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[发明专利]半导体器件版图结构-CN202310692640.2有效
发明人：张振;陈星;王焕琛 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件版图结构，包括第一互连图形层、第二互连图形层至第n互连图形层，第一互连图形层包括位于冗余图形区的至少两个第一冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形，第二互连图形层至第n互连图形层均包括位于冗余图形区的至少两个第二冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形；第三冗余金属图形、第四冗余金属图形和第二冗余金属图形的面积均不同，第四冗余金属图形与第二冗余金属图形的形状不同，第四冗余金属图形与第三冗余金属图形的形状不同，可以提高冗余图形区的图形填充率，提高冗余图形区的图形均匀性，由此改善实际半导体器件制备中化学机械研磨的负载效应，避免互连层间短路和互连层表面凹陷。
半导体器件版图结构

[发明专利]半导体器件版图结构及其形成方法-CN202210844793.X有效
发明人：张振;陈星;王焕琛;陈世昌 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件版图结构及其形成方法，半导体器件版图结构的冗余图形区具有至少两个第一冗余图形和至少两个第二冗余图形，每个第一冗余图形包括与器件图形区的有源区图形相同的一个第一冗余有源区图形，以及位于第一冗余有源区图形上的至少两个与器件图形区的栅极图形相同的第一冗余栅极图形，每个第二冗余图形包括一个第二冗余有源区图形以及位于第二冗余有源区图形上的一个第二冗余栅极图形，第二冗余栅极图形的投影在第二冗余有源区图形的投影内。通过第二冗余图形与第一冗余图形相配合，可增加冗余图形区的图形密度，改善化学机械研磨工艺以及刻蚀工艺的均匀性，进而改善有源区尺寸以及栅极尺寸的差异性，并避免器件间的短路。
半导体器件版图结构及其形成方法

[发明专利]SRAM及其制作方法-CN202210603301.8有效
发明人：蔡君正;王焕琛;吴建兴;王彦勋 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供一种SRAM及其制作方法，对应多晶硅层中的间隙的开口图形，经光阻层、SHB层和ODL层叠加而成的多层膜层结构传递到硬掩模层，多层膜层结构依次传递图形及尺寸，提高开口图形的解析度和保真度。实现间隙对应的开口图形的关键尺寸的精确控制，从而能对间隙的关键尺寸进行精确控制。以硬掩模层为掩膜干法刻蚀多晶硅层，在多晶硅层中形成间隙，得到栅极。多晶硅层图形规则，避免过多刻蚀形成较尖形状；而且以硬掩模层为掩膜干法刻蚀多晶硅层，有硬掩模层的保护以及多晶硅层图形规则的情况下，避免了STI经湿法刻蚀造成深度方向的凹陷。降低了SRAM的阈值电压波动范围以及失调电压，提高了良率。
sram 及其制作方法