专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锰酸锂正极靶材的退火方法以及锰酸锂正极靶材-CN202111363571.8有效
  • 杨俊明;周钧;马贵龙;甘志俭 - 柳州紫荆循环能源科技有限公司
  • 2021-11-17 - 2023-09-26 - H01M4/139
  • 一种锰酸锂正极靶材的退火方法以及锰酸锂正极靶材。其中,退火方法包括:将烧结好的锰酸锂正极靶材放入真空退火炉内,抽真空至第一设定真空度,并保持第一设定时长,然后通氮气,使真空退火炉内的气压高于外部大气压,并保持第二设定时长,之后抽真空至第二设定真空度,并保持第三设定时长;在预设的气氛条件下按照预设的升温程序进行退火处理;抽真空至第三设定真空度,并保持第四设定时长,然后通氮气,使真空退火炉内的气压高于外部大气压,随炉缓慢冷却至室温,得到退火后的锰酸锂正极靶材。基于本发明所制备的锰酸锂正极靶材以及磁控溅射镀膜技术,制得的全固态薄膜锂电池的接触面电阻明显降低,显著提高了电池的性能。
  • 锰酸锂正极退火方法以及
  • [发明专利]ZMO靶材及其制备方法-CN202110381326.3有效
  • 张玉玲;甘志俭 - 基迈克材料科技(苏州)有限公司
  • 2021-04-09 - 2023-02-14 - C23C14/35
  • 本发明涉及一种ZMO靶材及其制备方法。ZMO靶材的制备方法包括如下步骤:将ZnO粉末、MgO粉末、Al2O3粉末、分散剂、粘接剂和水混合均匀,研磨后得到浆料;将浆料进行喷雾造粒,得到ZMO粉体;将ZMO粉体进行烧结,得到ZMO烧结粉体;在保护气体氛围下,将ZMO烧结粉体热喷涂于背靶上,得到ZMO靶坯;以及将ZMO靶坯进行抛光和加工处理,得到ZMO靶材。上述ZMO靶材的制备方法工艺简单,有利于提高生产效率。经试验证明,本发明的上述ZMO靶材的制备方法制备得到ZMO靶材的相对密度≥90%,ZMO靶材的电阻率≤5×10‑3Ω·cm,因此,通过上述ZMO靶材的制备方法能够得到致密度和导电性良好的高性能ZMO靶材。此外,本发明还涉及一种ZMO靶材的制备方法。
  • zmo及其制备方法
  • [发明专利]钴酸锂正极靶材的退火方法以及钴酸锂正极靶材-CN202111361712.2有效
  • 周钧;马贵龙;甘志俭;杨俊明 - 鄂尔多斯市紫荆创新研究院
  • 2021-11-17 - 2023-02-03 - C04B41/00
  • 本发明提供了一种钴酸锂正极靶材的退火方法以及钴酸锂正极靶材。退火方法包括:将烧结好的钴酸锂正极靶材放入真空退火炉内,抽真空至第一设定真空度,并保持第一设定时长,然后通氮气,使真空退火炉内的气压高于外部大气压,并保持第二设定时长,之后再次抽真空至第二设定真空度,并保持第三设定时长;在预设的气氛条件下按照预设的升温程序进行退火处理;步骤C,抽真空至第三设定真空度,并保持第四设定时长,然后通氮气,使真空退火炉内的气压高于外部大气压,随炉缓慢冷却至室温,得到退火后的钴酸锂正极靶材。基于本发明所制备的钴酸锂正极靶材以及磁控溅射镀膜技术,制得的全固态薄膜锂电池的接触面电阻明显降低,显著提高了电池的性能。
  • 钴酸锂正极退火方法以及
  • [发明专利]导电锌-锡氧化物靶材及其制备方法与应用-CN202110361835.X有效
  • 张玉玲;甘志俭 - 基迈克材料科技(苏州)有限公司
  • 2021-04-02 - 2022-11-11 - C04B35/453
  • 本发明靶材制备领域,特别是涉及一种导电锌‑锡氧化物靶材及其制备方法与应用。本发明通过将5~20质量份的SnO粉体、80~95质量份的SnO2粉体和辅料进行预处理得到SnOx粉体,再将SnOx粉体与ZnO粉体混合造粒、加工成型、烧结,即可得到导电的锌‑锡氧化物靶材。SnO2是满价氧化物不导电,SnOx中由于失去一部分氧,造成氧空位缺陷,形成了P型半导体从而能实现导电;一定比例的用量可以将SnOx粉体中X的取值范围控制在1.80~1.95,从而将靶材电导率维持在合理范围内,因此,在将靶材运用在后续镀膜工序中时,既保证了镀膜效率,又能有效地控制镀膜成本,无需在镀膜工序中大量填充氧气,镀膜效果更好,且使用寿命更长。
  • 导电氧化物及其制备方法应用
  • [发明专利]氧化铈掺杂IZO粉体、靶材及制备方法-CN202111074675.7有效
  • 甘志俭;张玉玲;袁伟;陈荣华;诸斌 - 基迈克材料科技(苏州)有限公司
  • 2021-09-14 - 2022-10-28 - C04B35/453
  • 本发明涉及材料加工技术领域,特别是涉及一种氧化铈掺杂IZO粉体、靶材及制备方法。本发明通过选用金属铈作为掺杂剂,与金属铟和金属锌性质匹配,能在800℃~850℃下形成液态合金,对该液态合金进行气雾化处理后,能得到三种金属分散高度均匀的合金颗粒,同时,雾化时施加氧气,能使得合金颗粒在800℃~850℃的温度下迅速被氧化成合金氧化物颗粒,从而获得以机械研磨方式难以达到的均匀程度的氧化铈掺杂IZO粉体,能进一步制成较纯IZO靶材电阻更低,较传统掺杂技术更均匀、性能更好的氧化铈掺杂IZO靶材,而且制备过程中不涉及酸、氨水等试剂的使用,因此不会产生废水废气污染环境,更绿色环保。
  • 氧化掺杂izo粉体制备方法
  • [发明专利]氧化铝陶瓷及其制备方法-CN202010517344.5有效
  • 甘志俭;程银兵;杨斌;庄志杰 - 基迈克材料科技(苏州)有限公司
  • 2020-06-09 - 2022-05-24 - C04B35/111
  • 本发明公开了一种氧化铝陶瓷及其制备方法,该方法包括如下步骤:将氧化铝粉制成浆料,得到粒径D90小于或等于0.8μm的氧化铝浆料;将氧化铝浆料干燥,得到氧化铝细粉;氧化铝粉中氧化铝的含量≥99wt%;将光敏树脂、第一分散剂和润滑剂加热融化后,加入氧化铝细粉和紫外光吸收剂,混合均匀后进行抽真空处理,得到氧化铝光固化浆料;将氧化铝光固化浆料经3D打印成型,得到氧化铝陶瓷坯体;将氧化铝陶瓷坯体经过常压脱脂烧结,得到氧化铝陶瓷;常压脱脂烧结的条件为:以(0.2~1)℃/min的速率升温至550℃~650℃,保温6h~10h,然后以(1~5)℃/min的速率升温至1200℃~1400℃,保温5h~8h。采用该方法制得的氧化铝陶瓷的致密度高、机械性能好,能够满足半导体设备对陶瓷材料的要求。
  • 氧化铝陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]ZnSn合金靶材及其制备方法-CN202110403534.9在审
  • 张玉玲;甘志俭 - 基迈克材料科技(苏州)有限公司
  • 2021-04-15 - 2021-08-27 - C23C14/35
  • 本发明涉及一种ZnSn合金靶材及其制备方法。ZnSn合金靶材的制备方法,包括如下步骤:将Zn粉末和Sn粉末混合均匀,得到混合粉体;对混合粉体进行预压成型,压力为400T以上并保压处理,得到ZnSn合金毛坯;采用冷等静压的工艺对ZnSn合金毛坯进行强化处理,得到ZnSn合金靶坯;以及对ZnSn合金靶坯进行绑定成型,得到ZnSn合金靶材。本发明技术方案的ZnSn合金靶材的制备方法,采用粉末状态的原料Zn和Sn,之后先将混合粉体预压得到具有初步形状的ZnSn合金毛坯,再采用冷等静压进行强化处理,能够得到致密度和晶粒良好的高性能ZnSn合金靶材。
  • znsn合金及其制备方法
  • [发明专利]ITiO旋转靶材及其制备方法-CN202010116105.9在审
  • 甘志俭;庄志杰;诸斌;庄猛;杨斌 - 基迈克材料科技(苏州)有限公司
  • 2020-02-25 - 2020-06-05 - C04B35/01
  • 本发明涉及一种ITiO旋转靶材及其制备方法。ITiO旋转靶材的制备方法包括如下步骤:按照质量份数,将90份~99.5份的In2O3纳米粉体、0.5份~10份的TiO2纳米粉体、0.5份~5份的分散剂、0.5份~5份的粘接剂与水混合均匀,研磨后得到浆料;其中,In2O3纳米粉体的比表面积为5m2/g~20m2/g,TiO2纳米粉体的比表面积为20m2/g~50m2/g;将浆料进行喷雾造粒,得到ITiO粉体;将ITiO粉体装入模具中,使用冷等静压成型,得到旋转靶材素坯;以及将旋转靶材素坯进行烧结,退火之后得到ITiO旋转靶材。经试验证明,本发明的上述ITiO旋转靶材的制备方法制备得到ITiO旋转靶材的相对密度≥98%,ITiO旋转靶材的电阻率≤4.0×10‑4Ω·cm,因此,通过上述ITiO旋转靶材的制备方法能够得到致密度和导电性良好的高性能ITiO旋转靶材。
  • itio旋转及其制备方法

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