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[发明专利]RF装置的阻抗匹配电路及其方法-CN201910326983.0有效
发明人： 瑞卡都·优斯库拉;米歇尔·林恩·米耶拉;赛·苏尼尔·曼加卡;伊特什·沃什洼尼 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了形成于RF装置的阻抗匹配电路。所述阻抗匹配电路包括：焊盘结构。所述结构包括形成于基板上方的第一导电层。在所述第一导电层的第一部分上方形成有第二导电层，并且所述第二导电层的第一部分形成第一电容器电极。在所述第一导电层和所述第二导电层上方形成有第三导电层，并且所述第三导电层的第一部分形成第二电容器电极。所述第三导电层的第二部分形成引线键合区域。在所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间布置有介电材料以形成第一电容器。
rf 装置阻抗匹配电路及其方法

[发明专利]用于RF放大器装置的输入电路及其制造方法-CN201711453632.3有效
发明人：赛·苏尼尔·曼加卡;瑞卡都·优斯库拉 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：一种封装RF放大器装置，其包括晶体管、第一输入电路和第二输入电路。所述第一输入电路包括：耦合在输入引线与第一节点之间的第一串联电感，耦合在所述第一节点与所述晶体管的控制端之间的第二串联电感以及耦合在所述第一节点与接地参考之间的第一并联电容。所述第二输入电路包括第一并联电感和串联耦合在所述输入引线与所述接地参考之间的第二并联电容。所述第一输入电路和所述第二输入电路产生用于所述装置的基频匹配。所述第二串联电感和所述第一并联电容针对在第二谐波频率下的RF能量将短路呈现给所述接地参考。
用于 rf 放大器装置输入电路及其制造方法

[发明专利]包含多路径集成无源装置的功率放大器封装-CN202011585149.2在审
发明人：魏允;瑞卡都·优斯库拉;蒙特·吉恩·米勒 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了例如多尔蒂PA封装的功率放大器(PA)封装，所述PA封装包含多路径集成无源装置(IPD)。在实施例中，所述PA封装包括：封装主体，第一信号放大路径和第二信号放大路径延伸穿过所述封装主体；第一放大器管芯，所述第一放大器管芯在所述封装主体内且定位在所述第一信号放大路径中；以及第二放大器管芯，所述第二放大器管芯在所述封装主体内且定位在所述第二信号放大路径中。多路径IPD另外包含在所述封装主体中。所述多路径IPD包括：第一IPD区，所述第一信号放大路径延伸穿过所述第一IPD区；第二IPD区，所述第二信号放大路径延伸穿过所述第二IPD区；以及隔离区，所述隔离区形成于所述IPD基板中，在所述第一IPD区和所述第二IPD区中间的位置。
包含路径集成无源装置功率放大器封装