“符德荣”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果72个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺-CN202011120980.0有效
发明人：严立巍;符德荣;文锺 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆双面加工工艺，使用飞秒激光扫描玻璃载板的一端面，解构所述玻璃载板的一端面形成多条沟槽，每个所述沟槽围成封闭区域，多个所述封闭区域同心布置；将所述玻璃载板的另一端面与晶圆的一端面键合，并对晶圆的另一端面进行减薄；蚀刻去除所述封闭区域部分的玻璃载板，通过镭射将所述封闭区域的玻璃载板与所述晶圆解键合；使用氧电浆清洗所述封闭区域内的键合剂；进行晶圆的双面工艺；将所述晶圆的一端面固定在切割模框上，切割所述晶圆。
一种玻璃双面加工工艺

[发明专利]一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺-CN202011119885.9有效
发明人：严立巍;符德荣;文锺 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺，包括以下步骤：S1、将晶圆正面键合玻璃载板，晶圆背面减薄，并进行微影工艺及离子注入等工艺；S2、对玻璃载板进行开窗；S3、在玻璃载板的窗口处进行晶圆正面的厚膜金属连线及PAD光刻及蚀刻的加工；S4、玻璃载板解键合，清洗移除黏着层；S5、切割切断超薄晶圆及切割道上残留的金属，完成制作晶圆的厚膜金属连线、PAD金属图案。本发明以镭射及蚀刻结合在玻璃载板上加工开窗，可在最薄厚度为30‑35um的晶圆上制作5‑25um厚的金属连线、PAD金属图案。
一种晶圆厚膜金属 pad 图案制作工艺

[发明专利]一种用于基板的电镀装置及电镀方法-CN202111412286.0有效
发明人：严立巍;符德荣;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于基板的电镀装置及电镀方法，电镀装置用于进行基板的电镀，电镀装置具有盛放电解液的电镀腔，待电镀基板置于电镀腔的电解液中并与电源正极连接，待电镀基板的至少一侧具有连接电源负极的阳极板，阳极板与待电镀基板之间具有绝缘板，绝缘板上具有多个通孔。在对基板进行电镀时，绝缘板在电解液中摆动，电镀离子穿过通孔流向基板，并电镀至基板表面。根据本发明提出的用于基板的电镀装置及电镀方法，可以在基板表面产生从整体到局部均处于均匀状态的电场分布，并最终提高基板表面的电镀质量。
一种用于电镀装置方法

[发明专利]一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法-CN202110203793.7有效
发明人： 符德荣;严立巍;陈政勋;文锺;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法，包括以下步骤：S1、将化合物半导体基板永久键合在硅基载板上，完成正面的晶圆制程；S2、采用有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板；S3、通过机械研磨硅基载板至键结层前，再通过蚀刻完全除去硅基载板并对化合物半导体基板减薄；S4、完成背面晶圆制程后解键合，移除玻璃载板，清洗去除黏着层，完成化合物半导体元件。本发明运用将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片的生产线量产化合物半导体元件，可以一次进行多片化合物半导体晶圆的制造，提高了化合物半导体晶圆的产线效益。
一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工方法

[发明专利]一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法-CN202210641596.8在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣;陈政勋 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，涉及晶圆加工技术领域。所述一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法包括以下步骤：S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，蚀刻掉晶圆上的一层氮化硅沉积层，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成侧壁。本发明提供的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法通过在晶圆上制作接触孔时，侧壁可以对接触孔和沟槽中的多晶硅之间提供绝缘保护，避免接触孔中填充金属时因为接触孔位置偏差导致金属和多晶硅之间产生导电，使得在晶圆背面制作晶体管和金属时，降低设备的精度需求，即使蚀刻位置产生偏差，也不会影响到晶圆的制作。
一种用于沟槽晶体管加工方法

[发明专利]一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺-CN202210641601.5在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣;陈政勋 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺，涉及晶圆加工技术领域。所述一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺包括以下步骤：S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，先进行离子植入，再采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成氮化硅侧壁。本发明提供的一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺通过在接触孔中填充氮氧化硅层再蚀刻的方式，可以在氮化硅侧壁的内部形成一层氮氧化硅侧壁，对原本处于氮化硅侧壁内部的接触孔开口进行微缩，使得接触孔开口微缩在氮氧化硅侧壁的内部，在晶圆上方所形成的接触孔开口更小，无需高精度的接触孔蚀刻设备即可获得更小的接触孔，有效的提升工艺精度。
一种用于侧壁开口微缩工艺

[发明专利]用于晶圆双面电镀的电镀装置-CN202011409823.1有效
发明人：严立巍;施放;符德荣 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于晶圆双面电镀的电镀装置，待电镀晶圆为与玻璃载板键合的超薄晶圆或外周缘为缓坡状的超薄晶圆，当待电镀晶圆为具与玻璃载板键合的超薄晶圆时，玻璃载板与待电镀晶圆的待电镀部位相对的位置处开设有窗口；电镀装置具有电镀腔，待电镀晶圆通过夹具固定于电镀腔内，电镀装置具有连接待电镀晶圆的两个待电镀面的电极组，两个待电镀面的两侧均分布有电解液和阳极板；阳极板和电极组分别连接至电源的正极和负极，当电源通电时，对两个待电镀面中的至少一个进行电镀。由此，可以实现同时对待电镀晶圆的两个待电镀面进行双面电镀，或选择其中一个待电镀面进行电镀，提高了待电镀晶圆的电镀效率和电镀的灵活性。
用于双面电镀装置

[发明专利]一种晶圆承载方法-CN202210456137.2在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆承载方法，属于晶圆加工领域。一种晶圆承载方法，包括以下步骤：于完成正面前段制程的晶圆的背面贴附硅载板；在晶圆的边缘涂布SOG进行固定；去除粘合剂；在晶圆正面的I LD沉积PEOX；进行晶圆正面后段制程；晶圆正面键合玻璃载板，移除硅载板；进行氢氟酸蚀刻与晶圆背面的金属制程。现有的晶圆加工工艺与承载方法相比，本申请的方法通过在I LD表面沉积PEOX作为晶圆的封堵限位，方便后续的晶圆正面制程。
一种承载方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202210331714.5在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：B100，将完成栅极和介电层制备后的SiC衬底键合至玻璃载板后，将SiC衬底从Si基载盘分离取出；B200，对SiC衬底背面减薄处理后进行金属镀膜；B300，将金属镀膜后的SiC衬底置于玻璃载盘中，并将SiC衬底与玻璃载板解键合；B400，对SiC衬底进行正面器件及聚亚酰胺层的制备；B500，以聚亚酰胺层的间隙为切割道对SiC衬底进行切割；B600，将切割后的SiC衬底从玻璃载盘转移至切割模框。本发明通过预设尺寸的Si基载盘进行前段制备工艺，可以充分利用现有半导体器件尺寸的加工设备，降低设备更替成本。而且，涉及将SiC衬底从Si基载盘转移键合至玻璃载板上，及将SiC衬底从玻璃载板转移至玻璃载盘中，保证后续工艺的顺利进行。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种平面载盘在晶圆承载中的应用-CN202210344265.8在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣;陈政勋 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种平面载盘在晶圆承载中的应用，应用的方法具体包括以下步骤：S1、完成正面前段制程后键合玻璃载板，然后对晶圆背面进行减薄并完成晶圆背面前段制程；S2、在晶圆背面喷水膜，贴附硅载板，然后整体翻转玻璃载板、晶圆和硅载板，最后解键合移除玻璃载板；S3、烘烤使水膜挥发，在晶圆的边缘涂布SOG进行封堵，除去粘着剂，完成晶圆正面后段制程；S4、正面贴附平面载盘，整体翻转硅载板、晶圆和平面载盘，通过激光环使SOG断开，移除硅载板；S5、通过平面载盘承载晶圆完成后续晶圆制程。本发明通过硅载板及平面载盘承载晶圆，无需使用黏着剂进行键合，克服了高温制程的温度限制，同时承载物制作简单，材料成本也更低。
一种平面承载中的应用

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202210333140.5在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：A100，在SiC衬底的表面制备外延层后置于预设尺寸Si基载盘；A200，在外延层进行离子注入；A300，在完成离子注入后的外延层的表面制备包覆层；A400，将SiC衬底从Si基载盘分离后，进行高温离子激活工艺；A500，去除包覆层，在外延层的表面沉积制备栅极和介电层、打开接触孔及完成沟槽氧化后，将SiC衬底放置回Si载盘。本发明通过将SiC衬底置于预设尺寸的Si基载盘，可以充分利用现有半导体器件尺寸的加工设备，降低设备更替成本。而且，在半导体器件制备过程中，在涉及到高温操作步骤时，将SiC衬底与Si基载盘分离，避免高温损坏Si基载盘和封止层。本发明的制备方法，操作方便、流程合理。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种晶圆切割工艺-CN202210233906.2在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种一种晶圆切割工艺，包括以下步骤：S1、于晶圆正面切割道处切割形成宽而浅的沟槽A，研磨晶圆背面使晶圆减薄；S2、翻转晶圆正面朝上置入第一载盘中；S3、翻转晶圆背面朝上置入第二载盘中，晶圆侧壁外圈SOG进行封堵；S4、在晶圆背面对应切割道处切割形成窄而深的沟槽B，最后进行背面的粒子植入及背面金属制程；S5、采用晶圆环切机沿对晶圆边缘处SOG切断，用裂片及拉膜机将晶圆未断裂部分断开。本发明工艺减少了载板键合解键合的步骤，同时利用正面的沟槽切割背面切割道，无需双面曝光，最后采用裂片技术断开两面沟槽衔接处，快速完成晶圆切割，提高了晶圆切割的效率，降低了晶圆切割的成本。
一种切割工艺

[发明专利]一种晶圆片和玻璃载盘的贴附方法-CN202210419534.2在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣;陈政勋 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆片和玻璃载盘的贴附方法，涉及晶圆加工技术领域。所述晶圆片和玻璃载盘的贴附方法，包括以下步骤：S1、晶圆减薄，将完成正面前半段制程的晶圆正面贴合到带有UV胶的研磨胶带上，使得晶圆背面朝上，再采用自动化设备对晶圆背面进行减薄；S2、贴合第一载盘，向第一载盘上喷涂去离子水。本发明提供的晶圆片和玻璃载盘的贴附方法通过在打磨减薄晶圆的过程中，使用带有UV胶的研磨胶带承载晶圆，为晶圆提供保护，再通过涂布SOG和水膜配合将晶圆贴合到第二载盘上，便于晶圆的定位，避免晶圆和第二载盘之间的位置发生偏差，再通过恒温干燥蒸发掉水膜，使得晶圆和第二载盘之间无需使用胶体粘合，使得晶圆和第二载盘可以充分贴合。
一种晶圆片玻璃方法

[发明专利]一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺-CN202210234121.7在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺，具体包括以下步骤：S1、完成正面制程后预切割部分深度；S2、完成晶圆背面减薄；S3、将减薄后晶圆置于载盘中；S4、在晶圆边缘形成环形的光阻封堵，在晶圆背面预切割一定深度；S5、完成背面金属制程，除去光阻封堵；S6、裂片及拉膜机将晶圆未断裂部分断开；S7、将晶圆正面转移至第二切割模框，完成晶圆的切割。本发明利用伯努利原理将超薄晶圆吹平后置于凹槽型载盘承载中，克服了超薄晶圆的翘曲问题，同时利用凹槽型载盘提供应力支撑，进行两次预切割后裂片，也解决了超薄晶圆在直接切割时易发生裂片的问题。
一种基于超薄切割工艺

[发明专利]一种IGBT晶圆的加工工艺-CN202110273974.7有效
发明人：严立巍;符德荣;李景贤;文锺;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT晶圆的加工工艺，包括以下步骤：一种IGBT晶圆的加工工艺，包括以下步骤：S1、IGBT晶圆正面沉积ILD层；S2、晶圆正面永久键合硅基载板；S3、晶圆背面减薄，植入离子并子活化；S4、制作反面金属镀膜；S5、将晶圆背面暂时键合玻璃载板，除去硅基载板；S6、蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，溅镀厚膜Al填充触孔；S7、完成晶圆正面制程；S8、解键合，移除玻璃载板。本发明通过永久键合硅基载板克服了传统工艺暂时键合玻璃板后高温回火温度的限制，以及激光局部离子激活不能对深层离子进行激活的缺陷，可以进行超薄的IGBT晶圆加工，降低了I GBT晶圆的加工成本。
一种 igbt 加工工艺

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 72 条