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[发明专利]具有异质结结构的穿隧薄膜晶体管-CN201680007675.6有效
发明人：野村见次;约翰·贤哲·洪 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种包含p‑n异质结结构的薄膜晶体管TFT。p‑n异质结结构可包含窄带隙材料与宽带隙材料之间的结。可为氧化物、氮化物、硒化物或硫化物的所述窄带隙材料为所述TFT的有源沟道材料，且可提供相对较高的载流子迁移率。所述异质结结构促进能带间穿隧及TFT断开电流的抑制。在各种实施方案中，所述TFT可形成于柔性衬底上且具有低温处理能力。
具有异质结结构薄膜晶体管

[发明专利]P型氧化物半导体薄膜的原子层沉积-CN201580069315.4有效
发明人：野村健二;约翰·贤哲·洪 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文中提供通过原子层沉积ALD来沉积p型金属氧化物薄膜的方法。还提供p型金属氧化物薄膜和包含p型金属氧化物沟道的TFT。在一些实施方案中，所述p型金属氧化物薄膜具有小于1019/cm3的金属和氧空位缺陷密度。所述p型金属氧化物薄膜可贯穿所述薄膜的整体厚度为电活性的。
氧化物半导体薄膜原子沉积

[发明专利]非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法-CN201280056853.6有效
发明人：金天弘;塔利斯·扬·张;约翰·贤哲·洪 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供用于制造薄膜晶体管TFT装置的系统、方法及设备。在一方面中，提供具有源极区域、漏极区域及通道区域的衬底。金属阳离子被注入于上覆于所述衬底的所述源极区域及所述漏极区域的氧化物半导体层中。金属阳离子注入在上覆于所述衬底的所述源极区域及所述漏极区域的所述氧化物半导体层中形成经掺杂n型氧化物半导体。
氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]保护显示器元件阵列中的薄膜晶体管免受可见光及紫外光的影响-CN201580028188.3在审
发明人：金天弘;从明·高;马建;周丽霞;塔利斯·扬·张;陈淑治;约翰·贤哲·洪 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种显示器组合件，其包含安置于第一衬底与第二衬底之间的显示器元件阵列，所述显示器元件阵列包含一或多个薄膜晶体管TFT。黑色掩模布置安置于所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述黑色掩模布置经配置以防止进入所述显示器组合件的光到达所述TFT。
保护显示器元件阵列中的薄膜晶体管免受可见光紫外光影响

[发明专利]具有RGB吸收器的多状态IMOD-CN201380018473.8有效
发明人：建·J·马;塔利斯·扬·常;约翰·贤哲·洪;琼·厄克·李 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：一种显示设备可包含多状态IMOD，例如模拟IMOD AIMOD、3状态IMOD(例如具有白色状态、黑色状态和一个彩色状态)或5状态IMOD(例如具有白色状态、黑色状态和三个彩色状态)。所述多状态IMOD可包含可移动反射层和吸收器堆叠。所述吸收器堆叠可包含第一吸收器层，其具有第一吸收系数和在第一波长下的第一吸收峰；第二吸收器层，其具有第二吸收系数和在第二波长下的第二吸收峰；以及第三吸收器层，其具有第三吸收系数和在第三波长下的第三吸收峰。所述第一、第二和第三吸收层可具有在每一相邻吸收器层的吸收峰的中心处下降到接近零的吸收水平。
具有 rgb 吸收状态 imod

[发明专利]提高IMOD的色彩性能-CN201480012940.0有效
发明人：吉安·J·马;约翰·贤哲·洪;塔利斯·扬·张;曾寰绍 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制作和控制单镜干涉式调制器IMOD的系统、方法和设备，其包含编码于计算机存储媒体上的计算机程序，所述单镜干涉式调制器可为多状态IMOD或模拟IMOD。在一个方面中，IMOD的可移动反射体堆叠或吸收体堆叠可包含至少一个突出部，所述至少一个突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于吸收体层倾斜。所述突出部可经配置以在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。所述吸收体堆叠可包含吸收体层，所述吸收体层具有在红色波长处的较低消光系数值和在蓝色波长处的较高消光系数值。
提高 imod 色彩性能

[发明专利]多栅极薄膜晶体管-CN201380038720.0有效
发明人： 约翰·贤哲·洪;金天弘;冯子青 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供多栅极晶体管、结构、装置、设备、系统及有关工艺的实施方案。在一个方面中，一种装置包含布置在衬底之上的薄膜半导体层。漏极及源极耦合到所述半导体层。所述装置还包含第一栅极、第二栅极及第三栅极，其皆邻近所述半导体层而布置且经配置以分别接收第一控制信号、第二控制信号及第三控制信号。介电层使所述栅极与所述半导体层及彼此绝缘。在第一模式中，所述第一栅极、所述第二栅极及所述第三栅极经配置以使得电荷存储在邻近所述第二栅极的所述半导体层的区中的势阱中。在第二模式中，所述第一栅电极、所述第二栅电极及所述第三栅电极经配置以使得所述所存储电荷穿过邻近所述第三栅电极的所述半导体层的所述区转移且穿过所述源极转移到负荷。
栅极薄膜晶体管

[发明专利]用于达成不变的色彩偏轴视野的光纤阵列-CN201480049581.6有效
发明人： 约翰·贤哲·洪;建·吉姆·马;文兵;塔利斯·扬·张 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G02B6/08 文献下载
摘要：本文中所描述的一些实施方案涉及界定视角范围，其在本文中也被称为视野锥。可由显示器上的光纤阵列来产生所述视野锥。所述光纤阵列可包含能够增加透射穿过所述光纤阵列的光的量的锥形光纤。所述光纤阵列可为分级折射率式光纤阵列，其中光纤芯的所述折射率沿所述光纤的轴线而变化。
用于达成不变色彩视野光纤阵列

[发明专利]具有分段电极的机电系统-CN201480014003.9有效
发明人：爱德华·杰·廉·陈;约翰·贤哲·洪;琼·厄克·李;伊萨克·克拉克·莱因斯 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明提供用于在机电系统EMS装置内增加可移动层的稳定行进位置范围的系统、方法以及设备。在一个方面中，电隔离的浮动电极可被设置在可移动层内的驱动电极和固定电极之间，以便增加所述可移动层的稳定行进范围。通过将所述电隔离的浮动电极分段成多个隔离电极段，响应于所述可移动层的倾斜的不平衡的电荷积聚可被限制以进一步增加所述可移动层的所述稳定行进范围。
具有分段电极机电系统

[发明专利]对机电系统显示装置的蓝移的实时补偿-CN201380058438.9有效
发明人：吉安·J·马;约翰·贤哲·洪;琼·厄克·李;塔利斯·扬·张 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明提供与机电系统显示装置相关的系统、方法和设备。在一个方面中，一种设备包含显示组合件、传感器和处理器。所述显示组合件可包含机电系统显示装置阵列。所述传感器可经配置以提供信号，所述信号指示相对于垂直于所述显示组合件的线的照明角度、观看角度或两者。所述处理器可经配置以：从所述传感器接收所述信号；确定所述照明角度和/或观看角度；及处理图像数据以补偿所述所确定的照明角度和/或观看角度。在一个实施方案中，处理所述图像数据以补偿从所述机电系统显示装置中的至少一者反射的光的波长的移位，所述移位将由于非正交照明角度和/或观看角度而发生。
机电系统显示装置实时补偿

[发明专利]包含可移动吸收体及可移动反射体组合件的机电系统显示装置-CN201380056326.X有效
发明人：建·J·马;约翰·贤哲·洪 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明提供用于包含可移动吸收体组合件以及可移动反射层的模拟或多状态机电系统显示装置的系统、方法及设备。在一个方面中，机电系统显示装置可包含可移动反射体组合件及可移动吸收体组合件。所述吸收体组合件可安置于所述反射体组合件与衬底之间。当所述反射体组合件处于反射体白色/黑色位置中时，所述吸收体组合件可经配置以移动到靠近所述反射体组合件且界定第一间隙的吸收体白色状态位置。当所述反射体组合件处于所述反射体白色/黑色位置中时，所述吸收体组合件可经配置以移动到更接近于所述衬底而界定第二间隙的闭合位置。当所述吸收体组合件处于所述闭合位置中时，所述反射体组合件可经配置以从所述反射体白色/黑色位置移动以增加所述第二间隙的高度。
包含移动吸收体反射组合机电系统显示装置

[发明专利]用于具有有限创新速率的可变脉冲宽度信号的分析和重构的系统和方法-CN201280066329.7在审
发明人：小罗伊·富兰克林·奎克;罗纳德·埃尔登·克罗基耶雷;约翰·贤哲·洪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G06F17/14 文献下载
摘要：本发明描述用于界定和参数化含有不同宽度的脉冲的信号或系统响应的系统和方法。参数可界定所述信号，且因此可等同于原始信号的经压缩版本。所述参数作为所述信号的经压缩版本的存储需要较少存储空间，从而使信号的存储更具存储器效率。
用于具有有限创新速率可变脉冲宽度信号分析系统方法

[发明专利]硅化物间隙薄膜晶体管-CN201280045503.X无效
发明人： 约翰·贤哲·洪;琼·厄克·李 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制造薄膜晶体管装置的系统、方法及设备。在一个方面中，提供衬底，所述衬底包含在衬底表面上的硅层。在所述硅层上形成金属层。在所述金属层及所述衬底表面的暴露区域上形成第一电介质层。处理所述金属层及所述硅层，且所述金属层与所述硅层反应以形成硅化物层及介于所述硅化物层与所述电介质层之间的间隙。在所述第一电介质层上形成一非晶硅层。加热及冷却所述非晶硅层。上覆于所述衬底表面的所述非晶硅层以快于上覆于所述间隙的所述非晶硅层的速率冷却。
硅化物间隙薄膜晶体管

[发明专利]非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法-CN201280021881.4有效
发明人：金天弘;约翰·贤哲·洪;潘耀玲 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供用于制造薄膜晶体管装置的系统、方法及设备。在一个方面中，提供衬底，其具有源极区域、漏极区域及介于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。所述衬底还包含氧化物半导体层、上覆在所述沟道区域上的第一电介质层，及在所述电介质层上的第一金属层。在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层上形成第二金属层。处理所述氧化物半导体层及所述第二金属层，以在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层中形成重掺杂n型氧化物半导体。还可在所述第二金属层中形成氧化物。
氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

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