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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202310425254.7在审
发明人： 石田有亲 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖所述下电极的一部分、具有与所述下电极重叠的像素开口；上电极，其与所述下电极相对；和有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间、对应于所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光。所述下电极包含：金属层，其具有由所述肋部覆盖的第1周缘部、以及通过所述像素开口而从所述肋部露出的第1中央部；和导电性氧化物层，其具有位于所述肋部之上的第2周缘部、以及通过所述像素开口而与所述第1中央部接触的第2中央部。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202310418836.2在审
发明人： 石田有亲 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖所述下电极的端部，并具有使所述下电极的一部分露出的像素开口；隔壁，其配置在所述肋部之上；上电极，其与所述下电极相对，与所述隔壁接触；有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间，对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光；和密封层，其连续覆盖显示元件和所述隔壁，其中，所述显示元件包含所述下电极、所述上电极及所述有机层。所述密封层包含：第1部分，其位于所述肋部的上方，并具有第1厚度；和第2部分，其位于从所述像素开口通过而从所述肋部露出的所述下电极的上方，并具有比所述第1厚度小的第2厚度。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置的制造方法-CN202310083077.9在审
发明人：三村寿文;小龟平章;石田有亲;福田加一 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中，准备在基板的上方形成有下电极、肋部和包含下部及上部的隔壁的处理基板，形成覆盖下电极的第1有机层、和与第1有机层分离并位于上部之上的第2有机层，形成位于第1有机层之上并与下部相接的第1上电极、和与第1上电极分离并位于第2有机层之上的第2上电极，形成位于第1上电极和第2上电极的上方并覆盖隔壁的封固层，形成覆盖封固层的一部分的抗蚀剂，以抗蚀剂为掩模进行各向异性干式蚀刻，减小从抗蚀剂露出的封固层的膜厚，以抗蚀剂为掩模，使用氟系气体与氧的混合气体进行各向同性干式蚀刻，将从抗蚀剂露出的封固层除去。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置-CN201710735341.7有效
发明人：观田康克;石田有亲;渊正芳 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示装置，具有：绝缘基板；具有在绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在第1半导体层的上方设置的第1电极的第1晶体管；在第1半导体层的上方设置的第1绝缘层；第2晶体管，具有在第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于第2半导体层与绝缘基板之间且与第2半导体层电连接的导电层，和在第1绝缘层及第2半导体层的上方设置的第2绝缘层，第1半导体层由硅形成，第2半导体层由氧化物半导体形成，第1电极在至少贯通第1绝缘层及第2绝缘层的第1贯通孔中与第1半导体层电连接，第2电极在至少贯通第2绝缘层的第2贯通孔中与导电层接触。显示装置能够使薄膜晶体管的电气特性稳定。
显示装置

[发明专利]反射型显示装置-CN201510751532.3有效
发明人：秋吉宗治;二之宫希佐子;川田靖;林宏宜;石田有亲 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种反射型显示装置，能够抑制因外部光的入射而导致的薄膜晶体管的漏光。阵列基板(13)具备玻璃基板(21)、多个薄膜晶体管(22)、多个像素电极(27)、金属膜(25)。多个薄膜晶体管(22)设置于玻璃基板(21)。多个像素电极(27)相互隔开间隔设置，且由薄膜晶体管(22)驱动。多个像素电极(27)对从对置基板侧入射的外部光(L)进行反射。金属膜(25)设置在像素电极(27、27)的间隔与薄膜晶体管(22)之间。
反射显示装置

[发明专利]显示装置-CN201510411819.1有效
发明人：铃村功;石田有亲;植村典弘;三宅秀和;三宅博都;山口阳平 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。
锥部半导体层漏电极源电极栅电极绝缘层薄膜晶体管显示装置侧壁锥角下层上层层叠构造绝缘基板保护膜中间层

[发明专利]显示装置-CN201410553294.0有效
发明人：平松雅人;川田靖;石田有亲 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一个实施方式所涉及的显示装置具备形成在树脂层(10)表面上的基底绝缘层(11)、及隔着基底绝缘层而形成在树脂层表面的上方的薄膜晶体管。基底绝缘层(11)包括第一硅氧化膜(1)、形成在第一硅氧化膜的上方的硅氮化膜(2)及形成在硅氮化膜的上方的第二硅氧化膜(3)这三层层叠构造。
显示装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201710734222.X在审
发明人： 石田有亲;川田靖 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种显示装置及其制造方法，该显示装置具备第1树脂基板，由非透明的树脂材料形成，具有第1热膨胀系数；第1阻挡层，将上述第1树脂基板的内面覆盖，具有比上述第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数；显示元件部，在上述第1阻挡层上包含有机电致发光元件和封固膜而形成；第2树脂基板，贴合于上述显示元件部，由透明的树脂材料形成；以及安装部，形成在上述第1树脂基板相对于上述第2树脂基板突出的位置。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201510408263.0在审
发明人：三宅秀和;石田有亲;植村典弘;三宅博都;铃村功;山口阳平 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201410056603.3在审
发明人： 石田有亲;川田靖 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示装置，具备第1基板、第2基板和显示元件，上述第1基板具备：具有第1热膨胀系数的第1树脂基板，将上述第1树脂基板的内面覆盖、具有比上述第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数的第1阻挡层，以及形成在上述第1阻挡层之上的开关元件；上述第2基板具备：由与上述第1树脂基板不同的材料形成且具有与上述第1热膨胀系数同等的第3热膨胀系数的第2树脂基板，以及将上述第2树脂基板的内面覆盖、具有比上述第3热膨胀系数小且与上述第1热膨胀系数同等的第4热膨胀系数的第2阻挡层；上述显示元件位于上述第1树脂基板与上述第2树脂基板之间，并且包含与上述开关元件电连接的像素电极。
显示装置

[发明专利]阵列基底液晶显示装置和制作阵列基底的方法-CN200480003008.8无效
发明人：松浦由纪;石田有亲 -专利权人：东芝松下显示技术有限公司
申请日： 2004-08-12 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：以小岛形状的多个多晶硅薄膜(71)形成的其上的玻璃基底(3)上，形成栅绝缘薄膜(15)。对在栅绝缘薄膜(15)上形成的第一金属层(72)做图形，以在面向产生薄膜晶体管(4，5)的栅绝缘薄膜(15)上形成栅电极(16)。在栅绝缘薄膜(15)上，形成第二金属层(73)，以覆盖栅电极(16)。在薄膜晶体管(4，5)的栅电极(16)上接线部分(17)。
阵列基底液晶显示装置制作方法

[发明专利]电路阵列基板及其制造方法-CN200410058939.X有效
发明人： 石田有亲;渊正芳;松浦由纪;多田典生 -专利权人：东芝松下显示技术有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种电路阵列基板具有绝缘基板3上形成的薄膜晶体管4和5以及PIN二极管6。活性层11和光电传感器部分21由多晶硅膜制成。如必要，在同一处理腔中将杂质掺杂入活性层11和光电传感器部分21中，以便使得它们的杂质浓度彼此不同。可以采用较少数量的处理同时且方便地在绝缘基板3上制造具有预定特征的薄膜晶体管4和5以及具有改进的光感度的PIN二极管6。
电路阵列及其制造方法

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