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[发明专利]水平生长高质量半导体单晶的系统及该单晶的制造方法-CN202010419654.3有效
发明人：欧文·施密特;迈克尔·沃格尔 -专利权人： 硅晶体有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种水平生长高质量半导体单晶的系统及该单晶的制造方法。具体地，本发明涉及一种用于通过物理气相传输(PVT)使用水平取向的PVT生长结构制造一个或多个半导体单晶的系统及方法。更具体地，本发明提供一种用于制造半导体材料的一个或多个单晶的PVT生长系统，该系统包括：反应器，该反应器具有用于容纳PVT生长结构的内腔，该PVT生长结构用于在内部生长该一个或多个单晶，其中，该反应器用于在相对于重力方向的一取向上容纳该PVT生长结构，使得该PVT生长结构内部的该一个或多个单晶的生长方向是基本上水平的或者在小于预定值的水平角度内。所制造的一个或多个单晶可以是由诸如碳化硅(例如4H‑SiC)和III‑V族半导体的半导体材料制成。
水平生长质量半导体系统制造方法

[发明专利]用于高效制造多个高质量半导体单晶的系统和方法-CN202010413386.4有效
发明人：欧文·施密特;迈克尔·沃格尔 -专利权人： 硅晶体有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于高效制造多个高质量半导体单晶的系统和方法。具体地，本发明涉及一种用于通过物理气相传输(PVT)同时制造多于一个半导体材料单晶的系统及方法。PVT生长系统包括多个反应器，每个反应器具有用于容纳PVT生长结构以用于生长单个半导体晶体的内腔，以及其中所述多个反应器中的两个或更多个反应器通过公共真空通道彼此连接。所述公共真空通道可连接到真空泵系统，用于在连接的所述两个或更多个反应器的内腔中创建和/或控制公共气相条件。所述气相条件可以包括所述气相的压力和/或组分。制造的单晶由至少包括碳化硅、4H‑SiC和具有III‑V族元素的半导体的组中的半导体材料制成。
用于高效制造多个高质量半导体系统方法

[发明专利]倒角的碳化硅衬底以及倒角的方法-CN201910395403.3有效
发明人：伯恩哈德·埃克;拉尔夫·穆勒;马提亚斯·施托克迈尔;迈克尔·沃格尔;阿恩德-迪特里希·韦伯 -专利权人： 硅晶体有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基本上是单晶的倒角碳化硅衬底，以及涉及一种相应的倒角碳化硅衬底的方法。根据本发明的碳化硅衬底包括主表面(102)和倒角外周区域(110)，其中所述主表面(102)的取向使得所述主表面(102)的法向量包括与所述衬底的晶格基面(106)的法向量的倾斜角，其中所述倒角外周区域(110)的表面包括与所述主表面的斜角，其中所述斜角被选择为使得在超过75％的外周区域中，所述倒角外周区域(110)的法向量与主表面的法向量的差异小于所述主表面的法向量与所述衬底的晶格基面的法向量之间的差异。
倒角碳化硅衬底以及方法

[发明专利]碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法-CN201880013241.6有效
发明人：迈克尔·沃格尔;伯恩哈德·埃克;拉尔夫·穆勒;马提亚斯·施托克迈尔;阿恩德-迪特里希·韦伯 -专利权人： 硅晶体有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有改进的机械特性和电学特性的碳化硅(SiC)衬底。此外，本发明涉及用于在物理气相传输生长系统中生产块状SiC晶体的方法。碳化硅衬底包括构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％的内部区域(102)，以及径向围绕内部区域(102)的环形外周区域(104)，其中，内部区域(102)中的掺杂剂的平均浓度与外周区域(104)中的该掺杂剂的平均浓度相差最大5×1018cm‑3、优选1×1018cm‑3。
碳化硅衬底用于生长 sic 单晶锭方法

[发明专利]倒角的碳化硅衬底以及倒角的方法-CN201910394737.9有效
发明人：迈克尔·沃格尔;伯恩哈德·埃克;拉尔夫·穆勒;阿恩德-迪特里希·韦伯;马提亚斯·施托克迈尔 -专利权人： 硅晶体有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基本上是单晶的倒角碳化硅衬底，以及涉及一种相应的倒角碳化硅衬底的方法。碳化硅衬底(100)包括主表面(102)和基本上垂直于主表面(102)的圆周端面表面(114)，以及倒角外周区域(110)，其中，倒角外周区域(110)的第一斜表面(106)包括与所述主表面(102)的第一斜角(a1)，并且其中，倒角外周区域(110)的第二斜表面(108)包括与所述端面表面(114)的第二斜角(a2)，其中，在超过75％的外周区域中，所述第一斜角(a1)具有在20°至50°之间的范围内的值，并且所述第二斜角(a2)具有在45°和75°之间的范围内的值。
倒角碳化硅衬底以及方法

[发明专利]块状SiC单晶的生成方法及其生长装置-CN202010103260.7在审
发明人：伯恩哈德·埃克;拉尔夫·穆勒;马提亚斯·施托克迈尔;米哈伊尔·沃格尔;阿恩德-迪特里希·韦伯 -专利权人： 硅晶体有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：用于生成至少一个块状SiC单晶(2)的方法，其中，将至少一个SiC籽晶(8)放置在生长坩埚(3)的晶体生长区域(5)中；并且将SiC源材料(6)引入到SiC储层区域(4)，并且通过沉积从SiC生长气相中，生长出块状SiC单晶(2)。生长坩埚(3)由绝缘层(10)围绕，绝缘层(10)以旋转对称的方式在中央中间纵轴(14)的方向上轴向延伸，并且具有至少两个绝缘筒体部件(19,20)；至少两个绝缘筒体部件(19,20)以一个在另一个内部的方式彼此同心布置，其中绝缘层(10)在概念上被分成绝缘环段(29)，绝缘环段(29)继而在概念上被分成体积元件，并且每个绝缘环段具有平均绝缘环段密度。
块状 sic 生成方法及其生长装置

[发明专利]碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法-CN201880013705.3在审
发明人：迈克尔·沃格尔;伯恩哈德·埃克;拉尔夫·穆勒;马提亚斯·施托克迈尔;阿恩德-迪特里希·韦伯 -专利权人： 硅晶体有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有改进的机械特性和电学特性的碳化硅(SiC)衬底。此外，本发明涉及用于在物理气相传输生长系统中生产块状SiC晶体的方法。碳化硅衬底包括构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％的内部区域(102)，以及径向围绕所述内部区域(102)的环形外周区域(104)，其中，内部区域(102)中的掺杂剂的平均浓度与外周区域(104)中的该掺杂剂的平均浓度相差至少1×10¹⁸cm^‑3。
衬底内部区域碳化硅外周区域掺杂剂物理气相传输电学特性径向围绕生长系统单晶锭晶体的生长改进生产