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[发明专利]空白罩幕以及光罩-CN201980085968.X在审
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协;公拮寓 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。
空白以及

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN202010401171.0在审
发明人：申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。
空白光掩模