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[发明专利]用于减轻图案塌陷的改善填充材料-CN201880058583.X在审
发明人：德萨拉吉·瓦拉帕萨德;谢松元;约瑟夫·T·肯尼迪 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于防止半导体衬底中形成的图案化高纵横比特征在从该特征之间的空间移除用于清洁蚀刻残留物的类型的初始流体时发生塌陷的方法。在本方法中，空间至少部分地填充有置换溶液，诸如经由旋涂，以基本上置换初始流体。该置换溶液包括至少一种溶剂以及以苯酚‑甲醛聚合物形式的第一填充材料和/或以聚烯烃碳酸酯(PAC)形式的第二填充材料中的至少一者或其组合。然后使该溶剂挥发以便使填充材料以基本上固体形式沉积在空间内。与使用当前填充材料相比，可以经由高蚀刻速率通过已知等离子体蚀刻过程来移除填充材料，这防止或减轻了硅损失。
用于减轻图案塌陷改善填充材料

[发明专利]间隙填充介电材料-CN201880006635.9在审
发明人：雅米妮·潘迪;海伦·晓·徐;约瑟夫·T·肯尼迪 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于使半导体器件表面平面化的组合物，该组合物包含聚(甲基倍半硅氧烷)树脂；季铵盐和氨基丙基三乙氧基硅烷盐中的至少一者；以及至少一种溶剂。聚(甲基倍半硅氧烷)树脂在该组合物的1重量％至40重量％的范围内。聚(甲基倍半硅氧烷)树脂具有500Da与5,000Da之间的重均分子量。季铵盐和氨基丙基三乙氧基硅烷盐中的至少一者在该组合物的0.01重量％至0.20重量％的范围内。至少一种溶剂构成该组合物的剩余部分。
甲基倍半硅氧烷树脂氨基丙基三乙氧基硅烷季铵盐溶剂半导体器件表面重均分子量间隙填充介电材料平面化