专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种CT探测器模块及其定位组装方法-CN202310855495.5在审
  • 金坚诚;黄翌敏;潘海东;罗宏德 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-10-10 - A61B6/03
  • 本发明提供一种CT探测器模块及其定位组装方法,CT探测器模块包括载板、防散射格栅、主体结构件和信号处理板,主体结构件包括支架和两个端块,端块上设置有安装定位接口,用于将探测器模块安装在CT探测器子系统上,能够避免增加探测器模块的长度,使探测器模块结构紧凑。在组装该探测器模块时,先在探测器模块中构建第一基准面、第二基准面和第三基准面,再分别将上述基准面转换至探测器子系统和第二定位工装中,在第二定位工装中利用上述基准面完成对CT探测器模块的组装,利用统一的基准面定位、组装探测器模块,缩短了公差链,减少了误差来源,提高了定位精度,从而为图像的重建提供了充分的几何准确度。
  • 一种ct探测器模块及其定位组装方法
  • [发明专利]有机光电平板探测器-CN202110120262.1有效
  • 罗宏德;金利波 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2021-01-28 - 2023-10-10 - H10K39/32
  • 本发明提供一种有机光电平板探测器,包括基底、TFT元件、有机光电二极管及第二底电极;基底上交替定义有像素区域及非像素区域;TFT元件形成于非像素区域,包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极及沟道层,且源极延伸至像素区域;有机光电二极管形成于像素区域,自下而上依次包括第一底电极层、第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层,第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层均自像素区域向外延伸到TFT元件上方,第一底电极层位于源极表面;第二底电极位于TFT元件上方且被第一界面层覆盖;有机光电平板探测器工作时,第二底电极的电位大于上电极层的电位,由此可以大幅度减小图像的拖影(lag)以及像素之间的信号串扰,有助于提高图像质量。
  • 有机光电平板探测器
  • [发明专利]直接型多能平板探测器及其制备方法-CN202210625899.0在审
  • 罗宏德;金利波 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2022-06-02 - 2022-09-20 - H01L27/146
  • 本发明提供一种直接型多能平板探测器及其制备方法,该探测器包括:由至少两个依次叠置粘合的直接型平板探测器像素子单元形成的直接型多能平板探测器像素结构;直接型平板探测器像素子单元由下向上依次包括绝缘基底、TFT元件、下电极、电子传输层、直接型感光层、空穴传输层及上电极;直接型感光层的材料为PbO、PbI2、钙钛矿中的一种;其中,钙钛矿符合ABX3结构,A为+1价元素,B为+3价元素,X为‑1价元素;每个直接型多能平板探测器像素结构中的直接型感光层的厚度由下向上依次减小。本发明的探测器在同等X射线吸收下,膜厚远低于非晶硒,并结合界面层,可进一步提升性能;另外本发明的平板探测器空间分辨率高、图像清晰并且具有高低能谱分辨功能。
  • 直接多能平板探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种硅漂移探测器-CN202210626157.X在审
  • 翟琼华;罗宏德 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2022-06-02 - 2022-09-06 - H01L31/115
  • 本发明提供一种硅漂移探测器,X射线自硅漂移探测器的入射端面入射,入射端面的两侧具有相对设置的第一表面和第二表面,对设置于第一表面的阳极施加高电位,对设置于第二表面的阴极施加均匀变化的负偏压,使硅漂移探测器内形成漂移电场,探测器的衬底内形成电子空穴对,在电场的作用下成电脉冲,实现入射射线的探测。本发明提供的硅漂移探测器增加了X射线的吸收深度,以获得更佳清晰的探测图像;另外,探测器的输出电容不依赖于探测器的灵敏区的面积,有助于减小探测器的噪声,提高能量分辨率,同时也有助于提高探测器的空间分辨率,获得更优的探测效果。
  • 一种漂移探测器
  • [发明专利]一种边缘入射探测器及其制作方法-CN202210036573.4在审
  • 翟琼华;韦小庆;罗宏德 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2022-01-11 - 2022-05-06 - H01L31/18
  • 本发明提供一种边缘入射探测器及其制作方法,该探测器包括半导体层、隔离层、第一电极层、导电层及第二电极层,其中,半导体层包括位于半导体层的背面表层的第一导电类型掺杂层及位于半导体层正面表层的多个第二导电类型体区,隔离层位于半导体层的上表面,且包括多个间隔设置的凹槽及位于凹槽底部并显露体区的第一开口,第一电极层位于隔离层的上表面及填充凹槽,并通过第一开口与体区电接触,导电层位于半导体层及隔离层的侧壁,并与掺杂层电接触,第二电极层位于半导体层的背面,且与掺杂层电接触。本发明通过于半导体层的侧壁设置与半导体层电接触的第一导电类型导电层,避免了设置保护环,减小了死区面积,提升了X射线的收集效率。
  • 一种边缘入射探测器及其制作方法
  • [发明专利]一种拼接式平板探测器及其制备方法-CN202111357258.3在审
  • 罗宏德;金利波 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2021-11-16 - 2022-03-25 - H01L27/146
  • 本发明提供一种拼接式平板探测器及其制备方法,该拼接式平板探测器包括拼接式平板探测器基板及闪烁体层,其中,所述拼接式平板探测器基板包括多块拼接在一起的平板探测器基板及位于相邻所述平板探测器基板的拼接缝上方或拼接缝中的连接体;所述闪烁体层覆盖所述平板探测器基板的上表面及所述连接体的显露表面。本发明通过于平板探测器基板之间的所述拼接缝上方或者所述拼接缝中设置所述连接体,且所述连接体的材质与所述平板探测器基板的材质相同,实现了所述平板探测器基板的无缝拼接,消除了由所述拼接缝引起的所述闪烁体层的开裂及脱落的问题。
  • 一种拼接平板探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种指纹识别装置及其制作方法与识别方法-CN202111356066.0在审
  • 罗宏德;金利波 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2021-11-16 - 2022-03-15 - G06V40/12
  • 本发明提供一种指纹识别装置、制作方法及其识别方法,该指纹识别装置包括基底、图像传感器层、压力发光膜层、封装层及背光源模组,其中,所述基底包括相对设置的第一表面及第二表面,所述图像传感器层位于所述基底的第一表面;所述压力发光膜层位于所述图像传感器层背离所述基底的一面;所述封装层位于所述压力发光膜层背离所述图像传感器层的一面;所述背光源模组位于所述基底的第二表面。本发明通过所述封装层传送压力、所述压力发光膜层受压力产生荧光及所述图像传感器层接收荧光后转换成电荷并可以通过外部算法电路处理得到亮场图像信息的特性,实现了指纹的高精度识别。
  • 一种指纹识别装置及其制作方法识别方法
  • [发明专利]柔性折叠X射线探测器及其制备方法-CN202111188593.5在审
  • 史思罡;杨炯灿;孙建军;金利波;罗宏德 - 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
  • 2021-10-12 - 2022-02-11 - H01L27/146
  • 本发明提供一种柔性折叠X射线探测器及其制备方法,通过在衬底上形成柔性基底层、柔性感光阵列层、闪烁体层及柔性封装层后,在进行折叠操作后,形成位于衬底上的探测器堆叠结构,从而本申请在将一块探测器进行折叠后,可实现双能乃至多能的探测结果,从而可减少探测器数量,提高探测效率,且可以根据需要划分更多的能量区间,为更多能量信息的引入提供了条件,以提供更细的能谱区分,该探测器对于噪声的抑制更为有效,能够有效提高图像质量,且为柔性探测器,可便捷的对曲面的待测物体进行检测,从而本申请可提供一种工艺简单、成本低、操作便捷、图像质量较高的X射线探测器。
  • 柔性折叠射线探测器及其制备方法
  • [发明专利]有机光电平板探测器-CN202011611733.0在审
  • 罗宏德;金利波 - 奕瑞影像科技(太仓)有限公司
  • 2020-12-30 - 2021-05-14 - H01L27/30
  • 本发明提供一种有机光电平板探测器,包括:基底、TFT元件、TFT保护层、有机转光层、底电极及顶电极;基底设置有尺寸由下向上逐渐减小的像素孔,且其通过刻蚀形成TFT保护层时形成;有机转光层采用溶液法制备且包括填充于像素孔中的第一有机转光层及形成于TFT保护层上的第二有机转光层,基于像素孔的尺寸由下向上逐渐减小及采用溶液法,第一有机转光层与第二有机转光层之间不连续。通过将像素孔的尺寸设为由下向上逐渐减小,在采用溶液法整面涂布有机转光层时,有机转光材料会在像素孔周围被“截断”,使第一、第二有机转光层之间形成不连续的状态而自发“图形化”,使第二有机转光层内生成的光生载流子无法传输至像素区域内,大幅降低图像拖尾效应。
  • 有机光电平板探测器
  • [发明专利]间接型平板探测器及其制备方法-CN202011609243.7在审
  • 罗宏德;金利波 - 奕瑞影像科技(太仓)有限公司
  • 2020-12-30 - 2021-04-30 - H01L51/42
  • 本发明提供一种间接型平板探测器及其制备方法,包括:基底;下电极层;有机转光层,其制备原料包括P型有机光电材料、N型有机光电材料及用于溶于P型有机光电材料和N型有机光电材料的有机溶剂;上电极层;封装层,由第一封装层与第二封装层交替堆叠至少2组形成,第一封装层的材料包括派瑞林或聚酰亚胺,第二封装层的材料包括氧化铝、二氧化硅或氮化硅;闪烁体层,材料包括Ca1‑xSrxI2或Ca1‑xSrxI2:yEu2+,其中0≤x≤1,0.01%≤y≤5%。采用有机转光层并结合包括Ca1‑xSrxI2或Ca1‑xSrxI2:yEu2+材料的闪烁体层,有效提高间接型平板探测器的光响应,大幅提升平板探测器的灵敏度,可使平板探测器用于低剂量的应用场景;另外,通过设置封装层,可有效防止形成闪烁体层时对有机转光层的损伤。
  • 间接平板探测器及其制备方法
  • [发明专利]平板探测器结构及其制备方法-CN201811283739.2有效
  • 罗宏德;金利波 - 奕瑞影像科技(太仓)有限公司
  • 2018-10-31 - 2021-03-19 - H01L27/146
  • 本发明提供一种平板探测器结构及其制备方法,制备方法包括:提供基底,于基底上制备下电极层;提供射线吸收材料液体,射线吸收材料液体包括含铅化合物液体;将射线吸收材料液体涂布于下电极层上,以基于涂布的射线吸收材料液体于下电极层上制备转光层;于转光层上制备上电极层。本发明改进了现有的转光层的材料,提高了转光层的射线吸收能力,减小了转光层的厚度,对转光层等的形成方法进行设计,解决了形成多晶结构存在的问题,提高器件化学组成及相的均一性,提高图像的均匀性,提高原料的有效利用率,简化工艺设备,对探测器的结构进行设计,改善了漏电流的问题,降低了探测器的噪声,提高了灵敏度及对比度,改善了探测器电极材料,降低成本。
  • 平板探测器结构及其制备方法
  • [发明专利]一种水中总铬快速检测方法以及检测试剂盒-CN201410272337.8有效
  • 赵洋甬;杨惠;胡建林;沈碧君;赵建平;潘双叶;罗宏德;翁燕波;徐能斌;卢珊青 - 宁波市环境监测中心
  • 2014-06-18 - 2016-09-14 - G01N21/31
  • 本发明的涉及一种水中总铬快速检测方法,包括以下步骤,取待测水样,取pH试纸测试待测水样pH值并调节pH;取5ml待测水样置于预置有2ml过硫酸钾溶液的预制管中,并加入0.2ml硫酸铜溶液;开启加热消解器,设置温度为165℃,当温度到达165℃后,将混合水样的预制管插入加热消解槽内,闭管消解10分钟;消解完成后,取出冷却至室温,然后加入0.05ml磷酸溶液,混合均匀后再加入0.2ml二苯碳酰二肼显色液;将上述混合溶液静置10分钟后,插入光度计的比色槽中,以空白为对照,在540nm处比色分析;将待测水样的吸光度代入总铬标准曲线,并乘以稀释倍数,得到总铬浓度。本快速检测方法操作简单,检测速度快,有毒试剂使用量少。并提供了一种用于该检测方法的携带方便、使用顺手的检测试剂盒。
  • 一种水中快速检测方法以及试剂盒

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