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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510831622.3有效
发明人：董碧云;李志国;黄冲;王铁渠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有多个分立的栅极结构、位于栅极结构顶部表面的保护层和位于栅极结构和保护层侧壁的侧墙；在半导体衬底上形成覆盖侧墙和保护层的掺杂硼磷硅玻璃层，掺杂硼磷硅玻璃层的整个表面高于保护层的顶部表面；测量掺杂硼磷硅玻璃层的厚度为第一厚度；设定目标厚度，目标厚度大于第一厚度；根据目标厚度和第一厚度的差值计算得到第二厚度；根据第二厚度的数值在掺杂硼磷硅玻璃层的表面形成非掺杂硅玻璃层；形成贯穿非掺杂硅玻璃层和掺杂硼磷硅玻璃层厚度且位于相邻的栅极结构之间的自对准接触孔。所述方法能够提高形成自对接触孔的工艺稳定性。
半导体器件形成方法

[发明专利]去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法-CN201610016127.1在审
发明人：冯俊伟;王铁渠;胡海波;崔永鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法，包括：提供基底，所述基底包括多晶硅层、以及形成于多晶硅层上的光刻抗反射层，所述光刻抗反射层内形成有颗粒缺陷；采用第一湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀；以及采用第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀。本发明实施例通过分别采用第一湿法刻蚀工艺和第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀，彻底地去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层，得到干净的多晶硅表面。其中，第二湿法刻蚀工艺通过使用氨水与双氧水的混合溶液消除颗粒缺陷与多晶硅层表面之间的粘合力；再使用氢氟酸的水溶液溶解去除所述颗粒缺陷，有效地避免了颗粒缺陷因较强的粘合力回粘到多晶硅层表面而无法彻底去除。
去除含有颗粒缺陷光刻反射层方法

[发明专利]一种检测化学气相沉积薄膜小微粒的方法-CN201410004522.9在审
发明人：崔永鹏;孙洪福;王铁渠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测化学气相淀积薄膜小微粒的方法，至少包含以下步骤：步骤1、准备晶圆基材；步骤2、在晶圆基材上沉积金属；步骤3、在沉积金属上沉积化学气相淀积薄膜；步骤4、开始刻蚀过程；步骤5、利用表面扫描工具扫描化学气相淀积薄膜的缺陷。本发明能够检测到PECVD薄膜的小微粒，降低废料风险。
一种检测化学沉积薄膜微粒方法

[发明专利]去除缺陷的方法-CN201410097527.0有效
发明人： 王铁渠;王雷;孙洪福;崔永鹏;冯俊伟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种去除缺陷的方法，先采用多步刻蚀分别依次去除第二隔离层和金属层，从而能够刻蚀去除残留在所述第二隔离层内的缺陷，接着，采用化学机械研磨去除第一隔离层，接着，在暴露出的层间介质层表面依次重新形成第一隔离层、金属层和第二隔离层，由于去除第一隔离层采用化学机械研磨不会对层间介质层造成损伤，从而保证层间介质层的质量，不会影响半导体芯片，并且能够完全去除位于第二隔离层内的缺陷，提高半导体芯片的良率，避免报废情况发生。
去除缺陷方法

[发明专利]一种用于真空系统防止晶片颗粒缺陷的方法及其装置-CN200510030912.4有效
发明人：姚政源;华宇;施敏;王铁渠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于真空系统防止晶片颗粒缺陷的方法，包括：采集颗粒，颗粒计数分析，颗粒计数分析结果信息送到气压阀控制器，气压阀控制器选择驱动第一或第二开关阀门，在两个开关阀门之间切换；用于该方法的装置，包括：开关阀组件，其具有第一开关阀门和第二开关阀门，颗粒分析仪，气压阀控制器；由开关阀门产生的颗粒处于实时监测之中，一个阀门工作，而另一个阀门备用，通过颗粒信息的传递和控制，使两个阀门之间进行自动或手动切换，保证机台的连续运转和晶片的合格率。
一种用于真空系统防止晶片颗粒缺陷方法及其装置

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