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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储装置-CN97103086.3无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-03-24 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。
非易失性存储装置

[发明专利]非易失性存储装置-CN03158490.X无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-03-24 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。
非易失性存储装置

[发明专利]用于制造非易失存储器件的方法-CN98108027.8无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1998-04-28 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种制造非易失存储器件的方法，包括在第一导电型衬底下形成第二导电型位线；形成隔离层和第一导电层，形成第一导电线；在衬底上形成栅极隔离层，形成隧道效应隔离层；形成第二导电层，形成用于位线间浮置栅和程序栅的第二导电线；在第二导电线上形成介质膜；形成第三导电层和绝缘层，形成字线和浮置栅；在构图的绝缘层、字线、介质层和浮置栅的两侧形成绝缘侧壁垫；用垫作掩模对程序隧道效应绝缘层构图，形成接触孔，形成通过该孔连到程序栅的程序线。
用于制造非易失存储器件方法

[发明专利]非易失存储器的制造方法-CN98108024.3无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1998-04-28 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：非易失存储器的制造方法，包括制备第一导电型半导体衬底；以预定间隔一方向在半导体衬底中形成多条位线；以预定间隔在垂直位线方向形成多个场氧化膜；在半导体衬底整个表面上形成栅绝缘膜；与位线同方向，各位线间栅绝缘膜上形成具有预定间隔的浮置线；在包括浮置线的半导体衬底整个表面上形成介电膜；在介电膜上形成导电层和绝缘膜，进行选择性去除，在各场氧化膜间垂直各位线形成多条字线；在各字线的两侧形成绝缘膜侧壁垫；用字线和绝缘膜侧壁垫作掩膜，选择去除介电膜和浮置线，形成多个浮置栅极；在各浮置栅极两侧形成隧道氧化膜；在各位线间形成多条编程线，与隧道氧化膜接触。
非易失存储器制造方法

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