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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111391398.2在审
发明人：张智伟;林大钧;锺耀贤;苏士炜;张豪轩;简廷安;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包含有一氮化镓(GaN)层，一氮化镓铝(AlGaN)层位于该氮化镓层上，一极性促进层，位于该氮化镓铝层上并且直接接触该氮化镓铝层，以及一栅极衬垫层，位于该极性促进层上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种制作半导体元件的方法-CN202011477204.6在审
发明人：苏士炜;冯皓哲;许轩台;陈俊宇;黄伟豪;蔡滨祥;简廷安 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一介电层环绕该鳍状结构，进行一退火制作工艺将该介电层转换为浅沟隔离，去除鳍状结构以形成一凹槽，形成一堆叠结构于该凹槽内，其中该堆叠结构包含一第一半导体层设于该鳍状结构上以及一第二半导体层设于该第一半导体层上，且第一半导体层与第二半导体层包含不同材料。
一种制作半导体元件方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202011344582.7在审
发明人：张智伟;锺耀贤;苏士炜;张豪轩;林大钧;简廷安;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一沟槽设置于第二III‑V族化合物层和第一III‑V族化合物层中，其中沟槽具有一第一转角和一第二转角都位于第一III‑V族化合物层中，一第一介电层接触第一转角的侧壁，一第二介电层接触第二转角的侧壁，第一介电层和第二介电层都位于沟槽之外，一栅极设置于沟槽内，一源极电极设置于栅极的一侧，一漏极电极设置于栅极的另一侧，一栅极电极设置栅极的正上方。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202011221313.1在审
发明人：苏士炜;林大钧;张智伟;蔡滨祥;简廷安 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，一电阻式随机存取存储器位于该基底上，包含有一上电极、一下电极以及一电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，以及一帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有一上半部分以及一下半部分，且该上半部分与该下半部分所包含的应力不同。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]附接配件的装置壳盖-CN201610971408.2有效
发明人：李兴豪;王正麟;田原;陈莹洲;林宗鹏;李政彦;林玉惠;韦长华;张人扬;李仕修;林瑞祥;温宏权;林彦诚;李衍毅;简廷安;黄馨慧;林圣成;张永隆 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H04B1/3877 文献下载
摘要：本发明公开一种附接配件的装置壳盖。本技术方向是关于壳盖，其例如用在手持电子装置。壳盖可包括用以固定于手持电子装置的壳盖本体，并包括配件附接区，其中配件附接区包括多个接收部，且配件附接区是经配置以与配件在多个方向中的至少一个方向上耦接。在一些实施例中，各接收部还包括凹陷进入壳盖本体中的空间，且至少部分前述的空间是由槽壁所界定。各接收部包括接合面，其经配置以于凸出部被配置于各空间内的固定结构时，邻接与配件相关的凸出部。一种电子装置壳盖与各式的配件装置也被提及。
配件装置

[发明专利]存储器单元及其形成方法-CN201910510900.3在审
发明人：林大钧;蔡滨祥;洪雅娟;杨晋嘉;简廷安 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器单元及其形成方法，其中该存储器单元包含一第一导电线、一底电极、一纳米碳管层、一中间电极、一电阻层、一顶电极以及一第二导电线。第一导电线设置于一基底上。底电极设置于第一导电线上。纳米碳管层设置于底电极上。中间电极设置于纳米碳管层上，因而底电极、纳米碳管层以及中间电极构成一纳米管存储器部分。电阻层设置于中间电极上。顶电极设置于电阻层上，因而中间电极、电阻层以及顶电极构成一电阻存储器部分。第二导电线设置于顶电极上。
存储器单元及其形成方法

[发明专利]移动电子装置及其操作方法-CN201510670720.3有效
发明人：张嘉麟;林伯翰;简廷安 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G06F21/32 文献下载
摘要：具有运动传感器、触摸传感器、微控制器和处理器的移动电子装置及其操作方法。所述方法包括以下步骤。所述运动传感器检测运动且响应于检测到的运动而产生运动数据。所述触摸传感器检测指纹且响应于检测到的指纹而产生指纹数据。所述微控制器将产生的运动数据与已登记的运动数据进行比较，且所述微控制器和所述处理器中的一个将产生的指纹数据与已登记的指纹数据进行比较，其中所述已登记的指纹数据和所述已登记的运动数据预先存储在所述移动电子装置中，而所述已登记的运动数据包括第一运动数据。在所述产生的运动数据与所述第一运动数据相符且所述产生的指纹数据与所述已登记的指纹数据相符时，处理器将执行与所述第一运动数据相关联的第一操作。
移动电子装置及其操作方法

[发明专利]陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器-CN201010130577.6有效
发明人：詹岳霖;简廷安;裴修祥;萧朝光 -专利权人：苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明揭示一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器。陶瓷粉体组成物包括主成份及玻璃质成份，玻璃质成份的含量相对于该主成份为0.2～2.0mol％，其中主成份由(Ba1-xCax)mTiO3+αMgO+Re2O3+γMnO+δB2O5组成，其中α、β、γ与δ为摩尔比例常数，而元素Re选自钇、铬、铽、镝、钬、铒、铥及镱所组成的群组，元素B选自钒、铌及钽所组成的群组，而玻璃质成份包括(BayCa1-y)SiO3。本发明提供一种符合X5R温度范围的陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器。
陶瓷组合陶瓷材料及其制成电容器

[发明专利]陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器-CN200910175638.8有效
发明人：黄绎伦;简廷安;萧朝光;方冠荣;裴修祥;陈致丞 -专利权人：苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明揭露一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器。陶瓷粉体组合物包括主成份及副成份，主成份的含量为95～99mol％，且主成份包括BaTiO₃，副成份的含量为1～5mol％，且副成份由氧化物Bi₂O₃-TiO₂-XO所组成，其中X选自镁、钒、锰及铬所组成的群组。
陶瓷组合陶瓷材料及其制成电容器

[发明专利]陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的多层陶瓷电容器-CN200810131007.1有效
发明人：方沧泽;钟瀚扬;萧朝光;简廷安 -专利权人：达方电子股份有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明揭示一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的多层陶瓷电容器。该陶瓷粉体组合物包括含有钛酸钡(BaTiO₃)的主成份以及玻璃质成份，含有BaTiO₃的主成份还包含其他金属氧化物包括AO、MnO、B₂O₅以及Re₂O₃，元素A选自镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)及钡(Ba)所组成的群组，元素B选自钒(V)、铌(Nb)及钽(Ta)所组成的群组，元素Re选自钇(Y)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、及镱(Yb)所组成的群组，玻璃质成份由氧化物SiO₂-TiO₂-XO所组成，其中X选自钡(Ba)、钙(Ca)、锶(Sr)镁(Mg)、锌(Zn)及锰(Mn)所组成的群组。
陶瓷组合陶瓷材料及其制成多层电容器

[发明专利]陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器-CN200910161426.4有效
发明人：萧朝光;简廷安;裴修祥 -专利权人：苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器。陶瓷粉体组合物包括主成份以及玻璃质成份，主成份的含量为99.3～99.9wt％，而玻璃质成份的含量为0.1～0.7wt％。主成份由Ba_m(Ti_1-xZr_x)O₃+αMnO+βB₂O₅+γRe₂O₃组成，其中α、β与γ为摩尔比例系数，0.003≤α≤0.01，0.001≤β≤0.005，0.0005≤γ≤0.005，0.14≤x≤0.20，且0.985≤m≤1.0070而元素B选自钒、铌及钽所组成的群组，元素Re选自钇、铽、镝、钬、铒、铥及镱所组成的群组。
陶瓷组合陶瓷材料及其制成电容器

[发明专利]陶瓷粉末组合物、陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容器-CN200410103923.6有效
发明人： 简廷安;裴修祥 -专利权人：达方电子股份有限公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明揭示一种陶瓷粉末组合物、陶瓷材料、及其所制成的积层陶瓷电容器，上述组合物包含：原料陶瓷粉末，含量为80～90wt％，其组成如下：(Sr_xCa_1－x)Ti_yZr_1－yO₃，其中0≤x≤1、0≤y≤0.1；以及；助烧结剂，含量为10～ 20wt％，并选自M^a₂O、M^bO、M^c₂O₃、与M^dO₂的氧化物所组成的族群，其中元素M^a为锂、钠、钾、或上述的组合，元素M^b为铍、镁、钙、锶、钡、或上述的组合，元素M^c为硼、铝、镓、或上述的组合，元素M^d为硅、锗、或上述的组合。
陶瓷粉末组合陶瓷材料及其制成电容器

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