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[实用新型]一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET器件-CN202321033801.9有效
发明人：涂长招;王力;袁益飞;严康;赖保良;黄周娟;伍彩霞 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET器件，包括：衬底，所述衬底为掺杂有p‑离子的硅基片，所述衬底的底面开设有第一凹槽，所述衬底的顶面开设有第二凹槽；N型重掺杂区域，数量为两个，所述N型重掺杂区域为掺杂有n+离子的区域，分别形成在所述衬底的上端，两个所述N型重掺杂区域分别设置于所述第二凹槽的两侧；源极和漏极，分别电连接至所述N型重掺杂区域；金属填充区域，所述第一凹槽内填充相应的金属形成所述金属填充区域；绝缘层，覆盖设置于第二凹槽的上表面；栅极，填充于所述第二凹槽对应所述绝缘层以上的区域。
一种降低开关栅极电荷沟道增强 mosfet 器件

[实用新型]一种实现低导通电阻的N沟道增强型MOSFET器件-CN202321033827.3有效
发明人：涂长招;王力;涂金福;严康;赖保良;李敏 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种实现低导通电阻的N沟道增强型MOSFET器件，包括：p型衬底，所述p型衬底为掺杂有p‑离子的硅基片；高空穴率材料层，所述高空穴率材料层由高空穴率p型AlGaN材料制成，覆盖于所述p型衬底的底端面；第一N型重掺杂区域和第二N型重掺杂区域，所述第一N型重掺杂区域从上到下逐渐向所述第二N型重掺杂区域延伸，使得所述第一N型重掺杂区域与所述第二N型重掺杂区域之间的距离从上到下逐渐减小；源极和漏极，所述源极电连接于所述第一N型重掺杂区域且引出于所述第一N型重掺杂区域的上端面，所述漏极电连接于所述第二N型重掺杂区域且引出于所述第二N型重掺杂区域的上端面；绝缘层；栅极。
一种实现通电沟道增强 mosfet 器件

[发明专利]N型超结功率MOSFET器件及制造方法-CN202310392612.9在审
发明人：涂长招;王力;涂金福;李敏;袁益飞 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型超结功率MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在所述半导体衬底上生长出的外延层；在所述外延层并列设置有元胞区和器件终端区，所述元胞区由交替相间的第一P柱区半导体和第一N柱区半导体构成，所述器件终端区靠近所述元胞区具有深槽，所述深槽内填充有绝缘介质，在所述深槽背离所述元胞区的一侧还具有第二P柱半导体，所述第二P柱半导体背离所述元胞区的一侧为弧形，且所述弧形为半径为r的圆弧形。本方案可以在保证低导通损耗的前提下，进一步显著地降低栅极寄生电容的技术问题。
型超结功率 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法-CN202310357719.X在审
发明人：涂长招;王力;涂金福;李敏;赖保良 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底；外延层设置于半导体衬底上，外延层在朝向半导体衬底的方向上依次设置有漂移区；金属层设置于外延层上；沟槽结构，沟槽结构设置于外延层中，沟槽包括第一沟槽和至少两个第二沟槽，第一沟槽内壁覆盖有源极介质层，且内部填充有源极多晶硅；至少两个第二沟槽中的任一沟槽设置有多晶硅屏蔽场板，和多晶硅栅，且填充有氧化层，至少两个第二沟槽中的任一沟槽的多晶硅栅通过第二接触孔连接到金属层形成栅极；半导体衬底背离金属层的一侧与金属层形成漏极。本方案可以解决在保证低导通损耗的前提下，进一步显著地降低栅极寄生电容的技术问题。
一种带有屏蔽结构沟槽 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法-CN202310357918.0在审
发明人：涂长招;王力;涂金福;李敏;袁益飞 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在半导体衬底上生长出的外延层；金属层，金属层设置于外延层上；沟槽结构，设置于外延层中，沟槽结构包括至少两个器件单胞，器件单胞包括第一沟槽和两个第二沟槽，两个第二沟槽分别设置于第一沟槽的两侧，第一沟槽内壁覆盖有源极介质层，且内部填充有源极多晶硅；第一沟槽和两个第二沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖；两个器件单胞之间还设置有N掺杂深阱部。本方案能够解决现有技术MOSFET中降低了栅氧电场，但是随着P+栅氧保护区的引入，使得器件导通电阻变大的技术问题。
一种基于 rds 沟道增强 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET器件的制备方法-CN202310489643.6在审
发明人：涂长招;王力;王梓霖;涂金福;李敏 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET的制备方法，包括以下步骤：在掺杂有p‑离子的衬底上形成两个掺杂有n+离子的N型重掺杂区域，在所述N型重掺杂区域分别生长源极和漏极；在衬底的上下两面旋涂光刻胶并烘干，对衬底底面的光刻胶掩膜光刻、显影，在所述衬底底面暴露出第一刻蚀区，在所述第一刻蚀区刻蚀出第一凹槽，在所述第一凹槽中沉积金属形成金属填充区域；在衬底的上端面的光刻胶掩膜光刻、显影，在所述衬底上端面暴露出第二刻蚀区，在所述第二刻蚀区刻蚀出第二凹槽，所述第二凹槽为弧形下凹结构；在第二凹槽的上表面生长氧化层；在第二凹槽内对应所述氧化层的上端沉积金属形成下端为弧形的栅极。
一种降低开关栅极电荷沟道增强 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件的制备方法-CN202310711515.1在审
发明人：涂长招;王力;涂金福 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：在p型衬底上生长n型漂移区；在n型漂移区通过离子注入形成p‑阱区；在p‑阱区通过离子注入形成p+区和第一n+区；在n型漂移区的右上方通过离子注入形成第二n+区；在所述第一n+区、所述p‑阱区、所述n型漂移区之间的上方生长绝缘层，在绝缘层上方制备栅极；在所述第二n+区的上方制备漏极，所述p+区和所述第一n+区之间的上方制备源极；在器件上表面覆盖光刻胶，通过掩膜模版光刻，在所述n型漂移区暴露出若干圆形孔，若干所述圆形孔作为离子注入区域，向所述离子注入区域注入离子，最终在所述n型漂移区形成若干p型圆柱。
一种压低通电型超结功率 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种实现低导通电阻的N沟道增强型MOSFET器件的制备方法-CN202310489657.8在审
发明人：涂长招;王力;王梓霖;涂金福;李敏 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现低导通电阻的N沟道增强型MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：在掺杂有p‑离子的衬底上端面的一侧刻蚀出第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽从上到下逐渐向所述第二沟槽延伸，使得所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的距离从上到下逐渐减小；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充n型硅，形成第一N型重掺杂区域和第二N型重掺杂区域；p型衬底的上端面对应第一N型重掺杂区域和第二N型重掺杂区域之间的区域生长绝缘层；在所述第一N型重掺杂区域和所述第二N型重掺杂区域的表面分别生长源极和漏极，在所述绝缘层的上表面生长栅极；所述p型衬底的下端面生长高空穴率p型AlGaN材料形成高空穴率材料层。
一种实现通电沟道增强 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种用于汽车车载充电器控制电路-CN202211299462.9在审
发明人：涂长招 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于汽车车载充电器控制电路，涉及电源控制技术领域，包括电源模块，用于供电；状态检测模块，用于检测储能模块的电量信息；智能控制模块，用于接收信息并控制模块工作；输入调节模块，用于通过半桥LLC谐振电路完成稳压处理；充电模式调节模块，用于升压控制、限流充电控制和两组电感电路的储能、放电工作；开关控制模块，用于控制限流充电电感储能放电的开始；涓流控制模块，用于涓流充电控制；储能模块，用于储能。本发明用于汽车车载充电器控制电路通过半桥LLC谐振电路进行稳压处理，并由充电模式调节模块中的两组电感电路完成升压充电，并配合开关控制模块实现限流储能充电和涓流充电，减小电路体积。
一种用于汽车车载充电器控制电路

[发明专利]一种汽车空调系统智能控制电路-CN202211170067.0在审
发明人：涂长招 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B60H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车空调系统智能控制电路，涉及空调控制技术领域，包括电源模块，用于供电；电源控制模块，用于电源切换；压力检测模块，用于压力检测；智能控制模块，用于接收信号并控制模块工作；待机控制模块，用于待机控制；通路选择模块，用于鼓风机模式的控制；鼓风机控制模块，用于调节鼓风机的转速；压缩机控制模块，用于控制机械压缩机和电子压缩机的工作；通信模块，用于无线通信控制。本发明汽车空调系统智能控制电路提供两种供电电源，可进行待机控制和空调预控制，节约电能，并由压力检测模块检测机械压缩机和电子压缩机的压力情况，智能控制鼓风机和压缩机的工作。
一种汽车空调系统智能控制电路

[实用新型]一种用于汽车电子元件的保护装置-CN202221379208.5有效
发明人：涂长招 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于汽车电子元件的保护装置，具体涉及保护装置技术领域，包括箱体，所述箱体顶部设置有箱盖，所述箱盖顶部中心线处设置有把手，所述把手横截面形状设置为倒U形，所述箱盖两侧均设置有锁体，所述锁体底部设置有锁扣，所述锁扣一侧与箱体一侧相连接，所述箱体一侧设置缠绕杆。本实用新型通过放置机构对元件本体进行分隔放置的设置，不仅使得元件本体能够得到有效的保护，而且还方便了使用者将放置机构从箱体内取出，或将放置机构从箱体外部放入箱体内部，且通过缠绕杆与地线的设置，还能够有效的避免箱体内出现静电现象导致元件本体受到损伤，且在未使用地线时还可以将地线缠绕在缠绕杆上。
一种用于汽车电子元件保护装置

[实用新型]一种汽车电子元器件检测装置-CN202221291919.7有效
发明人：涂长招 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车电子元器件检测装置，具体涉及检测装置技术领域，包括检测台，所述检测台底部均匀设置有多个第一支撑杆，所述第一支撑杆横截面形状设置为倒T形，所述检测台顶部均匀设置有多个第二支撑杆，多个所述第二支撑杆顶部共同设置有顶板，所述顶板底部设置有检测器，所述检测台内部开设有两个第一通孔，两个所述第一通孔内部均设置有限位机构。本实用新型通过设置限位机构，使得该装置具备对电子元器件本体进行限位的功能，从而避免了出现在对电子元器件进行检测的过程中出现电子元器件本体的位置发生偏移从而导致检测失败的现象，因此使得检测装置的实用性得到了提升。
一种汽车电子元器件检测装置

[发明专利]一种电动汽车车窗控制电路-CN202211023898.5在审
发明人：涂长招 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： E05F15/695 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动汽车车窗控制电路，涉及汽车控制技术领域，包括电源控制模块，用于供电和对辅助电源进行充电；电源切换模块，用于电源切换控制；稳压模块，用于稳压控制；感应控制模块，用于感应车窗所受的压力；通信模块，用于数据通信；智能控制模块，用于接收指令并控制模块工作；开关控制模块，用于控制车窗控制模块的工作；待机控制模块，用于待机控制；车窗控制模块，用于控制车窗的上升和下降；本发明电动汽车车窗控制电路采用主电源和辅助电源进行供电，并在辅助电源电量不足时由主电源进行充电控制，并由电源切换模块进行电源切换控制，实现电动车不启动的唤醒控制，控制车窗在电动汽车锁死时进行解锁控制。
一种电动汽车车窗控制电路

[发明专利]一种汽车的驱动和制动控制电路-CN202210855669.3在审
发明人：涂长招 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B60T13/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车的驱动和制动控制电路，涉及汽车控制技术领域，包括电源模块，用于供电；面部识别模块，用于通过神经网络系统进行面部识别；智能控制模块，用于接收信息并控制模块工作；电机驱动模块，用于驱动电机工作；泄放调节模块，用于缓慢泄放控制；制动控制模块，用于电机制动控制；电机模块，用于控制电机工作；喇叭控制模块，用于控制汽车喇叭工作；双闪控制模块，用于控制汽车双闪灯工作。本发明汽车的驱动和制动控制电路通过面部识别模块智能识别面部疲劳程度和闭眼周期，在达到眼皮闭合阈值时自动减速，并控制汽车喇叭进行警示，控制双闪灯提示后方车辆，在减速到一定程度后，汽车将直接启动制定控制模块工作，实现强制制动。
一种汽车驱动制动控制电路

[发明专利]一种汽车储能系统热失控多路控制电路-CN202210765555.X在审
发明人：涂长招 -专利权人： 福建康博电子技术股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B60L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车储能系统热失控多路控制电路，涉及储能保护控制技术领域，包括储能系统模块，用于储能和电压变换；储能模组检测模块，用于检测储能模组的温度和电压；故障识别模块，用于进行分级识别检测和信号放大滤波；快速自锁保护模块，用于与设定的温度阈值和电压阈值比较并输出自锁控制信号；智能控制模块，用于接收信号、识别故障和控制模块工作；继电器保护模块，用于控制电能输出；储能保护模块，用于降温灭火保护。本发明汽车储能系统热失控多路控制电路采用储能模组检测模块分别对储能系统模块中每只储能电池进行温度和电压检测，细化故障检测和保护，并对相应热失控故障的储能电池进行指定断路和降温保护。
一种汽车系统失控控制电路

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