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[发明专利]基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质-CN202210183966.8在审
发明人：西野达弥;田中昭典;堀井明;谷山智志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质，能降低炉口挡板的腐蚀。本发明提供一种基板处理装置，具有处理容器和炉口挡板，所述处理容器具备能够使保持有基板的基板保持件出入的开口和在开口的周围形成的第一密封面，所述炉口挡板具备与第一密封面相面对的第二密封面且在处理容器内未容纳基板保持件的状态下能够将开口闭塞；炉口挡板具有：配置在面向处理容器内的内表面侧且比开口大的保护板和配置在外表面侧且保持保护板的盖体，由保护板的外周部和盖体形成第二密封面，从与保护板相比的更外周侧向第一密封面和第二密封面之间的间隙供给吹扫气体。
处理装置组件方法半导体制造记录介质

[发明专利]气化系统、基板处理装置以及半导体装置的制造方法-CN202111121932.8在审
发明人： 田中昭典;才记由次 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种气化系统、基板处理装置以及半导体装置的制造方法，在生成气化气体时抑制残渣堆积，并提高气化效率。该气化系统具备：气化室，其具有一端部和另一端部；第一流体供给部，其在另一端部与气化室连接，且朝向一端部供给混合有第一载气和液体原料的混合流体；以及第二流体供给部，其在一端部与气化室连接，且构成为在从一端部供给第二载气时，使第二流体供给部供给的第二载气沿着气化室的内壁流动。
气化系统处理装置以及半导体制造方法

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201580082519.1有效
发明人：立野秀人;原大介;奥野正久;定田拓也;塚本刚史;田中昭典;角田彻;堀井贞义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供衬底处理装置，具有：收容衬底的处理室；气化器，其具备将液体原料气化的气化容器、将液体原料导入气化容器内的液体原料导入部、将载气导入气化容器内的载气导入部、和加热液体原料的加热器；载气供给控制部，其被构成为控制载气的供给量；液体原料供给控制部，其被构成为控制向气化器供给的液体原料的供给量；处理气体供给管，其将从气化器送出的处理气体导入处理室内；及气体浓度传感器，其对从气化器被送出至处理气体供给管内的处理气体所包含的反应气体的气体浓度进行检测。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置以及半导体装置的制造方法-CN202111113817.6在审
发明人：才记由次;谷山智志;田中昭典 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及半导体装置的制造方法，能够提高基板的面内膜厚均匀性以及各基板之间的膜厚均匀性。具有：对以液体供给的原料进行气化而生成原料气体的气化器(91)；蓄积从气化器取出的原料气体的容器、即第一容器(95A)、第二容器(95B)；设置于连接气化器和容器的配管(47a)且控制向容器供给的原料气体的流量的流量控制器(100)；设置于配管且开闭配管的流路的第一阀(93A、93B)；设置于容器的下游且放出由容器蓄积的原料气体的第二阀(97A、97B)；设置于第二阀的下游且供给原料气体的处理室(2)；以交替地反复原料气体从气化器向容器的蓄积与从容器向处理室的放出的方式控制的控制部。
处理装置以及半导体制造方法

[发明专利]基板处理装置、温度控制系统以及半导体装置的制造方法-CN201980060431.8在审
发明人：赤尾德信;村田等;田中昭典;上野正昭 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种结构，具备：基板保持件，其在载置有基板的状态下插入处理室；旋转机构，其使基板保持件旋转；基板温度传感器，其在基板保持件旋转时与基板同样地旋转，且测量基板的温度；发送机，其在处理室的外侧与基板温度传感器连接，且构成为与基板同样地旋转；接收机，其接收从发送机输出的信号；以及控制器，其与该接收机连接。
处理装置温度控制系统以及半导体制造方法

[发明专利]气化器、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201680082675.2在审
发明人：立野秀人;田中昭典;原大介;奥野正久;定田拓也;塚本刚史;堀井贞义;角田彻 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：根据本申请公开的技术，提供一种气化器，其具备：内表面由石英部件构成的气化室；和雾化部(雾化器部)，其由氟树脂形成，并且使用载气(雾化气体)将液体原料雾化并将其供给至所述气化室内。根据所述技术，能够在将液体原料气化的气化器中，防止由于液体原料、和与液体原料接触的气化器的构成部件发生反应而导致的金属污染的发生。
气化器液体原料衬底处理装置液体原料气化液体原料雾化半导体器件构成部件金属污染石英部件雾化气体氟树脂内表面气化室雾化部雾化器气化载气室内申请制造

[发明专利]异径衬底用附属件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201210055699.2无效
发明人：伊藤刚;田中昭典 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供异径衬底用附属件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法，能够在构成应对大直径衬底的搬运系统的衬底收纳器中放置尺寸缩小的衬底。异径衬底用附属件包括：上部板(401)和下部板(402)，被支承在第一支承槽(16e)中并能支承8英寸晶片；和各保持柱(403a～403c)，设在上部板和下部板上，并具有能支承2英寸晶片、即晶片(14)的第二支承槽(404)。由此，能够在应对8英寸晶片的晶片盒(16)中放置作为2英寸晶片的晶片，从而能够使作为搬运系统的晶片盒通用化以削减半导体制造装置的成本。能够使各气体供给喷嘴远离各晶片，从而能够使反应气体在到达各晶片前充分混合，能够提高对各晶片的成膜精度。
衬底附属处理装置半导体器件制造方法