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[实用新型]一种减少深基坑开挖引起周边建筑物沉降的保护结构-CN202122074739.5有效
发明人：张建辉;赵涛宁;栾金龙;刘俊城;谭勇;秦子翔 -专利权人：南通城市轨道交通有限公司;同济大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： E02D31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种减少深基坑开挖引起周边建筑物沉降的保护结构，用于减少开挖基坑引起建筑物保护区沉降，包括隔离桩、钢板桩和若干根注浆管，所述的隔离桩插在地基内，且位于建筑物保护区和基坑开挖区域之间，所述的隔离桩包括一个直线形排桩和两个弧形排桩，所述的两个弧形排桩的凹面相对，且对称设置，靠近建筑物保护区的弧形排桩的凸面朝向建筑物保护区，所述的直线形排桩设于两个弧形排桩之间，所述的若干根注浆管插在地基内，且位于两个弧形排桩之间，所述的钢板桩插在地基内，且贴附于靠近建筑物保护区的弧形排桩的凸面上。与现有技术相比，本实用新型结构稳定，有效阻止水土流失。
一种减少基坑开挖引起周边建筑物沉降保护结构

[实用新型]硅基光波导模斑转换器-CN201820186921.5有效
发明人： 秦子翔;彭超;张仙;刘洋;温雪沁;刘柳;陈伟 -专利权人：苏州易缆微光电技术有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基光波导模斑转换器，上包层、绝缘体层、衬底、第一光波导、第二光波导和第三光波导，绝缘体层置于所述衬底上，第一光波导设置于所述绝缘体层上方一侧，第二光波导置于所述绝缘体层上，横贯绝缘体层并包裹所述第一光波导，第三光波导置于所述第二光波导上远离所述第一光波导的一侧；第一光波导为三角形，底边朝向远离第三光波的一侧，第二光波导与第三光波导两端均为梯型；所述上包层置于绝缘体层上并包裹住第二光波导、第三光波导。本实用新型通过采用叠加的两层锥型波导，使得硅基光波导模斑转换器可以与普通单模光纤直接进行端面连接，而不必使用小模场光纤或锥型透镜光纤。
光波导绝缘体层波导硅基光波导模斑转换器本实用新型上包层衬底单模光纤端面连接锥型透镜光波场光纤两层梯型小模锥型叠加横贯光纤

[实用新型]高耦合率光波导模斑转换装置-CN201820186937.6有效
发明人： 秦子翔;彭超;张仙;刘洋;温雪沁;刘柳;陈伟 -专利权人：苏州易缆微光电技术有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高耦合率光波导模斑转换装置，应用于硅纳米线光波导与普通单模光纤的耦合。其结构采用集成光电子工艺方法制作，在绝缘体层上硅基底上，制作锥型硅波导，再利用光刻技术，在绝缘体层上，连续套刻三层材料为SU‑8光刻胶的组合锥型光波导，最后沉积二氧化硅上包层实现模斑转换器的制作。本实用新型通过所述三层SU‑8光刻胶组合锥型光波导的锥型部分，将单模光纤耦合进入的模斑的大小在水平方向与竖直方向上缩减，并与反向锥型硅波导级联，最终使光场耦合进入硅纳米线波导中。本实用新型可以实现硅纳米光波导与普通单模光纤直接进行端面连接，提高了与单模光纤模斑匹配度，提高了光耦合效率，便于大规模光路集成。
单模光纤光波导本实用新型耦合锥型光波导模硅纳米线绝缘体层转换装置组合锥型光刻胶硅波导耦合率模斑制作二氧化硅上包层光耦合效率集成光电子模斑转换器端面连接光刻技术光路集成三层材料硅纳米匹配度再利用波导光场硅基级联三层竖直套刻沉积应用

[发明专利]基于多层聚合物结构的硅波导模斑转换器及其制备方法-CN201810107936.2在审
发明人： 秦子翔;彭超;张仙;刘洋;温雪沁;刘柳;陈伟 -专利权人：苏州易缆微光电技术有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层聚合物结构的硅波导模斑转换器及其制备方法，应用于硅纳米线光波导与普通单模光纤的耦合。其结构采用集成光电子工艺方法制作，在绝缘体层上硅基底上，制作锥型硅波导，再利用光刻技术，在绝缘体层上，连续套刻三层材料为SU‑8光刻胶的组合锥型光波导，最后沉积二氧化硅上包层实现模斑转换器的制作。本发明通过所述三层SU‑8光刻胶组合锥型光波导的锥型部分，将单模光纤耦合进入的模斑的大小在水平方向与竖直方向上缩减，并与反向锥型硅波导级联，最终使光场耦合进入硅纳米线波导中。本发明可以实现硅纳米光波导与普通单模光纤直接进行端面连接，提高了与单模光纤模斑匹配度，提高了光耦合效率，便于大规模光路集成。
单模光纤光波导硅波导模斑转换器耦合锥型多层聚合物硅纳米线绝缘体层组合锥型光刻胶模斑制备制作二氧化硅上包层光耦合效率集成光电子端面连接光刻技术光路集成三层材料硅纳米匹配度再利用波导光场硅基级联三层竖直套刻沉积应用

[实用新型]一种光波导模斑转换器-CN201720981382.X有效
发明人：刘柳;秦子翔;阮子良;刘宇轩;陈伟 -专利权人：苏州易缆微光电技术有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光波导模斑转换器，包括上包层，中间包层，绝缘体层，衬底，第一光波导和第二光波导，所述的绝缘体层置于所述衬底上，所述的绝缘体层上依次设置中间包层、上包层；所述第一光波导置于中间包层和所述绝缘体层之间，所述第二光波导置于所述上包层和所述中间包层之间；所述的第一光波导和第二光波导相对设置，第一光波导和第二光波导相对的一侧为锥型；所述的第二光波导与第一光波导相向的一侧也为锥型端，其尖端的模场与单模光纤中的模场相匹配；所述的第一光波导与第二光波导相向的一侧为矩形。本实用新型可以实现硅纳米光波导与普通单模光纤直接进行端面连接，而不必使用锥型透镜光纤，降低了光从普通单模光纤到波导传播过程中从硅衬底的辐射损耗，提高了与单模光纤模斑匹配度，提高了光的耦合效率，便于大规模光路集成。
一种波导转换器

[发明专利]一种光波导模斑转换器及其制作方法-CN201710669541.7在审
发明人：刘柳;秦子翔;阮子良;刘宇轩;陈伟 -专利权人：苏州易缆微光电技术有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种光波导模斑转换器及其制作方法，采用了集成微电子工艺方法，在绝缘体层上硅基底上，制作硅波导和锥型光波导，再在锥型光波导尖端之后，对二氧化硅掩埋层和硅衬底进行深刻蚀，之后再沉积二氧化硅，并进行化学机械抛光，再在得到的平面基底结构上沉积氮化硅层，并将氮化硅层刻蚀出组合锥型光波导，最后沉积二氧化硅上包层实现模斑转换器的制作。本发明可以实现硅纳米光波导与普通单模光纤直接进行端面连接，而不必使用锥型透镜光纤，降低了光从普通单模光纤到波导传播过程中从硅衬底的辐射损耗，提高了与单模光纤模斑匹配度，提高了光的耦合效率，便于大规模光路集成。
一种波导转换器及其制作方法

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