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[发明专利]一种用于截断大尺寸单晶硅棒头尾的装置-CN201911237936.5有效
发明人：盖晶虎;王雅楠;翟顺元;谢辉;秦瑞锋;连庆伟 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于截断大尺寸单晶硅棒头尾的装置，该装置包括操作台，和依次设置在操作台上的单晶头部固定件、单晶等径部分固定件、单晶尾部锥体固定件和单晶尾部固定件；单晶头部固定件和单晶尾部固定件分别位于操作台的两端，二者结构相同，包括支撑杆和螺纹杆，该支撑杆上设有螺纹孔，螺纹杆通过该螺纹孔连接在支撑杆上，该螺纹杆在朝向单晶硅棒的端部上设有具有防滑涂层的端面；单晶等径部分固定件包括分别设置在操作台两侧边上的第二部件，该两个第二部件之间通过连接有可拆卸的软绳；单晶尾部锥体固定件包括分别位于操作台两侧和上部的固定件，该三个固定件的结构与单晶头部固定件的结构相同，还包括支撑单晶尾部锥体下部的横梁。
一种用于截断尺寸单晶硅棒头装置

[发明专利]一种快速控制直拉单晶硅直径的方法-CN202111471742.9在审
发明人： 秦瑞锋;李洋 -专利权人：山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速控制直拉单晶硅直径的方法。该方法包括在单晶硅与石英坩埚之间增设可上下移动的挡板；在单晶等径生长过程中，当单晶硅直径较目标直径减小时，向下移动挡板至遮挡直径减小部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射减少，单晶硅直径增加；当单晶硅直径较目标直径增大时，向上移动挡板离开直径增大部位的位置，单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射增加，单晶硅直径减小。本发明通过在传统热场结构中增设可上下移动的挡板实现对热辐射量的直接控制，从而快速改变相变界面周围的温度，以达到辅助拉速控制单晶直径的目的，减小甚至消除拉速的变化。
一种快速控制单晶硅直径方法

[实用新型]一种用于城市园林容器植物种植的松土装置-CN202122159348.3有效
发明人：李娜;栾丹;秦瑞锋;刘博;吉祥;尚会峰 -专利权人：裕华生态环境股份有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： A01G9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于城市园林容器植物种植的松土装置，包括用于对容器植物进行固定的固定机构，还包括用于对板结的土壤进行破碎的松土机构、用于储存相关物品的储物机构，所述松土机构安装在所述固定机构两侧，所述储物机构安装在所述固定机构下方。本实用新型通过设置松土机构，第一电动推杆伸缩能够对松土杆的上下高度进行调节，第二电动推杆伸缩能够对松土杆的左右位置进行调节，从而使得松土杆能够对不同尺寸的容器植物进行松土，有效提高了装置使用的灵活性。
一种用于城市园林容器植物种植松土装置

[实用新型]一种城市园林用容器植物种植的施肥装置-CN202122157994.6有效
发明人：李娜;栾丹;宋文亮;吉祥;秦瑞锋;符金标 -专利权人：裕华生态环境股份有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： A01C23/04 文献下载
摘要：本实用新型属于容器植物种植领域，具体为一种城市园林用容器植物种植的施肥装置，包括承载机构、可以使施肥原料充分混合在一起的搅拌机构、便于从不同角度对不同植物位置进行均匀施肥的翻转机构，所述承载机构上方设置有所述搅拌机构，所述搅拌机构一侧设置有所述翻转机构，所述承载机构包括底座、限位座、移动轮、固定座、扶手。本实用新型采用搅拌机构和翻转机构，启动搅拌电机带动搅拌轴和搅拌叶进行旋转运动，将施肥原料充分混合在一起，再利用阀门控制出料速度，避免施肥过程中发生堵塞情况，再利用翻转机构进行翻转伸缩运动，调节不同高度对不同角度的植物位置进行均匀施肥，减少人为操作，施肥作业灵活，施肥效果好。
一种城市园林容器植物种植施肥装置

[实用新型]生态修复的城市湿地公园植物的取样收纳盒-CN202021756574.9有效
发明人：宋文亮;马廷震;秦瑞锋;李琳;高艳;时婷婷;戴许盼;刘欣 -专利权人：裕华生态环境股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B65D81/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及取样收纳技术领域，且公开了生态修复的城市湿地公园植物的取样收纳盒，包括取样收纳盒，所述取样收纳盒为方形空心盒，取样收纳盒的前端开设有开口，取样收纳盒的左右两侧中间位置均开设有圆槽，圆槽的内部均活动安装有固定柱，固定柱远离圆槽的一端固定安装有提手，提手的下端固定安装有限位杆，取样收纳盒的内部设置有保湿装置。本实用新型中，当植物样品在被运回的途中，保湿装置底部的储水盒内部放置有储水棉，运输途中将隔板拉出，取样铲底部的土壤通过网格盒纱网吸收储水棉中的水份，纱网是为了防止取样铲内部的土壤掉落，网格起限制作用，防止土壤吸收过多水份，同时可以保证样品的质量。
生态修复城市湿地公园植物取样收纳

[实用新型]基于生态修复的城市湿地公园植物景观花坛-CN202021720672.7有效
发明人：曹静;王玉强;秦瑞锋;李琳;龚勤勤;郝良群;时婷婷;刘欣 -专利权人：裕华生态环境股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及景观花坛技术领域，且公开了基于生态修复的城市湿地公园植物景观花坛，包括花坛和限位块，花坛的内部中空区域贯穿花坛的顶部壁面，花坛的内部侧壁上端固定安装有集水块,集水块的内部中空区域贯穿集水块的顶部壁面和集水块的底部壁面，集水块的内径从上往下逐渐变小，花坛的内部左右两侧壁面均固定安装有固定板,两组固定板相互靠近的一侧壁面均开设有移动槽，本实用新型中，该基于生态修复的城市湿地公园植物景观花坛，植物培养基的内部是干燥的，花坛内部的水通过海绵和活动块渗入到植物培养基的内部，使植物培养基保持湿润，避免了土壤会快速变得干燥需要人工再次浇水，增加了工人的劳动强度的情况发生。
基于生态修复城市湿地公园植物景观花坛

[发明专利]一种去除单晶硅棒表面机械损伤层的装置及方法-CN201711370683.X有效
发明人： 秦瑞锋;姜舰;鲁强;盖晶虎;崔彬;戴小林;吴志强 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除单晶硅棒表面机械损伤层的装置及方法。该装置包括腐蚀槽和喷淋式清洗水管，其中，腐蚀槽分为三个相互隔绝、尺寸不同的长方体形腐蚀槽；每个腐蚀槽相对的两侧壁上分别设有螺孔，每个螺孔上穿设有螺杆，螺杆位于槽内的一端连接夹持块，单晶硅棒被夹持在两个带有卡槽的夹持块之间，通过旋转螺杆使夹持块夹紧单晶硅棒；螺杆位于槽外的一端通过连接杆连接旋转电机，旋转电机驱动螺杆带动单晶硅棒和夹持块旋转；在腐蚀槽的所述两侧壁的上沿分别设有喷淋式清洗水管，水管上设有调节水流量的开关，且有多个喷嘴均匀分布在水管上。本发明可以提高单晶硅棒腐蚀和清洗的均匀性，减少单晶硅棒表面的雪花状斑块，增加单晶硅棒表面光亮度。
一种去除单晶硅表面机械损伤装置方法

[实用新型]一种防止直拉单晶硅石英坩埚变形的装置-CN201922260970.6有效
发明人： 秦瑞锋;鲁强;连庆伟;崔维学;盖晶虎;姜舰 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止直拉单晶硅石英坩埚变形的装置。该装置包括石墨坩埚、石英坩埚、卡箍、定位螺丝；石英坩埚置于石墨坩埚内，卡箍设置在石英坩埚和石墨坩埚的上端，并且石英坩埚和石墨坩埚的上缘嵌入卡箍的凹槽内，卡箍和石墨坩埚上分别设有相互对应的定位孔，并通过定位螺丝固定。本实用新型的装置能够防止直拉单晶硅熔料过程中，由于坩埚软化严重或者石英坩埚上端挂料严重而变形的现象发生；保证单晶拉制的基本条件，避免不必要的损失。加装本实用新型的装置后，可以适当提高熔料功率，减少熔料时间，降低成本。
一种防止单晶硅石英坩埚变形装置

[发明专利]一种防止单晶炉取装石墨埚底碰坏加热器的装置及方法-CN201811595860.9在审
发明人：连庆伟;鲁强;姜舰;秦瑞锋;盖晶虎;戴小林;吴志强 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止单晶炉取装石墨埚底时碰坏加热器的装置及方法。该装置包括由三条臂梁构成的钢架结构、和连接在钢架结构末端的三个钩子；其中，三条臂梁的一端固定在一起，在每根臂梁的另一端分别设有滑动槽；所述钩子具有位于上端的固定部、位于中间的连接杆和位于下端的平头部，滑动槽的外侧端部具有供钩子的连接杆卡入的结合槽；钩子与钢架结构连接时，固定部位于滑动槽内并与之连接，三个钩子的平头部用于勾住石墨埚底的下边缘。通过垂直上下抓取石墨埚底防止过程中碰坏加热器达到安全取装石墨埚底的目的，加强对于主加热器的保护，同时防止对擦炉人员造成不必要的伤害。
一种防止单晶炉取装石墨埚底碰坏加热器装置方法

[发明专利]一种多晶硅料的再加料方法-CN201811551787.5在审
发明人：王雅楠;刘卓;李亚光;盖晶虎;秦瑞锋 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅料的再加料方法，包括以下步骤：(1)对头尾料进行加工，加工成标准化形状的硅材，在硅材的规定位置上打孔；(2)利用单晶作为原材料制作硅销钉；(3)通过硅销钉将硅材依次串联形成悬挂料；(4)在悬挂料的顶部通过金属销钉连接单晶炉缆绳接头；(5)待石英坩埚内的多晶料基本熔化完之后，将悬挂料缓慢送进熔体中，进行熔化，完成再加料。本发明有效利用单晶头尾料(切除)，通过将其加工成一定形状并串联成悬挂料进行再加料，来增加石英坩埚的装料量，省去了制作石墨件的成本。本发明可规模生产加工，不需要特殊石墨装置，加料方便安全。
一种多晶再加方法

[发明专利]一种防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置及方法-CN201811529112.0在审
发明人： 秦瑞锋;鲁强;姜舰;连庆伟;盖晶虎;戴小林;吴志强 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止单晶硅生长炉高温计取光孔玻璃沾污的装置及方法。该装置由悬挂板、连接杆、屏蔽环三部分组成，连接杆连接在悬挂板与屏蔽环之间；该装置位于热场的固化碳毡与炉体之间，屏蔽环、固化碳毡上的透光孔、炉体上的取光孔三者的几何中心位于一条直线上。本发明可以防止高温挥发物在走向排气孔的过程中沉积在温度较低的取光孔玻璃上，防止片状高温挥发物落在取光孔与透光孔之间造成光信号衰减，从而保证光信号的传递的稳定性，保证热场温度参考点的一致性，提高成晶率。
一种防止单晶硅生长高温计取光孔玻璃沾污装置方法

[实用新型]一种12英寸单晶棒取棒运输装置-CN201822205934.5有效
发明人：盖晶虎;王雅楠;秦瑞锋;杨高潮;戴小林;吴志强 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B62B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种12英寸单晶棒取棒运输装置。该装置包括取棒架、旋转装置、运输平台及控制系统，其中，取棒架和旋转装置设置在运输平台上，取棒架具有用于承载单晶棒等径部分的截面为半圆形的半圆管，在该半圆管下端的设有圆锥型的棒尾固定部，半圆管与棒尾固定部之间通过可拆卸的卡扣无缝连接；在该半圆管的开口部分设有多个用于固定单晶棒的锁扣；旋转装置与半圆管外壁连接，控制系统控制旋转装置，使半圆管在竖直位置和水平位置之间旋转。通过使用该12英寸单晶棒取棒运输装置，操作人员能够独立快速安全地将生长完好的单晶棒从单晶炉里面取出，该取棒运输装置不会对单晶棒某段内部造成应力过大的内伤；操作人员能够高效安全的转移单晶棒。
单晶棒取棒半圆管运输装置旋转装置控制系统运输平台固定部棒尾控制旋转装置本实用新型高效安全快速安全竖直位置无缝连接单晶炉可拆卸圆锥型等径锁扣外壁开口取出承载生长

[发明专利]一种用于清理单晶炉圆筒式上炉室的装置-CN201711398800.3在审
发明人：崔彬;鲁强;姜舰;秦瑞锋;戴小林;吴志强 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于清理单晶炉圆筒式上炉室的装置。该装置包括支撑框架、风叶结构、漏斗吸尘结构；支撑框架为双层圆环形框架，在上层圆环形框架的中心位置安装有一旋转立柱，旋转立柱上设有用于与籽晶钢缆连接的固定孔；每一层圆环形框架的周围分别设有数个定位滚轮，该些定位滚轮与炉筒内壁接触并滚动；风叶结构包括风叶和设置在风叶外周上的毛刷，在风叶的中央位置具有与旋转立柱配合的旋转孔；上层圆环形框架上安装有电机，电机通过传动皮带连接动力传动轮，由该动力传动轮驱动风叶结构围绕旋转立柱旋转；漏斗吸尘结构固定在支撑框架内，处于风叶结构的正下方，漏斗下端通过吸尘软管连接吸尘器。该装置可以大幅改善清理效果，提高清理效率。
圆环形框架旋转立柱风叶结构支撑框架风叶漏斗动力传动轮定位滚轮吸尘结构单晶炉上炉室圆筒式电机吸尘器钢缆上层传动皮带炉筒内壁驱动风叶吸尘软管固定孔旋转孔毛刷外周下端籽晶滚动配合

[发明专利]一种直拉单晶炉热场用石墨坩埚-CN201711290243.3在审
发明人：姜舰;秦瑞锋;戴小林;崔彬;王雅楠;吴志强 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶炉热场用石墨坩埚，该石墨坩埚由多个埚瓣组装而成，每个埚瓣在其拐角位置内壁设有暗槽，该暗槽内设有拐角块。采用本发明可以避免石墨坩埚埚瓣接缝处出现腐蚀开裂造成整个坩埚的报废，仅仅在石墨坩埚埚瓣接缝处出现腐蚀变薄后进行拐角块的更换即可解决问题，有效的延长坩埚寿命，减少了坩埚长时间使用可能带来的风险。
石墨坩埚直拉单晶炉热场接缝处拐角暗槽坩埚腐蚀拐角位置坩埚寿命变薄内壁报废组装

[发明专利]pn结及其制备方法-CN201410852975.7有效
发明人：梁凌燕;李秀霞;曹鸿涛;罗浩;刘权;秦瑞锋 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有明显的整流效应，可应用于发光二极管、太阳能电池、光电探测器、气敏传感器等半导体器件，扩大了氧化亚锡的应用范围。
pn 及其制备方法

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