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[发明专利]一种太赫兹频段全金属微纳波导-CN202310828342.1在审
发明人：温良恭;李栋;熊凡;白中扬;陈林亮 -专利权人：太锐芯科技（青岛）有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹频段全金属微纳波导，结构体系上，以全金属结构实现结构外形、波导通道和定位孔的一体化；加工工艺上，通过机床加工、微纳加工分别进行法兰和波导结构的加工；装配方式上，波导与法兰通过销钉定位进行对准装配，同时直接以微纳加工的波导口作为端面与输入/输出信号相连接，减少信号传输损耗。本发明的全金属微纳器件相较于金属化硅基微纳器件具有良好的器件可靠性和工作寿命；以机床加工和微纳加工结合有效实现法兰与波导结合的一体化加工，改善了波导结构的表面粗糙度、侧壁陡直度和表面平整度等，减小射频损耗；对准装配和采用微纳加工的波导口作为端面与输入/输出信号相连接，减少了信号传输损耗。
一种赫兹频段全金属波导

[发明专利]垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器-CN202310360142.8在审
发明人：温良恭;孙统;白中扬;李昭颖 -专利权人：太锐芯科技(青岛)有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹技术领域，尤其涉及一种垂直腔面太赫兹发射器、射频器、滤波器以及调制器。垂直腔面太赫兹发射器包括：垂直腔面发射激光器本体；自旋太赫兹波产生结构，自旋太赫兹波产生结构设于垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方，用于基于垂直腔面发射激光器本体发射的激光产生自旋太赫兹波；以及调制结构，调制结构设于垂直腔面发射激光器本体的激光发射表面上方，用于调制自旋太赫兹波产生结构产生的自旋太赫兹波。本发明通过自旋太赫兹波产生结构、调制结构和垂直腔面发射激光器本体的同片集成，并通过调制结构对自旋太赫兹波产生结构产生的自旋太赫兹波进行调制。本发明实现辐射自旋太赫兹波并进行调制。
垂直腔面太赫兹发射器射频滤波器以及调制器

[发明专利]单片多功能集成的自旋太赫兹器件-CN202211390175.9在审
发明人：温良恭;周友盛;白中扬;孙统;李昭颖 -专利权人：太锐芯科技（青岛）有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种单片多功能集成的自旋太赫兹器件，属于传感技术领域，解决了现有技术中太赫兹器件集成化多功能调制的问题。本申请的技术方案，包括自旋太赫兹天线单元，自旋太赫兹天线单元包括衬底介质基片、自旋薄膜和波导天线。波导天线设置于衬底介质基片的上表面并围绕自旋薄膜均匀排布，或者波导天线位于自旋薄膜的上表面并围绕自旋薄膜的上表面中心均匀排布，进而实现集成化有源调控的自旋太赫兹单元。利用该结构的幅频特性，可以构建自旋相控阵列，进而实现有源可调谐的自旋相控阵。本申请的技术方案，构建了对太赫兹辐射具有调制作用的多功能器件，实现了太赫兹波产生、增强和调控的多功能单片集成，具有巨大应用潜力。
单片多功能集成自旋赫兹器件

[发明专利]太赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法-CN202111322557.3有效
发明人：温良恭;白中扬;朴勇刚 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法，该结构包括载体，载体开设有用于太赫兹电磁波行进的慢波通道，慢波通道内部表面设有磁性薄膜层；慢波通道内部由行进的电磁波形成微电场，磁性薄膜层通过产生磁场或影响外部磁场，实现对内腔中行进的电子注进行聚焦，以促进电子注与微电场发生相互作用。本发明利用磁性薄膜层替代或增强传统行波管中的永磁体聚焦系统，厚度在微米到纳米量级，有利于行波管的集成化设计以及根据需求实现差异化磁场分布，实现行波管磁场系统体积的小型化，避免了传统永磁体聚焦系统的体积重量过大和磁场整形精度不高的问题，具有集成度高、微纳工艺兼容性好和应用性强的特点。
赫兹行波管慢波聚焦集成结构及其制造方法

[发明专利]一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法-CN202011506665.1有效
发明人：温良恭;白中扬;李河霖 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法，包括：TFT单元；多个导电层，形成在所述TFT单元上并且通过通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接；以及超材料单元，至少部分地形成在所述多个导电层中的一个或多个中并通过所述通孔与所述源/漏极电联接。该器件不仅易于实现可控超材料阵列，进而大面积生产可控超材料调控系统，与TFT工艺兼容性强、稳定性高，可以实现规模化生产，从而降低生产成本。
一种基于 tft 工艺调谐材料器件及其制作方法

[发明专利]基于免疫磁珠标记细胞的分级筛选方法-CN201810776729.6有效
发明人：温良恭;王麟;白中扬 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2018-07-14 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C12N5/00 文献下载
摘要：本发明提出一种基于免疫磁珠标记细胞的分级筛选方法，包括若干级级联的细胞筛选装置，所述细胞筛选装置的主体结构被一层细胞筛分割成上层、下层腔体；通过硅胶管彼此连接,分级筛选方法包括如下步骤：S1.注入样本；S2.冲洗免疫磁珠；S3.施加磁场；S4.冲洗其他细胞；S5.收集目标细胞；重复步骤S2‑S5，直到筛选出所有的目标细胞，且目标细胞将在不同级的细胞筛中筛选出来。本发明使用物理方式实现细胞筛选，能够在同一个筛选装置中，通过多次分级筛选将多种目标细胞筛选出来，从而可以实现多种类型肿瘤细胞的同时诊断并提供准确的检测结果。
基于免疫标记细胞分级筛选方法

[发明专利]像素单元及形成方法、显示器及太赫兹成像系统-CN202110872171.3在审
发明人：温良恭;白中扬;孔茹茹;朴勇刚 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01N21/3586 文献下载
摘要：本发明提供一种像素单元及形成方法、显示器及太赫兹成像系统，在像素单元中，超材料层通过导电插塞与薄膜晶体管中的输入极电连接，从而与薄膜晶体管集成，薄膜晶体管通过输出极与液晶层的底部像素电极电连接。在集成这种像素单元的太赫兹成像系统中，太赫兹辐射源模块发出的太赫兹光波照射在待测物体上，从物体透射或反射后经过光学聚焦器聚焦出射，聚焦信号打在超材料层，光信号经过超材料层形成电信号。薄膜晶体管接收超材料层的电信号并对其进行放大并提取，利用该电信号控制液晶的偏转实现像素点的点亮与变暗，从而实现图像的显示。本发明技术方案为太赫兹成像系统的小型化、可控性和大面积检测阵列提供了可应用性方案。
像素单元形成方法显示器赫兹成像系统

[发明专利]基于超材料三维结构实现电磁波调制的装置及方法-CN201910829288.6有效
发明人：温良恭;宋青林;白中扬;孙浩威 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于超材料三维结构实现电磁波调制的装置及方法，该装置包括：电磁波调制装置和阵列控制装置；用于将经过的电磁波的响应调制为设定响应，电磁波调制装置为超材料三维结构；电磁波调制装置设置于阵列控制装置内，阵列控制装置用于调整电磁波调制装置的状态，使经过电磁波调制装置的电磁波的响应被调制为设定响应。该方法包括：使电磁波入射至电磁波调制装置，获取设定响应电磁波响应；通过阵列控制装置调整电磁波调制装置的状态，获取设定电磁波响应，完成电磁波的响应调制。本发明通过提供一种机械三维调制电磁波的装置及方法，能够应对不同频段的信号调制需求，且具有强抗电磁干扰能力和稳定性。
基于材料三维结构实现电磁波调制装置方法

[发明专利]一种自旋生物传感器及太赫兹时域光谱系统-CN201910417511.6在审
发明人：温良恭;聂天晓;吴晓君;刘永山;白中扬 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01N21/3586 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种自旋生物传感器及太赫兹时域光谱系统，自旋生物传感器包括衬底、超材料阵列层和铁磁结构层；所述超材料阵列层和所述铁磁结构层分别位于所述衬底的两侧，或所述超材料阵列层和所述铁磁结构层位于所述衬底的同一侧，且所述超材料阵列层和所述铁磁结构层间还设有钝化层，所述超材料阵列层位于最外层。采用铁磁材料作为发生器件，在保证发射功率的情况下大幅降低了成本，超材料直接制作在发生器件表面，探测器件紧贴发射源，省去了复杂的光路设计，实现了太赫兹生物传感器的集成化。
超材料阵列层生物传感器铁磁结构衬底自旋太赫兹时域光谱系统发生器件发射功率光路设计探测器件铁磁材料直接制作钝化层发射源集成化最外层层间紧贴保证

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