专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]ETOX非易失闪存器件的制作方法-CN202310801729.8在审
  • 申红杰;张超然;顾林 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-22 - H10B43/20
  • 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种ETOX非易失闪存器件的制作方法。ETOX非易失闪存器件的制作方法包括以下步骤:提供半导体衬底;沉积多晶硅层,所述多晶硅层覆盖在所述半导体衬底的存储区和外围区;在所述多晶硅层上形成硬质氧化层;回刻蚀位于所述半导体衬底的存储区中的多晶硅层,去除覆盖在所述半导体衬底的存储区上的硬质氧化层和多晶硅层的上层;刻蚀所述存储区的衬底上结构形成相间隔存储栅结构,相邻两个存储栅结构之间的半导体衬底外露;面向所述多晶硅层,向所述存储区和外围区一体注入杂质离子;在所述存储栅结构两侧半导体衬底中形成轻掺杂区,所述硬质氧化层阻挡所述杂质离子注入所述外围区的多晶硅层中。
  • etox失闪器件制作方法
  • [发明专利]一种恒应力加载状态下氢渗透的实验装置及使用方法-CN201710266114.4有效
  • 张雷;申红杰;方翊臣;曹文海;邢云颖;路民旭 - 北京科技大学
  • 2017-04-21 - 2023-08-25 - G01N15/08
  • 本发明提供一种恒应力加载状态下电化学氢渗透的实验装置及使用方法,属于金属材料性能测试技术领域。本发明装置主要包括电化学测试系统和机械应力加载装置,主要由加载恒应力的系统、电化学工作站、恒电流仪、通气装置、氢渗透电解池、饱和甘汞电极、盐桥、辅助铂电极组成。本发明所提供的装置及方法可测材料在不同恒定拉应力下的氢扩散系数,装置最大可施加6000N的力,测试应力取决于试样的尺寸,试样越薄,可施加的应力就越大(拉力与拉应力的关系:其中:σ为拉应力,单位MPa;F为拉力,单位N;A为试样的横截面积,单位mm2)。相比于在大型拉伸机上实施的应力加载氢渗透实验,本发明具有设备结构简单、成本低、操作方便、测试结果准确的特点。
  • 一种应力加载状态渗透实验装置使用方法
  • [发明专利]一种高磁感取向硅钢冷涂线-CN202310663562.3在审
  • 孟凡亮;申红杰;张亮 - 山东以利奥林电力科技有限公司
  • 2023-06-06 - 2023-08-22 - B01D29/01
  • 本申请涉及高磁感取向硅钢加工的技术领域,特别是涉及一种高磁感取向硅钢冷涂线,包括回流处理箱,所述回流处理箱内设置有污水过滤单元,所述回流处理箱一侧安装有引导污水进入至污水过滤单元中的引导单元,所述回流处理箱下端设置有回流引出单元,所述回流处理箱内且位于污水过滤单元上方设置有清理单元;本发明通过引导单元将取向硅钢刷洗时产生的污水引导至回流处理箱内,以便通过污水过滤单元对污水进行过滤处理,完成过滤的清水通过回流引出单元引导至取向硅钢生产线对应的刷洗部分,从而可以实现冲洗水的回流循环使用,以达到节能减排的目的。
  • 一种高磁感取向硅钢冷涂线
  • [发明专利]一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法-CN202211523488.7在审
  • 薛立平;申红杰;杜怡行;王虎;顾林 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-21 - H01L21/28
  • 本发明提供一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法,包括提供衬底,该衬底包括高压区和低压区;利用炉管工艺在衬底上形成栅氧化层;利用光刻工艺刻蚀位于低压区的栅氧化层,直至暴露出低压区的衬底表面;通入气体,对低压区衬底进行氧化处理以形成第一氧化层;对低压区衬底进行预清洗;利用炉管工艺在衬底上形成第二氧化层,由所述第一氧化层和所述第二氧化层共同构成所述低压区栅氧化层。本发明解决了现有NOR Flash器件由于低压区栅氧化层薄导致的TDDB易发生、电流隧穿效应加重、栅氧化层可靠性降低的问题,达到了增加NOR Flash器件低压区栅氧化层的厚度的目的,改善了NOR Flash低压区器件的可靠性,提高了器件寿命。
  • 一种norflash器件低压氧化制备方法
  • [发明专利]省去CLDD光罩的Nor Flash器件结构的形成方法-CN202111538777.X在审
  • 申红杰;杜怡行;王壮壮;王虎;顾林 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2021-12-15 - 2022-03-25 - H01L27/11521
  • 一种省去CLDD光罩的Nor Flash器件结构的形成方法,包括:提供衬底,衬底包括存储区和外围区;在存储区上形成存储栅结构;在存储区和外围区注入第一离子形成轻掺杂区;在外围区上形成第一栅极结构;在存储区上形成光刻胶层;以光刻胶层和第一栅极结构为掩膜,在外围区内和第一栅极结构内注入第二离子,第二离子与第一离子的电学类型相反。通过直接在存储区和外围区注入第一离子;再以光刻胶层和第一栅极结构为掩膜,在外围区注入第二离子时,调整第二离子的剂量,使得注入的第二离子能够同时用于在第一栅极结构两侧形成第一源漏掺杂层、以及中和第一栅极结构内的第一离子。该制程中只需要采用光刻胶层一次光罩工艺,有效减少制程成本和制程周期。
  • 省去clddnorflash器件结构形成方法
  • [实用新型]一种360度旋转高清双镜头全景内窥镜-CN202120548230.7有效
  • 申红杰 - 申红杰
  • 2021-03-17 - 2021-11-19 - G02B23/24
  • 本实用新型公开了一种360度旋转高清双镜头全景内窥镜,包括主体组件、旋转组件、拍摄组件和限位组件;所述主体组件包括第一管体、第二管体和第三管体;所述第一管体的内侧壁焊接有第二管体,所述第二管体的外侧壁滑动连接有第三管体;所述旋转组件包括减速电机和转轴;所述第三管体的内部设置有减速电机;通过第一摄像头和第二摄像头的设置,可轻松实现被检测物体的全方位观测,通过减速电机和转轴的设置,不用手动转动镜头调整方位,不用更换镜头方向,操作简单,可以手持屏幕操作,也可把屏幕放置双手操作镜头,对一些不方便手持检测的环境可以实现全方位的便捷检测,解决一些狭小空间无法观测且市面普通内窥镜产品观测不到的区域。
  • 一种360旋转高清双镜头全景内窥镜

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