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[发明专利]磁铁组态系统与在磁阻式随机存取记忆体晶片中侦测磁穿隧接面矫顽磁力弱位元的方法-CN202210179905.4在审
发明人： 简政尉;庄学理;沈桂弘;黄国峰;林柏宏;陈俊吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种磁铁组态系统与在磁阻式随机存取记忆体晶片中侦测磁穿隧接面矫顽磁力弱位元的方法，揭露的方法包括将含有磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistive random‑access memory；MRAM)元件的半导体晶圆放置在第一磁场中，此第一磁场具有足以磁极化MRAM位元的强度且在晶圆的整个区域上具有实质均匀的场强度与方向。此方法还包括将晶圆放置在第二磁场中，此第二磁场有相反的场方向、在晶圆的整体区域上有实质均匀的场强度与方向与小于磁性反转MRAM位元的设计门槛。此方法还包括通过找出因暴露于第二磁场而被磁极反转的失效MRAM位元，判定失效MRAM位元存在。通过电性读取数据位元，或者由晶片探针读取MRAM元件的电压、电流、电阻等的一或多者还可以区分失效的MRAM位元。
磁铁组态系统磁阻随机存取记忆体晶片侦测磁穿隧接面矫顽磁力位元方法

[发明专利]三轴磁场传感器、制作磁场感测结构的方法与感测电路-CN201310208477.4有效
发明人：陈永祥;郭耿铭;王丁勇;简政尉 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种三轴磁场传感器、制作磁场感测结构的方法与感测电路。该三轴磁场传感器，包括具有第一易轴且感测X轴磁场的第一穿隧式磁电阻器；具有第二易轴且感测Y轴磁场的第二穿隧式磁电阻器；感测Z轴磁场的出平面磁场传感器；及参考单元。第一易轴与第二易轴为垂直，并分别与一平分方向的夹角为45±5度。出平面磁场传感器包括具有第一斜面与第二斜面的凹槽或凸块结构；第三穿隧磁式电阻器位在第一斜面且具有第三易轴；第四穿隧式磁电阻器位在第二斜面上且具有第四易轴；一中轴与平分方向垂直且与第三易轴和第四易轴平行。参考单元具有第五穿隧磁式电阻器及与平分方向平行的第五易轴。
磁场传感器制作结构方法电路