“约瑟夫·叶季纳科”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]功率半导体器件-CN201820822458.9有效
发明人：吴小利;约瑟夫·叶季纳科 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体器件。在一般性方面，功率半导体器件可包括具有有源区和终止区的半导体区。所述器件还可包括多个沟槽屏蔽电极，所述多个沟槽屏蔽电极各自具有设置在所述有源区中的第一部分以及设置在所述终止区中的第二部分。所述沟槽屏蔽电极中的一个或多个可具有延伸第一距离进入所述终止区的第二部分，而一个或多个其他沟槽屏蔽电极可具有延伸第二距离进入所述终止区的第二部分，所述第二距离小于所述第一距离。具有延伸所述第二距离进入所述终止区的所述第二部分的所述沟槽屏蔽电极可与具有延伸所述第一距离进入所述终止区的所述第二部分的所述沟槽屏蔽电极交错。
沟槽屏蔽电极终止区功率半导体器件延伸源区本实用新型半导体区交错

[实用新型]功率半导体器件-CN201820499686.7有效
发明人： 约瑟夫·叶季纳科;吴小利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体器件。该器件可包括半导体区中限定的第一沟槽屏蔽电极和第二沟槽屏蔽电极，所述第一沟槽屏蔽电极和所述第二沟槽屏蔽电极各自具有设置在有源区中的第一部分以及设置在终止区中的第二部分。所述第一沟槽屏蔽电极的沟槽和所述第二沟槽屏蔽电极的沟槽可在其间限定所述半导体区的台面。所述器件还可包括设置在所述终止区中的注入物富集区，所述注入物富集区可与所述第一沟槽屏蔽电极和所述第二沟槽屏蔽电极相交，并且可具有设置在所述半导体区的所述台面中的一部分，所述部分从所述第一沟槽屏蔽电极的所述沟槽延伸到所述第二沟槽屏蔽电极的所述沟槽。
沟槽屏蔽电极半导体区功率半导体器件富集区终止区注入物台面本实用新型源区相交延伸

[发明专利]制备半导体结构以及相关器件的方法-CN201410033335.3无效
发明人： 约瑟夫·叶季纳科;理查德·斯托克斯;苏亨杜·德布·罗伊;史蒂文·萨普 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明描述了制备半导体结构、功率半导体器件及屏蔽栅极MOSFET器件的方法。制备半导体结构的方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上提供外延层，所述外延层包括底部和上部，所述底部包含在整个所述底部上基本上恒定的第一浓度的第一导电型掺杂物，所述上部包含具有比所述第一浓度低的第二浓度的第一导电型掺杂物；在所述外延层中提供沟槽；在所述沟槽中形成晶体管结构；以及在与所述沟槽相邻的所述外延层的所述上部形成阱区，所述阱区包含与所述第一导电型相反的第二导电型掺杂物。还描述了其他实施例。
制备半导体结构以及相关器件方法

[发明专利]用于改进沟槽屏蔽式半导体装置和肖特基势垒整流器装置的结构和方法-CN201080008591.7有效
发明人：托马斯·E·格雷布斯;马克·赖尼希默;约瑟夫·叶季纳科;迪安·E·普罗布斯特;加里·多尔尼;约翰·本杰明 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明说明了用于改进沟槽屏蔽式功率半导体装置等的性能的各种结构和方法。
用于改进沟槽屏蔽半导体装置肖特基势垒整流器结构方法

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top