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[发明专利]开关器件及连接开关器件的节点的方法-CN201910351172.6有效
发明人：黄雷;孟娜;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关器件及连接开关器件的节点的方法。开关器件包括：将第一节点连接到第二节点的开关路径，开关路径包括开关电路，开关电路包括：沿开关路径设置的第一晶体管；分压器电路，该分压器电路在第一晶体管导通时，将与第一晶体管的漏极电压和第一晶体管的源极电压的平均值对应的电压提供给第一晶体管的主体；第一齐纳二极管，第一齐纳二极管的第一端连接到第一晶体管的栅极且第一齐纳二极管的第二端连接到第一晶体管的主体；以及交叉耦接电路，该交叉耦接电路基于开关路径上的浪涌电压的极性来将第一晶体管的主体自动连接到第一晶体管的源极或第一晶体管的漏极，且响应于浪涌电压而“断开”第一晶体管以打开第一开关路径。
开关器件连接节点方法

[发明专利]增强型保护性多路复用器-CN201610176933.5有效
发明人： 科奈斯·P·斯诺登;J·L·斯图兹 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H03K17/693 文献下载
摘要：本发明公开了一种系统和方法，所述系统和方法包括保护多路复用器电路，所述电路被配置为接收控制信号和基准电压，以当所述控制信号处于第一状态时在输出处提供所述基准电压，并当所述控制信号处于第二状态时将所述基准电压与所述输出隔离。所述保护多路复用器电路包括级联的第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管是自然晶体管。所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制输入被配置为接收所述控制信号，所述第一晶体管的第一端子被配置为接收所述基准电压，并且所述第二晶体管的所述第一端子耦合到所述输出。本发明公开了操作方法和其他实施例。
增强保护性多路复用

[发明专利]低电压开关控制-CN201610176477.4有效
发明人： 科奈斯·P·斯诺登;J·L·斯图兹 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了包括例如低电压控制电路的系统和方法，该低电压控制电路被配置为接收电荷泵电压、轨电压和开关控制信号，该低电压控制电路被配置为在开关控制信号处于第一状态时提供电荷泵电压，并在开关控制信号处于第二状态时提供电荷泵电压和轨电压中较高者。该系统可包括第一接高电路，该第一接高电路配置为接收轨电压和电荷泵电压，并在输出端提供轨电压和电荷泵电压中较高者。在第一状态下，开关控制信号能够包括接高电路的输出。本发明公开了形成这种装置的方法，以及操作方法和其它实施例。
电压开关控制

[发明专利]开关器件及连接开关器件的节点的方法-CN201510727650.0有效
发明人：黄雷;孟娜;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：除其他以外，本发明公开了一种开关器件及连接开关器件的节点的方法。所述开关器件包括连接到诸如计算机接口端口在内的多个末端节点的共用节点。所述开关器件包括若干个开关电路，所述开关电路可串联连接以在所述共用节点与末端节点之间形成开关路径。开关电路可包括主开关，诸如晶体管，所述晶体管可被配置为通过自动改变其主体的连接来承受正或负电压浪涌。
开关器件连接节点方法

[发明专利]辅助自保护晶体管电路、系统和方法-CN201510542026.3有效
发明人： 科奈斯·P·斯诺登;T·康;A·杨 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：除了别的以外，本申请涉及辅助自保护晶体管电路、系统和方法，被配置为保护互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管。所述辅助自保护晶体管电路可包括ESD器件，所述ESD器件包括栅极端子、漏极端子和源极端子。所述ESD器件被配置为耦合到互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管的隔离区，并且可提供所述CMOS晶体管的隔离区与所述ESD器件的源极端子之间的放电路径。所述CMOS晶体管的隔离区可包括阻挡结，诸如n掺杂隔离阱(niso)、p型阱(pwell)或一个或多个其他阻挡结。
辅助保护晶体管电路系统方法

[发明专利]偏置静电放电电路及降低静电放电电路的电容的方法-CN201510535034.5有效
发明人： 科奈斯·P·斯诺登;T·康;李永亮 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：除其他以外，本申请讨论了偏置静电放电(ESD)电路及降低静电放电电路的电容的方法，其被配置为降低ESD结构的电容，而其他ESD结构参数很少乃至没有变化。ESD器件的本体端子可被负偏置以降低所述ESD器件的漏极端子到源极端子的电容。电荷泵可被配置为提供对所述ESD器件的本体端子的负偏压。在某些例子中，所述ESD器件的栅极端子可耦合到所述ESD器件的源极端子，诸如通过电阻器来耦合，并且所述源极端子可耦合到地面。
偏置静电放电电路降低电容方法

[实用新型]控制电路和电子系统-CN201320312498.6有效
发明人： N·加涅;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本申请涉及控制电路和电子系统。除其他情况之外，本实用新型讨论了控制电路，例如转换电路，所述控制电路被配置为当第一晶体管接收的第一电压超过所述第一晶体管或第二晶体管中的至少一个的额定电压时，减小所述第一晶体管和所述第二晶体管的电压应力。
控制电路电子系统

[发明专利]保护性多路复用器电路、操作选通门的方法及选通门系统-CN201310364437.9有效
发明人： N·加涅;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：其它情况之外，提供了保护性多路复用器电路、操作选通门的方法及选通门系统。在一个示例中，保护性多路复用器电路可包括：第一开关，其在第一状态下被配置为在选通门的第一信号节点和第二信号节点中的至少一者的第一电压小于第一限制电压时，将电源的输入耦合至该第一信号节点和第二信号节点中的所述至少一者上。
保护性多路复用电路操作选通门方法系统

[实用新型]保护性多路复用器电路及选通门系统-CN201320509097.X有效
发明人： N·加涅;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：其它情况之外，提供了保护性多路复用器电路及选通门系统。在一个示例中，保护性多路复用器电路可包括：第一开关，其在第一状态下被配置为在选通门的第一信号节点和第二信号节点中的至少一者的第一电压小于第一限制电压时，将电源的输入耦合至该第一信号节点和第二信号节点中的所述至少一者上。
保护性多路复用电路选通门系统

[实用新型]开关电路-CN201320265913.7有效
发明人： T·戴格尔;J·L·斯图兹;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请涉及开关电路。除了其它情况外，本申请公开了一种开关电路，所述开关电路包括耗尽型场效应晶体管(DMFET)，负电荷泵以及负鉴别器。所述耗尽型场效应晶体管(DMFET)具有导通状态和截止状态，其中，所述DMFET配置为在所述导通状态下将第一节点连接到第二节点上，并在所述截止状态下将所述第一节点隔离于所述第二节点；所述负电荷泵连接到所述DMFET的栅极端子上，并配置为向所述DMFET的所述栅极端子提供负电荷泵电压；所述负鉴别器配置为将所述第一节点处的第一电压和所述第二节点处的第二电压进行比较，并基于所述比较确定所述负电荷泵电压。
开关电路

[发明专利]包括过应力保护的转换器-CN201310214387.6无效
发明人： N·加涅;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请涉及包括过应力保护的转换器。除其他情况之外，本发明讨论了控制电路，例如转换电路，所述控制电路被配置为当第一晶体管接收的第一电压超过所述第一晶体管或第二晶体管中的至少一个的额定电压时，减小所述第一晶体管和所述第二晶体管的电压应力。
包括应力保护转换器

[发明专利]开关电路及用于操作开关电路的方法-CN201310180591.0有效
发明人： T·戴格尔;J·L·斯图兹;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请涉及开关电路及用于操作开关电路的方法。除了其它情况外，本申请公开了一种开关电路，所述开关电路包括耗尽型场效应晶体管(DMFET)，负电荷泵以及负鉴别器。所述耗尽型场效应晶体管(DMFET)具有导通状态和截止状态，其中，所述DMFET配置为在所述导通状态下将第一节点连接到第二节点上，并在所述截止状态下将所述第一节点隔离于所述第二节点；所述负电荷泵连接到所述DMFET的栅极端子上，并配置为向所述DMFET的所述栅极端子提供负电荷泵电压；所述负鉴别器配置为将所述第一节点处的第一电压和所述第二节点处的第二电压进行比较，并基于所述比较确定所述负电荷泵电压。
开关电路用于操作方法

[实用新型]用于MOSFET开关器件电压选择的设备-CN201320131439.9有效
发明人： N·加涅;科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本申请涉及用于MOSFET开关器件电压选择的设备。根据一个总的方面，一种用于MOSFET开关器件电压选择的设备包括第一电压轨以及第二电压轨。所述设备包括在第一电压轨和第二电压轨之间的第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）PMOS器件，其中第一PMOS器件配置为响应于第一PMOS器件被激活而将第一电压轨电连接于第二电压轨。所述设备还可以包括第二PMOS器件,第二PMOS器件配置为响应于第二PMOS器件被激活且第一PMOS器件被去激活，将由电荷泵器件产生的电荷泵电压提供给第二电压轨。所述设备还可以包括传输门以及连接于传输门的驱动器电路，驱动器电路配置为基于第二电压轨的电压操作。
用于 mosfet 开关器件电压选择设备

[实用新型]一种用于上电复位的装置-CN201220739949.X有效
发明人： T·戴格尔;科奈斯·P·斯诺登;N·加涅;J·L·斯图兹 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本申请涉及用于上电复位的装置。除其它内容之外，本文论述了用于上电复位的装置。一种示例性用于上电复位的装置可包括：被配置为接收电源电压和在输出端处提供经调节的电压的调节器以及包括上电复位(POR)比较器在内的POR电路。所述POR电路可被配置为使用POR比较器的输出来提供经调节的电压低于阈值电平的指示，并且当经调节的电压高于阈值电平时，禁用POR比较器。
一种用于复位装置

[实用新型]负电荷泵电路-CN201220734121.5有效
发明人： 科奈斯·P·斯诺登 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本申请涉及负电荷泵电路。总的来说，本申请提供了一种配置为提供一低于基准电压(例如地电压)的电压的负电荷泵电路。该电荷泵电路包括阻塞电路，其降低或消除电荷泄漏从而可在输出端处形成负电压。该电荷泵电路总体包括互补的MOS开关对，所述互补的MOS开关对根据互补的电容器上形成的电荷以互补方式切换以提供负电压电源。
负电荷电路

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