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[发明专利]使用低相干干涉测量法测量物体表面的方法和系统-CN202310490144.9在审
发明人：珍-弗朗索瓦·布朗热;伊莎贝尔·贝尔然 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。
使用相干干涉测量物体表面方法系统

[发明专利]使用低相干干涉测量法测量包括不同结构的物体表面的方法和系统-CN201980089648.1有效
发明人：珍-弗朗索瓦·布朗热;伊莎贝尔·贝尔然 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。
使用相干干涉测量包括不同结构物体表面方法系统

[发明专利]用于光学检查衬底的方法和系统-CN201880089068.8有效
发明人：马约·杜朗德热维涅 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检查衬底(2)的方法(100、200)并且涉及一种实施这种方法的检查系统，所述方法包括以下步骤：在源自同一个光源(20)的两个光束(4、5)的相交处创建测量空间，并且所述测量空间包含干涉条纹，所述衬底(2)相对于所述测量空间移动；获取(102、202)表示由衬底(2)散射的光的测量信号；计算(108、208)表示缺陷(3)穿过测量空间的期望信号的至少一个期望调制频率；确定(114、214)表示所述测量信号在邻域中的频率含量的特征值，以构成表示缺陷(3)的存在的已验证信号；以及分析所述已验证信号以定位和/或识别缺陷(3)。
用于光学检查衬底方法系统

[发明专利]用于检查包括非相似材料的对象的表面的方法和装置-CN201980017172.0有效
发明人：珍-弗朗索瓦·布朗热;斯特凡·戈德尼 -专利权人： 统一半导体公司;原子能和替代能源委员会
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量待测量对象(300)的表面(400)的轮廓的方法(100)，所述表面尤其包括由至少两种不同材料制成的区域，待测对象(300)形成多个基本上相同的对象的部分，多个对象还包括具有至少一个参考表面的至少一个参考对象(304、306)，所述方法(100)包括以下步骤：根据第一参考表面的第一轮廓信号和第二参考表面的第二轮廓信号，确定(102)校正函数，所述第二参考表面被金属涂覆；获取(110)待测对象的表面的轮廓信号；以及将校正函数应用(116)于待测对象(300)的表面(400)的轮廓信号，以获得经校正的轮廓信号；所述轮廓信号是从干涉测量(104、112)获得的。本发明还涉及一种用于使用这种方法来测量对象的表面的轮廓的装置。
用于检查包括相似材料对象表面方法装置

[发明专利]用于通过激光多普勒效应检测用于微电子或光学的板的方法和系统-CN201780021710.4有效
发明人：菲利普·加斯塔尔多;马约·杜朗德热维涅;特里斯坦·孔比耶 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。
用于通过激光多普勒效应检测微电子光学方法系统

[发明专利]用于检查样品的多通道共焦传感器和相关方法-CN201880048331.9有效
发明人：特里斯坦·孔比耶;菲利普·加斯塔尔多 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：一种多通道共焦传感器，其包括光源(14)、聚焦透镜布置(10)以及光学检测器(25)。该传感器还包括：‑第一光学集成电路(11)，其布置为将来自所述宽频带光源的光束(24)分离成多个发射光束，所述多个发射光束施加到发射孔(29)的高密度阵列；‑第二光学集成电路(20)，其布置为在多个收集孔(18)上收集来自待检查样品(17)的多个反射光束并且将所述反射光束传输到光学检测器(25)；‑分束器(22)，其布置为(i)通过聚焦透镜布置(10)将所述发射光束从第一光学集成电路(11)引导到检查基底(17)，以及(ii)通过聚焦透镜布置(10)将反射光束从检查样品(17)引导到第二光学集成电路(20)中。
用于检查样品通道传感器相关方法

[发明专利]用于集成电路板的定位装置和用于包括这种定位装置的集成电路板的检测装置-CN201780037424.7有效
发明人：西尔万·珀蒂格朗德 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于定位集成电路晶片(W)的定位装置(100)，包括：‑称为上基座的基座(102)和称为下基座的基座(106)，所述基座在称为垂直方向的方向(Z)上彼此相距一定距离布置，以便在所述基座(102，106)之间产生自由空间；‑支撑件(110)，其能够在上基座(102)和下基座(106)之间移动，并包括用于接收待检测的所述电路板(W)的接收位置(112)；‑用于定位所述支撑件(110)的至少一个第一装置(118)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述上基座(102)或与所述上基座(102)配合；和‑用于定位所述支撑件(110)的至少一个第二装置(122)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述下基座(106)或与所述下基座(106)配合。本发明还涉及一种用于检测使用这种定位装置的集成电路板的装置。
用于集成电路板定位装置包括这种检测

[发明专利]暗场光学检查装置-CN201980066101.X在审
发明人： M·杜兰德·德热维涅 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种对诸如用于电子器件、光学器件或电子器件的晶片的基板(3)进行检查的暗场光学装置(1)，该暗场光学装置包括：光源(4)，该光源生成被投射到基板(3)的检查区(P)上并且能够以漫射辐射(5)的形式从该检查区反射的至少一个入射照明光束(4a、4a’、4a”)；至少一个第一收集装置(7a)以及一个第二收集装置(7b)；以及反射光学装置(6)，该反射光学装置沿收集装置(7a、7b)的方向引导漫射辐射(5)的从与检查区(P)重合的光学收集焦点(F)发出的至少一部分，反射光学装置具有第一反射区(6a)和第二反射区，从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭的第一光学检测焦点(Fa)反射漫射辐射(5)的第一部分，并且从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭并与第一光学检测焦点(Fa)分离的第二光学检测焦点(Fb)反射漫射辐射(5)的第二部分。
暗场光学检查装置

[发明专利]用于显微镜的照明设备-CN201980026694.7在审
发明人：马约·杜朗德热维涅;热罗姆·波尔凯 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G02B21/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种照明设备(1、100)，其用于具有成像物镜(2)的成像系统，所述照明设备包括：套筒(10)，其被配置为围绕所述成像物镜(2)定位；至少一根光纤(14)，所述至少一根光纤与所述套筒(10)刚性连接，并且被布置为引导来自至少一个光源的光；以及引导装置(17、17')，其被配置为定向由所述至少一根光纤(14)发射的光束，以便沿照明轴线照射所述成像系统的视场，所述照明轴线相对于所述物镜(2)的光轴形成大于成像系统的数值孔径的角度。本发明还涉及一种使用该装置的成像系统。
用于显微镜照明设备

[发明专利]用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法-CN201580052115.8有效
发明人：吉莱斯·弗莱斯阔特 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的设备或仪器，其包括(i)轮廓测定装置(10)，其被布置为根据至少一个测量区域对晶片(12)的所述第一表面(13)进行形状测量；(ii)成像装置(11)，其面对所述轮廓测定装置(10)，并且被布置为根据至少一个成像区域在晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像；所述轮廓测定装置(10)和所述成像装置(11)被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系(15)内参照就位。本发明还涉及在所述设备或仪器中实施的方法。
用于加工期间晶片控制表面轮廓测定设备方法

[发明专利]用于检验用于电学、光学或光电学的透明晶片的方法和系统-CN201580052315.3有效
发明人：马约·杜朗德热维涅;菲利普·加斯塔尔多 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
用于检验电学光学透明晶片方法系统

[发明专利]用于光学检查和测量物体表面的方法和系统-CN201780022856.0在审
发明人：珍-弗朗索瓦·布朗热;伯努瓦·图伊 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于检查和测量物体表面的方法(100)，该表面包括至少两个相对于彼此在深度上交错的面，所述面特别地形成所述表面上/中的阶梯或沟槽，所述方法(100)包括以下步骤：在所述被检查表面的称为测量点的几个点处测量(102)称为被测信号的干涉信号；针对至少一个测量点，相对于至少一个、特别是每个面提取(108)被测信号，所述提取(108)向所述测量点和所述面传递称为单独干涉信号的干涉信号；分别对每个面的单独信号进行轮廓测量分析(110)。本发明还涉及一种实现这种方法的用于检查和测量物体表面的系统。
测量物体表面干涉信号测量点被测信号单独信号光学检查检查表面轮廓测量面提取交错测量检查传递分析

[发明专利]用于诸如晶片等对象的2D/3D检测的方法-CN201780019774.0在审
发明人：吉莱斯·弗莱斯阔特;阿兰·库特维尔;菲利普·加斯塔尔多 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测诸如包括三维结构(11)的晶片等对象(10)的表面的方法，其使用具有多个光学测量通道(24)的共焦色差装置和色差透镜(13)，色差透镜(13)允许宽频带光源(19)的光学波长聚焦在限定色差测量范围的不同的轴向距离处，该方法包括以下步骤：通过测量由共焦配置的光学测量通道(24)中的至少一些测量通道收集的光在全光谱上的总强度，来获得与在对象(10)上的多个测量点(15)处，实际聚焦在色差测量范围内的对象(10)的界面上的光的强度相对应的强度信息。
光学测量色差测量色差透镜共焦晶片聚焦色差宽频带光源测量通道光学波长强度信息三维结构轴向距离测量点配置的全光谱种检测测量

[发明专利]用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法和系统-CN201580052310.0有效
发明人：马约·杜朗德热维涅;菲利普·加斯塔尔多 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。
用于检验电学光学晶片方法系统

[发明专利]用于测量存在薄层时的高度的装置和方法-CN201680074722.9在审
发明人：让-菲利浦·皮埃尔;苏武佑;伯努瓦·图伊 -专利权人： 统一半导体公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量诸如晶片等测量对象(24)的高度和/或厚度的装置，包括：(i)第一低相干干涉仪，布置成将参考光束(17)和源自所述光在测量对象(24)的界面上的反射的测量光束(16)组合在光谱仪(18)中，以便产生具有光谱调制频率的带光谱信号(41)；(ii)用于改变测量光束(16)和参考光束(17)的相对光学长度的移动单元(21)，和用于测量表示所述相对光学长度的位置信息的单元；(iii)电子和计算单元(20)，布置成确定表示测量光束(16)和参考光束(17)之间的光程差的至少一个光谱调制频率，并使用所述位置信息和所述至少一个光谱调制频率来确定所述测量对象(24)的至少一个高度和/或厚度；以及(iv)第二光学单元(27)，用于利用第二测量光束(28)来测量距离和/或厚度，其中该第二测量光束入射到测量对象(24)上的与测量光束(16)相反的第二面上。本发明还涉及在所述装置中实施的方法。
测量对象参考光束测量光束光谱调制第二测量测量相干干涉仪光谱仪测量距离改变测量光谱信号光束入射光学单元计算单元移动单元光程差薄层晶片反射

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