导体材料、顶电极与P型半导体材料皆形成欧姆接触。本发明的探测器具有响应速度快、灵敏度高的优势，同时还具有制备简单、可重复强等优点。
一种具有垂直生长结构二维过渡金属硫属化物同质光电探测器及其制备方法

[发明专利]具有优异光致发光特性的大面积二维层状材料的制备方法-CN201610551531.9在审
发明人：于永强;耿祥顺;许克伟;李智;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了具有优异光致发光特性的大面积二维层状材料的制备方法，其是采用脉冲激光沉积技术，在基片表面沉积上过渡金属硫族化合物的薄膜。通过本发明的方法制备的薄膜具有单层或少数原子层半导体材料的特性，这种材料在光照射下具有很好的光致发光特性，且本发明的方法操作简单、重复性强。
具有优异光致发光特性大面积二维层状材料制备方法

[发明专利]一种铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关及其制备方法-CN201510418427.8有效
发明人： 罗林保;王元;郑坤;卢瑞;于永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关及其制备方法，其是在绝缘衬底上表面分布有硒化锌纳米带，硒化锌纳米带的一端设置有与硒化锌纳米带呈欧姆接触的金电极，另一端设置有与硒化锌纳米带呈肖特基接触的石墨烯薄膜，在石墨烯薄膜的上表面修饰有呈六角点阵排布的铟纳米颗粒阵列。本发明中的蓝光光电开关通过利用排列规则的铟纳米颗粒阵列表面等离子体共振的特性，增强了对光的吸收，提高了对光的响应度；本发明制备方法简单，适合大规模生产，可制备响应速度快、抗电磁干扰强的蓝光光电开关，为硒化锌纳米材料在光电开关的应用中开拓了新的前景。
一种纳米颗粒阵列修饰石墨硒化锌带肖特基结蓝光光电开关及其制备方法

[发明专利]一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法-CN201510073797.2有效
发明人： 罗林保;卢瑞;郑坤;邹宜峰;王先贺 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法，其特征是以N型锗基底层作为光电探测器的基区，在N型锗基底层的正面蒸镀绝缘层；在N型锗基底层的上表面设置N型锗纳米锥阵列；将P型石墨烯转移到覆盖绝缘层的N型锗纳米锥阵列上；在P型石墨烯上旋涂氧化铟锡纳米颗粒，实现基于P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结的光电二极管。本发明中的红外光电探测器通过利用锗纳米锥阵列的结构以及ITO纳米颗粒的表面等离子体共振的特性，增强了对光的吸收，提高了对光的响应度；本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的红外光电探测器，为锗纳米锥阵列结构在光电探测器的应用中奠定了基础。
一种石墨纳米阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法-CN201610551522.X有效
发明人：于永强;许克伟;耿祥顺;李智;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：是在N型半导体衬底的下表面设置有与N型半导体衬底呈欧姆接触的底电极，上表面覆盖有掩膜层；掩膜层为绝缘材料，在掩膜层的中央预留有通孔，在通孔内沉积有二维碲化钼薄膜，其与N型导体衬底接触，形成N‑N同型异质结；在碲化钼薄膜上表面设置有与碲化钼呈欧姆接触的顶电极。本发明的近红外光电探测器，制备工艺简单、技术成熟可靠，易于控制；所得器件具有高灵敏度、高速率、高探测率、自驱动等优异性能。
一种驱动二维碲化钼型异质结近红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]n型In₂S₃缓冲层的成膜方法及其应用-CN201410500670.X有效
发明人：吴春艳;王文坚;毛盾;罗林保;王莉;于永强;许俊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：针对现有技术制备In₂S₃缓冲层时的不足，本发明提供一种新的n型In₂S₃缓冲层的成膜方法和应用。本发明的成膜方法，由制备In₂S₃饼块、制备In₂S₃靶材块、制备In₂S₃薄膜、退火并获得电阻率不大于为5×10^-3Ω·cm的n型硫化铟的缓冲层。由本发明产物获得的太阳能电池其开路电压为0.29V、短路电流为7.7nA。有益的技术效果：本发明的成膜方法和产物具有薄膜均匀一致性好、导电性良好、化学组成稳定、无环境污染等的优点。
in sub 缓冲方法及其应用

[发明专利]一种组分可控的铜硫硒纳米片及其制备方法和应用-CN201410186932.X有效
发明人：许俊;史正添;谢超;罗林保;孙联领 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种组分可控的铜硫硒纳米片及其制备方法和应用，其特征在于：铜硫硒纳米片化学式为CuS_xSe_1-x，0≤x≤1，制备采用简单的低温溶液法，通过改变反应物中S粉和Se粉的配比，调控CuS_xSe_1-x中x的值，获得组分可控的三元铜硫硒纳米片。本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备具有优异光学性能的组分可控的六方晶系合金相CuS_xSe_1-x纳米片，为CuS_xSe_1-x纳米片在近红外光辐射治疗、近红外光电探测以及光伏领域的应用奠定了基础；本发明的CuS_xSe_1-x纳米片作为敏化太阳能电池的对电极材料，对多硫电解质再生具有极为突出的电化学催化活性，实现较高的光电转换效率。
一种组分可控铜硫硒纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法-CN201410204609.0有效
发明人： 罗林保;胡瀚;于永强;王元;谢超;王先贺 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管，再通过电极引线外接，即可完成自驱动高速近红外光电探测器的制备。本发明中的近红外光电探测器使用透过率非常高石墨烯，增加了光的透光率，提高了光的响应度；通过在石墨烯和n型GaAs之间加上一层超薄的钝化层，减小了暗电流噪声，大大缩短了响应时间；本发明中的近红外探测器结构简单、成本很低、响应速度快、开关比大、暗电流噪声小、以及探测率高等优点，具有很大的市场应用潜力。
一种驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种多壁碳纳米管/聚苯胺纳米纤维复合材料超级电容器电极的制备方法-CN201310290351.6有效
发明人：李强;陈翌庆;罗林保;吴春艳;王莉 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种多壁碳纳米管/聚苯胺纳米纤维复合材料超级电容器电极的制备方法，其特征是按如下步骤进行：首先利用聚苯乙烯磺酸分散多壁碳纳米管，然后制备聚苯胺纳米纤维，最后制备多壁碳纳米管/聚苯胺纳米纤维复合材料超级电容器电极。本发明以碳纳米管/聚苯胺纳米纤维复合材料制备超级电容器的电极，制备方法简单，适用于工业化生产，且本发明所制备的超级电容器电极的导电性高、等效电阻低、充放电循环稳定性高。
一种多壁碳纳米苯胺纤维复合材料超级电容器电极制备方法

[发明专利]基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法-CN201310287477.8有效
发明人： 罗林保;聂彪;谢超;曾龙辉;谢伟杰;王先贺 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为氧化锌纳米棒阵列的面积的1/4到1/3；在绝缘层上覆盖有单层石墨烯，单层石墨烯一部分与绝缘层接触，剩余部分覆盖在氧化锌纳米棒阵列上；在单层石墨烯上设置有金属电极层。本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备成本低、无污染、且光探测能力强的紫外光电探测器，为石墨烯和氧化锌纳米结构在紫外光电探测器的应用中奠定了基础。
基于单层石墨氧化锌纳米阵列肖特基结紫外光电探测器及其制备方法