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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种净化工业废气的洗涤液及其制备方法-CN201710098787.3在审
发明人：韦婷婷;盛况;张琰;陶海升 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B01D53/14 文献下载
摘要：本发明涉及净化工业废气的洗涤液及其制备方法，所述洗涤液由以下重量份的组分组成水375‑400份、五水偏硅酸钠8‑12份、乙酸30‑40份、乙醇100‑120份、混合型表面活性剂8‑12份。所述洗涤液适用于偏碱性及有机工业废气的处理，通过吸收工业废气，将气体污染物质转移至液体中，防止造成大气污染，通过对洗涤液的回收处理，达到治理污染的目的。
一种净化工业废气洗涤液及其制备方法

[发明专利]一种具有可调节电势分布的半导体装置及其制备方法-CN201210237780.2有效
发明人：盛况;朱江 -专利权人：盛况
申请日： 2012-06-30 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有可调节电势分布的半导体装置；本发明的半导体装置由主结和副结并联构成，其中副结为多个PN结串联构成；当半导体装置接反向偏压时，电势在副结上形成可控制的分布，从而改变主结的漂移区的电势分布，因此可以实现比传统PN结更高反向阻断压降；本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。
一种具有调节电势分布半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种具有超结结构的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210006384.9有效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超结结构的沟槽肖特基半导体装置，通过沟槽内下部的第二导电半导体材料与沟槽之间的第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构，提高器件的反向击穿电压；同时，当半导体装置接一定的反向偏压时，沟槽内上部设置的金属或高浓度杂质掺杂的第二导电半导体材料与沟槽侧壁的绝缘介质构成MOS结构，可以抑制肖特基势垒结附近漂移材料的电场强度，抑制了肖特基势垒随反向偏压升高势垒高度降低的现象，从而降低器件的反向漏电流，提高器件的反向阻断特性。
一种具有结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种含有金属的半导体装置及其制备方法-CN201210028179.2有效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2012-01-14 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明了一种含有金属的半导体装置，通过金属改变半导体材料原有的能级分布，从而改变半导体材料电特性；本发明还涉及含有金属的半导体装置的制备方法；本发明的半导体装置是制造半导体器件和集成电路的基本结构。
一种含有金属半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制造方法-CN201110387741.6有效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明主要涉及到一种沟槽MOS结构半导体装置，并将超结结构引入到半导体装置中，本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器和功率MOSFET的基础结构，本发明还涉及沟槽MOS结构半导体装置的制造工艺。
一种沟槽 mos 结构半导体装置及其制造方法

[实用新型]抽出式低压开关柜-CN201621131162.X有效
发明人：盛况;陈跃飞;吉化展;杨雄航;阳立飞 -专利权人：威胜电气有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H02B11/127 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抽出式低压开关柜，包括柜体、抽屉单元以及设置于上、下相邻两抽屉单元之间的抽屉层板，所述抽屉层板的底面嵌装有万向球。本实用新型通过在抽屉层板上嵌装万向球减小了抽屉单元抽拉时的摩擦力，使得抽拉便捷，同时万向球只收竖直向下的压力作用，不存在剪应力，保证了使用的稳定性。
抽出低压开关柜

[发明专利]一种蜂蜜酒的酿制方法-CN201610988029.4在审
发明人：陈倩;朱子豪;盛况;吕静雅;陶海升 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C12G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及蜂蜜酒的酿制方法，包括以下步骤(1)、粳糯米淘洗浸泡；(2)、上锅蒸熟；(3)、拌曲装坛；(4)、压平发酵；(5)、加蜜发酵；(6)、澄清陈酿；(7)、闷锅煎酒；(8)、自然冷却后，抽取上层清酒，清酒放1个月自然澄清，去下层酒渣，得成品蜂蜜酒。该酿制方法工艺简单，操作方便，所用原料均为天然成分，对人体无害，且原料价格低廉，方便易得；同时，所制得的蜂蜜酒使用蜂蜜与上等粳米的深度发酵与完美结合使酒具有香甜口感，适合大多数消费者饮用，且对滋润身体器官具有非常好的功效，对大部分亚健康者都具有较好的调养身体的作用。
一种蜂蜜酿制方法

[发明专利]一种肖特基超结半导体装置及其制备方法-CN201210032202.5有效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：朱江;盛况
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基超结半导体装置，因为超结结构的存在，提高器件的反向击穿电压，改善器件的正向导通特性；同时器件正向导通为单个载流子导电的器件，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超结肖特基半导体装置的制备方法。
一种肖特基超结半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种阈值电压可调的GaN基增强型高电子迁移率晶体管-CN201610633129.5在审
发明人：谢刚;李雪阳;侯明辰;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种阈值电压可调的GaN基增强型高电子迁移率晶体管。本发明在衬底上从下至上依次涂覆有GaN缓冲层和AlGaN势垒层，GaN缓冲层和AlGaN势垒层的一侧边缘刻蚀有沟槽，在沟槽底的GaN缓冲层上表面覆有金属源电极，在AlGaN势垒层上表面远离沟槽一侧边缘覆有金属漏电极，在金属漏电极与金属源电极之间涂覆有绝缘电介质，且绝缘电介质完全覆盖源电极；位于垂直导电沟道附近的绝缘电介质上涂覆有栅极金属。本发明通过垂直沟道的深度来降低沟道电阻，通过离子注入和表面处理及栅极金属的选择上调节HEMT器件阈值电压，使其能够更好地满足中低压(低于600V)功率应用需求。
一种阈值电压可调 gan 增强电子迁移率晶体管

[发明专利]一种新型电力电子模块-CN201410226812.8有效
发明人：郭清;李琦;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的目的在于针对现有DBC板在均流设计中的不足提供一种新型电力电子模块，该电力电子模块为陶瓷‑金属复合板结构，该结构包括上铜层、陶瓷层、二极管芯片、功率器件芯片、母排端子，其特征在于所述模块还包括并联的3个或3个以上的功率器件芯片，母排端子放置在所有以上并联的芯片的中心位置。使得各支路回路的分布电感一致，极大程度上实现了拓扑的并联一致性，提高模块的可靠性。消除了并联电路的支路电感不均匀的情况，很好的实现了支路均匀性，利于高频化、高功率化下的并联均流，极大程度上缓解了散热压力，提高模块的可靠性。
一种新型电力电子模块

[发明专利]一种采用新型绝缘材料的电力电子模块-CN201310615891.7有效
发明人：郭清;谢刚;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用新型绝缘材料的电力电子模块，包括功率芯片、焊锡层、直接覆铜层以及基板，所述直接覆铜层包括铜层及陶瓷层，所述陶瓷层为纳米氧化铝陶瓷层。模块中的直接覆铜层结构中采用新型的纳米氧化铝材料代替传统的材料，该纳米氧化铝具有垂直的蜂窝状细管，并填充高导热性的材料。它将纳米材料技术与电力电子模块结合，提升了功率模块的散热能力。
一种采用新型绝缘材料电力电子模块

[发明专利]一种具有热电解耦功能的功率器件动态特性测试电路及其测试方法-CN201310618725.2有效
发明人：罗皓泽;李武华;郭清;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有热电解耦功能的功率器件动态特性测试电路，它包括：第一功率开关管S1、第二功率开关管S2、第一驱动电路、第二驱动电路、第三功率开关管S3、直流电源Vd、直流储能电容Cd、续流电抗器Lload。本发明还提供了该测试电路的测试方法。本发明中的待测功率开关管不参与负载电流的建立，因此在负载电流建立过程中产生的损耗不会对待测待测功率开关管的温度产生影响，可以确保待测功率开关管在动态测试时的环境温度稳定。
一种具有电解功能功率器件动态特性测试电路及其方法

[实用新型]一种APF柜的柜体-CN201620698611.2有效
发明人：吉化展;秦留辉;彭奇丰;刘理;吴兢兢;盛况 -专利权人：威胜电气有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02B1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种APF柜的柜体，其形状为长方体形，柜体内沿高度方向通过纵向隔板分隔形成的控制室和APF模块室两个相互独立的隔间，控制元件和APF模块分别安装于两独立的隔间内，两隔间分别有独立的散热通道。使主要发热源APF模块产生的热量可单独往外排，减少对控制元件性能的影响。控制室也有独立的散热通道可将控制元件产生的热量排走，所以控制元件的工作稳定。
一种 apf

[实用新型]低压母联柜控制电源的切换电路-CN201620537659.5有效
发明人：彭奇丰;刘理;吴兢兢;盛况;彭为正 -专利权人：威胜电气有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H02J9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低压母联柜控制电源的切换电路，包括1#进线柜供电断路器、联络柜供电断路器和2#进线柜供电断路器，联络柜供电断路器的两个辅助触点分别连接在1#进线柜的合闸回路和2#进线柜的合闸回路上；1#进线柜供电断路器的两个辅助触点分别连接在联络柜电源切换‑电气连锁回路的两个电源进线上，同时2#进线柜供电断路器的两个辅助触点分别与1#进线柜供电断路器的两个辅助触点串接。本实用新型通过现有的母联柜断路器的辅助触点实现电源的切换，通过现有的设备完成电源的切换，实现成本极低；采用母联柜断路器进行电源切换，保证了控制开关动作的正确性、可靠性和安全性，而且器件自身可靠性极高，电路安全可靠。
低压母联柜控制电源切换电路

[发明专利]一种新型增强型AlGaN/GaN半导体器件及其制备方法-CN201610427274.8在审
发明人：谢刚;侯明辰;李雪阳;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型增强型AlGaN/GaN半导体器件及其制备方法。在Si衬底之上从下至上依次涂覆有GaN层和AlGaN层，在GaN层和AlGaN层的一侧边缘刻蚀有沟槽，沟槽过刻至GaN层，在沟槽底GaN层上表面涂覆源极欧姆金属，在AlGaN层上表面另一侧边缘涂覆漏极欧姆金属，源漏欧姆金属之间涂覆有钝化层，位于垂直型沟道附近的钝化层上涂覆有用于控制垂直型沟道导电粒子浓度的肖特基金属。本发明的新型增强型AlGaN/GaN半导体器件可实现比传统沟槽增强型AlGaN/GaN的HEMTs更小的导通电阻。
一种新型增强 algan gan 半导体器件及其制备方法

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