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[发明专利]调整设备和调整方法-CN201310329567.9有效
发明人： 田中正博;松并弘幸;山口修;菅谷修 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：公开了一种调整设备和调整方法，该调整设备将电流源电路的指定值设置为预定值，并且通过在电容器没有由从开关电源电路输出的电流充电时将开关切换到放电侧而使得完成电容器的放电。在完成电容器的放电并且设置指定值之后，调整设备通过将开关切换到充电侧而使得电容器被充电。调整设备还对从开关切换到充电侧时的时间直到电容器的电势差超过阈值的时间段进行测量。基于所测量的时间段和预定值，调整设备计算指定值，以使得所测量的时间段是预定时间段。
调整设备方法

[发明专利]金属硅的凝固提纯方法及装置-CN201180055381.8有效
发明人： 田中正博;岸田丰 -专利权人：新日铁住金高新材料株式会社
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种金属硅的凝固提纯方法及其装置，在将晶体的生产率维持在高的状态的同时，与以往相比能够更有效率且可靠地进行杂质元素的去除。一种金属硅的凝固提纯法，使处于凝固提纯装置的铸模内的金属硅的熔融液体进行一个方向凝固并去除金属硅中的杂质元素，其中，使用凝固界面中的熔融液体侧温度梯度（G）、凝固中途的熔融液体中杂质元素浓度（Cm）、凝固速度（V）表示的组份的过冷却指数｛VOGC=（V/G）×Cm｝相对于使用从金属硅中的硅-杂质元素的状态图读取的液相线的梯度（m）和杂质元素的扩散系数（D）表示的组份的过冷却的临界值｛0.59（D/m）｝，以维持1/10｛0.59（D/m）｝≤VOGC＜0.59（D/m）的关系的方式，进行熔融液体的加热和/或冷却。
金属硅凝固提纯方法装置

[发明专利]时钟生成电路和时钟生成方法-CN200510115045.4有效
发明人：山本绅一;冈田浩司;田中正博 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种时钟生成电路和时钟生成方法，时钟生成电路由小型电路构成的，用于生成频谱扩展时钟并执行参考时钟信号和输出时钟信号的高速和精确的相位控制。频谱扩展时钟生成电路(1)具有相位比较器单元(10)，其比较参考时钟信号(CLKS)与内部时钟信号的相位差，并根据比较结果输出控制电流(IC1)；时钟生成单元(20)，用于生成输出时钟信号(CLKO)；相位差信号调制单元(30)，用于输出控制电流(IC3)；以及延迟单元(40)，用于根据控制电流(IC3)延迟输出时钟，并输出内部时钟信号(CLKN)。
时钟生成电路方法