“约亨·克拉夫特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN201880011999.6有效
发明人： 约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;安德森·辛格拉尼;拉斐尔·科佩塔;弗朗兹·施兰克 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体本体和导电通孔，该导电通孔延伸通过半导体本体的至少一部分，其中通孔具有在第一横向方向上给出的横向尺寸，该第一横向方向垂直于由通孔的主延伸轴线给出的垂直方向，并且其中通孔具有顶侧和背离顶侧的底侧。半导体器件还包括被布置在通孔的底侧处的平行于第一横向方向的平面中的导电蚀刻停止层，以及位于通孔的底部侧的平行于第一横向方向的平面中的至少一个导电接触层。蚀刻停止层在第一横向方向上的横向范围大于通孔的横向尺寸，并且接触层在第一横向方向上的横向范围小于通孔的横向尺寸。此外，蚀刻停止层在垂直方向上被布置在导电通孔与接触层之间。
半导体器件

[发明专利]用于制造半导体器件的方法以及半导体器件-CN201880060529.9有效
发明人：乔治·帕特德尔;约亨·克拉夫特;拉斐尔·科佩塔 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种用于制造半导体器件(10)的方法。该方法包括以下步骤：提供半导体主体(11)；在半导体主体(11)中沿垂直方向(z)形成沟槽(12)，该垂直方向(z)垂直于半导体主体(11)的延伸主平面；以及用隔离层(14)涂覆沟槽(12)的内壁(13)。该方法还包括以下步骤：用金属化层(15)涂覆内壁(13)处的隔离层(14)；至少部分地用导电接触层(17)涂覆半导体主体(11)的、形成有沟槽(12)的顶侧(16)，其中，接触层(17)与金属化层(15)电连接；用覆盖层(24)涂覆沟槽(12)并且至少部分地涂覆半导体主体(11)的顶侧(16)，以及通过至少部分地去除接触层(17)和覆盖层(24)，在半导体主体(11)的顶侧(16)处形成接触焊盘(18)。此外，提供一种半导体器件(10)。
用于制造半导体器件方法以及

[发明专利]使用荧光传感材料的化学感测装置-CN201880072983.6有效
发明人：马丁·桑迈斯特;维克托·西多罗夫;约亨·克拉夫特 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01N21/77 文献下载
摘要：化学感测装置包括半导体材料的衬底(1)、形成在衬底(1)中的集成电路组件(2)和光电检测器(3)、衬底(1)上的电介质(4)、在电解质内的布线(5)和电磁辐射源(6)、布置在电介质中或上方的波导(9)和荧光传感器层(14)。波导的一部分被布置为使得由电磁辐射源发射的电磁辐射耦合到波导中。波导的另一部分被布置在光电检测器和荧光传感器层之间。
使用荧光传感材料化学装置

[发明专利]用于检测动态压力变化的集成光学传感器和方法-CN201980059409.1有效
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔;延斯·霍弗里希特;卡塔林·拉扎尔;约亨·克拉夫特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种用于检测动态压力变化的集成光学传感器(1)包括：微机电系统MEMS管芯(10)，其具有MEMS膜片(11)，该MEMS膜片具有第二侧(13)以及暴露于动态压力变化的第一侧(12)；以及专用集成电路ASIC管芯(20)，其具有光学干涉仪组件。干涉仪组件包括光束分离元件(21)、光束合并元件(22)以及检测器(24)，该光束分离元件用于接收来自光源(23)的源光束(30)并用于将源光束(30)分离成在第一光束路径中的探测光束(31)和在第二光束路径中的参考光束(32)，该光束合并元件用于将探测光束(31)与参考光束(32)合并成叠加光束(33)，并且该检测器配置为根据叠加光束(33)来生成电子干涉信号。相对于ASIC管芯(20)将MEMS管芯(10)布置为使得在膜片的第二侧(12)与ASIC管芯(20)之间形成间隙，其中该间隙限定腔体(14)并具有间隙高度。探测光束(31)的第一光束路径包括：耦合到腔体(14)中、从膜片(11)的偏转点或偏转表面(16)反射出来以及耦合出腔体(14)。
用于检测动态压力变化集成光学传感器方法

[发明专利]衬底通孔及制造衬底通孔的方法-CN202080061616.3在审
发明人：乔治·帕特德尔;约亨·克拉夫特;斯蒂芬·杰森尼戈 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种开放式衬底通孔(1)TSV包括绝缘层(20)，该绝缘层与沟槽(14)的侧壁(15)的至少部分以及与衬底主体(10)的表面(13)相邻设置。TSV还包括：金属化层(30)，其与绝缘层(20)的至少部分以及与所述沟槽(14)的底壁(16)的至少部分相邻设置；再分布层(40)，其与金属化层(30)的至少部分以及与绝缘层(20)的与表面(13)相邻设置的部分相邻设置；以及覆盖层(50)，其与金属化层(30)的至少部分以及与再分布层(40)的至少部分相邻设置。绝缘层(20)和/或覆盖层(50)包括在材料特性方面彼此不同的子层(21、22、51、52)。子层中的第一层(21、51)与侧壁(15)的至少部分以及与表面(13)的至少部分相邻设置，并且子层中的第二层(22、52)与表面(13)的至少部分相邻设置。
衬底制造方法

[发明专利]键合结构及用于制造键合结构的方法-CN202080061637.5在审
发明人： 约亨·克拉夫特;伯恩哈德·斯特林;科林·斯蒂尔;珍·弗朗索瓦·瑟兰 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：键合结构(1)包括具有布置在衬底组件(20)的表面(22)上或内的多个第一焊盘(21)的衬底组件(20)，以及具有布置在集成电路组件(10)的表面(12)上或内的多个第二焊盘(11)的集成电路组件(10)。键合结构(1)还包括将第一焊盘(21)物理连接到第二焊盘(11)的多个连接元件(31)。集成电路组件(10)的表面(12)以倾斜角度(α)相对于衬底组件(22)的表面(22)倾斜，该倾斜角度由第一焊盘和第二焊盘(21、11)的表面尺寸的标称变化引起。
结构用于制造方法

[发明专利]形成贯穿衬底通孔的方法以及包括贯穿衬底通孔的半导体器件-CN201980022770.7在审
发明人： 约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;斯蒂芬·杰森尼戈;弗朗兹·施兰克;耶格·西格特 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供具有电介质(2)的衬底(1)、嵌入该电介质中的金属层(3)以及布置金属层上的含金属层(4)，该含金属层位于衬底与金属层之间。在衬底中以及衬底与金属层之间的电介质区域中形成导通孔(9)。在导通孔中施加绝缘层(11)并且从金属层的接触区域(10)上方将其去除，并且将含金属层从接触区域(10)完全去除。在导通孔中在接触区域上施加金属化部(12)。
形成贯穿衬底方法以及包括半导体器件

[发明专利]带有贯穿衬底通孔的半导体器件-CN201980029058.X在审
发明人： 约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;安德森·辛格拉尼;拉斐尔·科佩塔;弗朗兹·施兰克 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件(10)，包括半导体主体(11)；延伸穿过该半导体主体(11)的至少一部分的导电通孔(12)，其中所述通孔(12)具有顶侧(13)和背离该顶侧(13)的底侧(14)；在平行于横向方向(x)的平面中被布置在通孔(12)的底侧(14)处的蚀刻停止层(15)，其中横向方向(x)垂直于由通孔(12)的延伸主轴线给出的垂直方向(z)；以及在平行于横向方向(x)的平面中被布置在通孔(12)的底侧(14)处的导电接触层(16)。蚀刻停止层(15)在竖直方向(z)上被布置在导电通孔(12)和接触层(16)之间，蚀刻停止层(15)在横向方向(x)上的横向范围为通孔(12)在横向方向(x)上的横向范围的至少2.5倍，并且接触层(16)的横向范围小于通孔(12)的横向范围，或者接触层(16)的横向范围是通孔(12)的横向范围的至少2.5倍。
带有贯穿衬底半导体器件

[发明专利]使用波导的倏逝波的粒子密度传感器-CN201880072119.6在审
发明人： 约亨·克拉夫特;格奥尔格·勒雷尔;费尔南多·卡斯塔诺;安德森·辛格拉尼;保罗·迈尔霍费尔 -专利权人： AMS有限公司;格拉茨工业大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：粒子传感器装置包括：衬底(1)、光电检测器(3)、在衬底(1)上或衬底上方的电介质(4)、电磁辐射源(5)和在衬底(1)中的衬底通孔(6)。衬底通孔暴露于环境，特别是环境空气。在电介质中或电介质上方设置有波导(7)，使得由电磁辐射源发射的电磁辐射耦合到波导的一部分(7.1)。波导的另外的部分(7.2)与光电检测器相对，使得波导的所述部分位于衬底通孔的不同侧，并且波导横穿衬底通孔。
使用波导倏逝波粒子密度传感器

[发明专利]制造具有凸起接触的半导体器件的方法-CN201580007271.2有效
发明人： 约亨·克拉夫特;卡尔·罗拉赫尔;马丁·施雷姆斯 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：在半导体衬底(1)上或上方的介电层(2)中形成包括电导体(4、5、6、7)的布线(3)，在所述介电层中形成开口使由所述导体之一形成的接触焊垫(8)露出，并且在所述介电层中形成另一开口使与所述接触焊垫分离的另一导体(5)的区域露出。用导电材料(9)填充所述另一开口，并且从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，从而使得所述导电材料从所述介电层凸起。
制造具有凸起接触半导体器件方法

[发明专利]传感器芯片堆叠和制造传感器芯片堆叠的方法-CN201710536482.6在审
发明人：格奥尔格·帕特德;约亨·克拉夫特;弗朗茨·施兰克;托马斯·特克斯勒;安德里亚斯·菲茨伊 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种传感器芯片堆叠，包括半导体材料的传感器基板(1)，其包括传感器；芯片(10)，其被紧固到传感器基板，该芯片包括集成电路(11)；传感器基板和芯片之间的电互联(4)；芯片的电端子(19)，芯片被布置在电端子和传感器基板之间；以及模制材料(13)，其被布置成与芯片相邻，芯片的电端子没有模制材料。
传感器芯片堆叠制造方法

[发明专利]用于制造具有贯通接触件的半导体部件的方法和具有贯通接触件的半导体部件-CN201180043178.9有效
发明人： 约亨·克拉夫特;斯特凡·耶瑟尼希;京特·科皮奇;弗朗茨·施兰克;霍尔迪·泰瓦;伯恩哈德·勒夫勒;约尔格·西格特 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成穿过衬底（1）的半导体材料和金属层间介电层（2）的接触孔，并且在接触孔中露出连接金属平面（3）的面向衬底的接触区域。施加金属层（11），该金属层（11）形成：在接触区域上的连接接触件（12）；在接触孔中的贯通接触件（13）；以及在面向背离衬底的接触区域上和/或在上部金属平面（24）的竖直导电连接件（15）上的连接接触件（20）。
用于制造具有贯通接触半导体部件方法

1
共 12 条