专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法-CN202111643491.8有效
  • 樊堃;祁春超;仇筱乐;刘艳丽 - 杭州海康微影传感科技有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-09-26 - H01L27/146
  • 本发明提供一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔,衬底具有相对的第一表面和第二表面,衬底为第一导电类型材料;第一掺杂区位于衬底中并自衬底的第一表面外露;第一掺杂区为第二导电类型材料;第二掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露;第二掺杂区为第二导电类型材料;介质层设于衬底的第二表面;电极线部分穿设于介质层,另一部分设于介质层背离衬底的一侧,电极线包括与第二掺杂区电连接的第一电极线;第一连通孔内设有连接第一掺杂区和第一电极线的第一电连接柱;第三掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露。
  • 一种光电二极管探测器及其制造方法
  • [发明专利]安检装置-CN201911107656.2有效
  • 祁春超;涂阳阳;黄雄伟 - 深圳市重投华讯太赫兹科技有限公司
  • 2019-11-13 - 2023-08-18 - G01V8/00
  • 本发明公开一种安检装置,该安检装置包括壳体结构与中枢结构;中枢结构包括顶盖、底板以及导向组件,顶盖与底板相对设置且分别位于导向组件的两端;顶盖与底板中的至少一个设有导向孔;导向组件包括导向杆及调节件,顶盖与底板分别设置于导向杆的两端,导向杆的至少一端穿设于所述导向孔,调节件与顶盖及底板中的至少一个可拆卸连接且盖设于导向孔,以在背离导向杆的穿入方向上止挡导向杆或顶盖及所述底板中的至少一个沿所述导向杆运动;壳体结构包括非金属框架,非金属框架形成有容置腔以用于容置中枢结构,壳体结构相对中枢结构可拆卸设置。通过上述方式,能够快速与便利的对安检装置的进行安装与拆卸。
  • 安检装置
  • [发明专利]一种三维层析成像系统及方法-CN201810491101.1有效
  • 祁春超;潘子祥;谭信辉;杨正华 - 深圳市重投华讯太赫兹科技有限公司;华讯方舟科技有限公司
  • 2018-05-21 - 2023-05-26 - G01N21/3581
  • 本申请公开了一种三维层析成像系统及方法,该系统包括:无衍射器件、偏光组件、扫描器件以及接收器;无衍射器件用于将入射的第一光束汇聚成第二光束,该第一光束是太赫兹光;偏光组件设置于无衍射器件的出光侧,用于将第二光束中预设偏振方向的光出射到扫描器件;扫描器件用于将该预设偏振方向的光以扫描方式反射到被检材料,并将被检材料反射的第三光束反射到偏光组件;偏光组件还用于改变第三光束的偏振方向,并将偏振方向改变后的第三光束反射到接收器;接收器设置于偏光组件的反射侧,用于接收偏光组件反射的第三光束,以根据第三光束的信息构建被检材料的三维图像。通过上述方式,本申请能够提高材料检测的速度和成像精度。
  • 一种三维层析成像系统方法
  • [实用新型]像素单元、图像传感器、摄像头组件和电子设备-CN202221460746.7有效
  • 祁春超;孙鹏飞;王保宁 - 杭州海康威视数字技术股份有限公司
  • 2022-06-10 - 2022-10-14 - H01L27/146
  • 本实用新型公开了一种像素单元、图像传感器、摄像头组件和电子设备,涉及图像传感器的技术领域,解决相关技术中像素单元对于波长较长的入射光的吸收率较低,并且相邻两个像素单元之间容易发生光串扰的技术问题。像素单元包括光电二极管,光电二极管具有受光面。电路结构层设置在半导体衬底远离受光面的一侧。电路结构层包括嵌入在层间介质中的多层金属布线和一个聚光结构。多层金属布线与光电二极管电连接。聚光结构在半导体衬底上的垂直投影与光电二极管在半导体衬底上垂直投影的至少部分重叠。至少部分聚光结构的光折射率大于层间介质的光折射率,并且不大于半导体衬底的光折射率。本实用新型提供的像素单元用于将光信号转换为电信号。
  • 像素单元图像传感器摄像头组件电子设备
  • [实用新型]图像传感器、摄像头组件和电子设备-CN202221673105.X有效
  • 祁春超;施童超;王龙 - 杭州海康威视数字技术股份有限公司
  • 2022-06-30 - 2022-10-14 - H01L27/146
  • 本实用新型公开了一种图像传感器、摄像头组件和电子设备,涉及图像传感器的技术领域,为解决图像传感器对于光线的吸收率较低而发明的实用新型。图像传感器包括半导体衬底,多个光电二极管设置在半导体衬底内。任一个光电二极管具有受光面,光电二极管用于将光信号转换为电信号。电路结构层设置在半导体衬底远离受光面的一侧,电路结构层包括层间介质,以及嵌入在层间介质中的多层金属布线和至少一个吸光元件。任一层金属布线与任一个光电二极管电连接。吸光元件在半导体衬底上的垂直投影,与至少一个光电二极管在半导体衬底上垂直投影的至少部分重叠。本实用新型提供的图像传感器用于将光信号转换为电信号。
  • 图像传感器摄像头组件电子设备
  • [发明专利]光电探测器的制备方法-CN202210855331.8在审
  • 黄垒;谭信辉;祁春超;王荣 - 杭州海康威视数字技术股份有限公司
  • 2022-07-19 - 2022-09-23 - H01L31/18
  • 本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述光电探测器的制备方法包括:提供衬底;衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于衬底本体一侧的绝缘层;衬底本体设有朝向绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区,第一注入区的掺杂浓度及第二注入区的掺杂浓度均大于衬底本体的掺杂浓度;在绝缘层上形成暴露第一注入区的第一凹槽和暴露所述第二注入区的第二凹槽;在所述第一凹槽和/或所述第二凹槽的底部形成硅晶体膜层;在所述硅晶体膜层上形成金属膜层,采用快速热退火工艺使所述硅晶体膜层与所述金属膜层反应生成金属硅化物膜层;形成至少部分位于所述第一凹槽内的第一电极及至少部分位于所述第二凹槽内的第二电极。
  • 光电探测器制备方法

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